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1，半导体制冷技术

【解答】半导体制冷又称电子制冷，或者温差电制冷，是从50年代发展起来的一门介于制冷技术和半导体技术边缘的学科，它利用特种半导体材料构成的P-N结，形成热电偶对，产生珀尔帖效应，即通过直流电制冷的一种新型制冷方法，与压缩式制冷和吸收式制冷并称为世界三大制冷方式。

半导体制冷技术

2，半导体制热制冷的原理

压缩机制热制冷是利用的制冷剂相变会吸收或释放热量的原理。半导体制冷利用的是Peltier效应。即：电流流过两种不同能级的材料的界面时，热量也会发生定向传导，使得界面两侧一边冷、一边热。半导体材料可以实现材料间的最大能级差，具有实用性。由于半导体材料的导热率，半导体制冷的效率远小于压缩机制冷。只能用于一些特殊场合。

半导体制热制冷的原理

3，什么是半导体制冷

摘　要：半导体制冷又称电子制冷，或者温差电制冷，是从上世纪50年代发展起来的一种新制冷技术，与压缩式制冷和吸收式制冷并称为世界三大制冷方式。
确实如提问者想的那样，半导体制冷器件标定的最大（制冷）温差就是指热端和冷端的温度差，如果热端散热工作做好了，温度低，那么冷端也会相应的低；另外提醒下，热端要做好散热，冷端也要做好散热,如果冷端出现结冰现象，制冷效果也会大打折扣

什么是半导体制冷

4，半导体制冷原理

半导体制冷器件的工作原理是基于帕尔帖原理，该效应是在1834年由J.A.C帕尔帖首先发现的，即利用当两种不同的导体A和B组成的电路且通有直流电时，在接头处除焦耳热以外还会释放出某种其它的热量，而另一个接头处则吸收热量，且帕尔帖效应所引起的这种现象是可逆的，改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变，吸收和放出的热量与电流强度I[A]成正比，且与两种导体的性质及热端的温度有关，即： Qab=Iπab πab称做导体A和B之间的相对帕尔帖系数 ，单位为[V], πab为正值时，表示吸热，反之为放热，由于吸放热是可逆的，所以πab=－πab 帕尔帖系数的大小取决于构成闭合回路的材料的性质和接点温度，其数值可以由赛贝克系数αab[V.K-1]和接头处的绝对温度T[K]得出πab=αabT与塞贝克效应相，帕尔帖系也具有加和性，即： Qac=Qab+Qbc=(πab+πbc)I 因此绝对帕尔帖系数有πab=πa－ πb 金属材料的帕尔帖效应比较微弱，而半导体材料则要强得多，因而得到实际应用的温差电制冷器件都是由半导体材料制成的。

5，半导体冰箱是怎样工作的

他是由一块电子制冷晶片工作的其原理是：利用帕尔帖(peltire)效应，1834年法国科学家珀尔贴发现了热电致冷和致热现象－即温差电效应。由N、P型材料组成一对热电偶， 当热电偶通入直流电流后，因直流电通入的方向不同， 将在电偶结点处产生吸热和放热现象，称这种现象为珀尔帖效应。 半导体致冷器, 也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.目前采用半导体材料锑化铋做成N型和P型热电偶,用模块的方法组成半导体制冷器件.N型材料有多余的电子,有负温差电势.P型材料电子不足,有正温差电势;当电子从P型穿过结点至N型时,其能量必然增加,而且增加的能量相当于结点所消耗的能量.相反,当电子从N型流至P型材料时, 结点的温度就会升高. 在温差电路中引入第三种材料(铜连接片和导线) 不会改变电路的特性.把一只P型半导体和一只N型半导体联结成热电偶, 接上直流电源后, 在接头处就会产生温差和热量的转移.把若干对半导体热电偶对在电路上串联起来, 而在传热方面则是并联的, 这就构成了一个常见的制冷热电堆. 借助热交换器等各种传热手段, 使热电堆的热端不断散热并且保持一定的温度, 把热电堆的冷端放到工作环境中去吸热降温, 这就是半导体制冷的原理.
1.制冷温度与环境温度有关（一般低于环境温度20度），不能制冰 （此问题也可以通过多级制冷片串联来解决，但是串联后必须加强散热，否则容易烧毁制冷片）2.冰箱容积不能超过100升（高于100升，其制冷效果下降，耗电量增加）3.因为制冷片一面散热，而且产热多，所以必须使用散热设备，这也增加了半导体冰箱的成本，如果使用风扇，还会增加耗电量，产生轻微噪音。4.半导体冰箱在做较大的冰箱时成本较高，不利于大规模推广。
半导体制冷，比如左右面，接上12v直流电，正极接半导体的正极，负极接半导体的负极，这样正面是冷，反面就是热了，你把电源再反过来那么正面就是热，反面就是冷。前提是必须要有散热风扇或着散热片，不然很快就会烧了的。如果只有热，没有冷，对不起，那就是半导体坏了。只要做好保温就行了，用聚氨酯泡沫就可以作保温，需要一个大功率的电源或者一个电瓶，这个家伙也有几十W呢。最好用个支架，来固定风扇和散热片。切记：一定要装散热片和风扇！ 如果不插风扇可以瞬间试个几秒，感觉凉了那边热了就行了。不要太长时间通电（不装风扇的情况下）

6，集成电路块制冷的原理是什么

半导体制冷器件的工作原理是基于帕尔帖原理，该效应是在1834年由J.A.C帕尔帖首先发现的，即利用当两种不同的导体A和B组成的电路且通有直流电时，在接头处除焦耳热以外还会释放出某种其它的热量，而另一个接头处则吸收热量，且帕尔帖效应所引起的这种现象是可逆的，改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变，吸收和放出的热量与电流强度I[A]成正比，且与两种导体的性质及热端的温度有关，即： Qab=Iπabπab称做导体A和B之间的相对帕尔帖系数 ，单位为[V], πab为正值时，表示吸热，反之为放热，由于吸放热是可逆的，所以πab=－πab帕尔帖系数的大小取决于构成闭合回路的材料的性质和接点温度，其数值可以由赛贝克系数αab[V.K-1]和接头处的绝对温度T[K]得出πab=αabT与塞贝克效应相，帕尔帖系也具有加和性，即：Qac=Qab+Qbc=(πab+πbc)I因此绝对帕尔帖系数有πab=πa－ πb金属材料的帕尔帖效应比较微弱，而半导体材料则要强得多，因而得到实际应用的温差电制冷器件都是由半导体材料制成的。制冷材料AVIoffe和AFIoffe指出，在同族元素或同种类型的化合物质间，晶格热导率Kp随着平均原子量A的增长呈下降趋势。RWKeyes通过实验推断出，KpT近似于Tm3/2ρ2/3A-7/6成比例，即近似与原子量A成正比，因此通常应选取由重元素组成的化合物作为半导体制冷材料。半导体制冷材料的另一个巨大发展是1956年由AFIoffe等提出的固溶体理论，即利用同晶化合物形成类质同晶的固溶体。固溶体中掺入同晶化合物引入的等价置换原子产生的短程畸变，使得声子散射增加，从而降低了晶格导热率，而对载流子迁移率的影响却很小，因此使得优值系数增大。例如50%Bi2Te3－50%Bi2Se3固溶体与Bi2Te3相比较，其热导率降低33%，而迁移率仅稍有增加，因而优值系数将提高50%到一倍。Ag(1-x)Cu(x)Ti Te、Bi－Sb合金和YBaCuO超导材料等曾经成为半导体制冷学者的研究对象，并通过实验证明可以成为较好的低温制冷材料。下面将分别介绍这几种热电性能较好的半导体制冷材料。二元固溶体，无论是P型还是N型，晶格热导率均比Bi2Te3有较大降低，但N型材料的优值系数却提高很小，这可能是因为在Bi2Te3中引入Bi2Se3时，随着Bi2Se3摩尔含量的不同呈现出两种不同的导电特性，势必会使两种特性都不会很强，通过合适的掺杂虽可以增强材料的导电特性，提高材料的优值系数，但归根结底还是应该在本题物质上有所突破。
你好！在它的左右通以直流电，则它的上下面就会有温差，这就是它制冷原理。利用的是半导体制冷原理，设有一块长方体半导体(里面也有PN结）不叫集成电路块制冷，叫半导体制冷如有疑问，请追问。
半导体制冷的原理：半导体制冷的原理利用的是半导体制冷原理，设有一块长方体半导体(里面也有PN结），在它的左右通以直流电，则它的上下面就会有温差，这就是它制冷原理。具体应用要加装散热器，并且还要用风翩来帮助加大热交换。半导体制冷简介：半导体制冷是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
不叫集成电路块制冷，叫半导体制冷。利用的是半导体制冷原理，设有一块长方体半导体(里面也有PN结），在它的左右通以直流电，则它的上下面就会有温差，这就是它制冷原理。具体应用要加装散热器，并且还要用风翩来帮助加大热交换。

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