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1，内存时序是什么意思为什么频率高的延迟大

内存时序 http://baike.baidu.com/view/1041791.html?wtp=tt 自己去看

内存时序是什么意思为什么频率高的延迟大

2，内存时序是什么

延时自然是越低越好,内存体质的好坏是可以查的,去摆渡之类的搜一下就会搜到编号多少到多少的内存颗粒是极品,如果你碰上极品了那HAPPY一下,超频去,要不别打时序的主义,换点别的方式超频

内存时序是什么

3，什么是内存时序

内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
内存时序到底是什么意思？越大越好？还是越小越好呢？
内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。
超频内存的时候有两种，一种是提高内存的主频，这个可以使得内存的读写数据的速度更快，类似高速公路上的车速，而内存时序是指控制内存数据读写指令的速度，类似收费口，路上的车速再快最终也是要上下高速公路的，只不过并不是只有一个口，因此内存时序只要够用就可以了。

什么是内存时序

4，内存时序怎么条 举个例子 要详细点

一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点先把内存调到DDR400，同步，再慢慢加外频，找CPU的极限，找到后，看能不能上DDR533，一般的DDR667能稳定在DDR720，我的就可以。我的AM2 3000+，ABIT KN9，ADATA512M成功超到300X9，内存设置为DDR533，实际工作频率DDR720。时序15-5-5-5 1T
什么软件？

5，内存时序什么意思

是的，内存时序就是描述内存性能的，可以在CMOS中修改，内容太多不复制了，自己去看百度百科：内存时序
http://baike.baidu.com/view/1041791.htm
内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。 “2-2-2-8” 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上;RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间;Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间;Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 　　在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧 可以设置的

6，关于内存时序问题

这几个值都是内存的延迟时间，都是越小越好，CL值会对其他值产生影响，cl值设小了，其他值可能就跟不上，反而要调大，要不了内存可能不能工作。你看不懂建议你不要调了，性能差别非常小！长的时序对超频有帮助！要懂这些知识，可自己看看微机原理，不是一两句话说得清的！内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”.加了个20，表示明确了Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟的时间是20个时钟。
Celeron D 352 总线频率 533MHz 外频 133MHz 主板最高支持667 800是向下兼容，时序最好不要去改，设置成默认比较好。建议您把系统重新做一遍，这样系统发挥会比较好，有些参数在注册表，更换硬件后重装系统不就容易出错。仅供参考。 请参考
是一种参数来的，2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”.加了个20，表示明确了Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟的时间是20个时钟。

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