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1，电镀与磁控溅射对比有什么优缺点

两者应用环境很不一样。磁控溅射是真空环境中镀膜，牢固性，致密性和均匀性都是很完美的。磁控溅射还可以镀光学膜。电镀之能镀金属吧。一个是化学过程，一个是物理过程。

电镀与磁控溅射对比有什么优缺点

2，什么叫磁控溅射太阳膜

磁控溅射工艺是将镍、银、钛、金等高级宇航合金材料采用最先进的多腔高速旋转设备，利用电场与磁场原理高速度高力量地均匀溅射于高张力的PET基材上，保证产品卓越的隔热功能、清晰的透光率及科学、自然的金属涂层。此类产品有非常好的金属质感，有无法比拟的清晰度，而且反光极低。由于粒子更细、结构更紧密，因此，隔热持久性更高，而且可以保证永不褪色。

什么叫磁控溅射太阳膜

3，磁控溅射加偏压有什么用

磁控溅射是目前应用最广泛的一种溅射沉积方法。它是在二极直流溅射的基础上，在靶表面附近增加一个磁场。电子由于受电场和磁场的作用，做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。放电区的有效电阻变小，电压下降。另外放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。也就是磁场控制溅射方式。

磁控溅射加偏压有什么用

4，磁控溅射如何制作DLC膜层

目前本人已知的DLC成膜方法常用的主要有三种： 第一种：磁控溅射法，用于工具镀膜，需要先打底，如CrN, 然后用石墨靶溅射，最后还有通入C2H2 ,才能最终得到SP3结构的DLC。最好用中频电源; 第二种：PACVD，同样用于工具镀膜，也要用铬靶打底，镀DLC时，通入反应气体，靶只是作为一个电极来用，并不溅射。甚至有用射频电源； 第三种：生物DLC, 是透明的，带棕色货茶色，镀前先通入H2+Ar离子清洗，必须镀薄，而且要用很高的工艺气体压力。这种方法用直流也可以做到。
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5，直流磁控溅射和射频磁控溅射的区别到底是什么啊

主要的溅射方法可以根据其特征分为以下四种：（1）直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射。另外，利用各种离子束源也可以实现薄膜的溅射沉积。现在的直流溅射（也叫二级溅射）较少用到，原因是溅射气压较高，电压较高，溅射速率小，膜层不稳定等缺点。直流溅射发展后期，人们在其表面加上一定磁场，磁场束缚住自由电子后，以上缺点均有所改善，也是现阶段广泛应用的一种溅射方法。而后又有中频溅射，提高了阴极发电速率，不易造成放电、靶材中毒等现象。而射频溅射是很高频率下对靶材的溅射，不易放电、靶材可任选金属或者陶瓷等材料。沉积的膜层致密，附着力良好。如果寻找本质区别是：直流溅射是气体放电的前期，而射频是后期，我们最常见的射频是电焊机。溅射过程所用设备的区别就是电源的区别。

6，真空镀膜机的原理

说来话长，简单点的话就是：阴极被激发的电子在电场作用下加速飞向衬底基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和二次电子，二次电子飞向衬底基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在衬底上形成薄膜。二次电子在加速飞向衬底的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面做圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断地与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后二次电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在衬底上
真空镀膜机按镀膜方式主要可分为：蒸发式镀膜，磁控溅射镀膜和离子镀。蒸发镀膜工作原理是将膜材置于真空镀膜室内，通过蒸发源加热使其蒸发，当蒸发分子的平均自由程大于真空镀膜室的线性尺寸，蒸汽的原子和分子从蒸发源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的冲击与阻碍，可直接到达被镀的基片表面，由于基片温度较低，便凝结其上而成膜。磁控溅射镀膜是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片，Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。离子镀的工作原理是：蒸发源接阳极，工件接阴极，当通以三至五千伏高压直流电以后，蒸发源与工件之间产生弧光放电。由于真空罩内充有惰性氩气，在放电电场作用下部分氩气被电离，从而在阴极工件周围形成一等离子暗区。带正电荷的氩离子受阴极负高压的吸引，猛烈地轰击工件表面，致使工件表层粒子和脏物被轰溅抛出，从而使工件待镀表面得到了充分的离子轰击清洗。随后，接通蒸发源交流电源，蒸发料粒子熔化蒸发，进入辉光放电区并被电离。带正电荷的蒸发料离子，在阴极吸引下，随同氩离子一同冲向工件，当抛镀于工件表面上的蒸发料离子超过溅失离子的数量时，则逐渐堆积形成一层牢固粘附于工件表面的镀层。
一、电控柜的操作1.开水泵、气源2.开总电源3.开维持泵、真空计电源，真空计档位置V1位置，等待其值小于10后，再进入下一步操作。约需5分钟。4.开机械泵、予抽，开涡轮分子泵电源、启动，真空计开关换到V2位置，抽到小于2为止，约需20分钟。5.观察涡轮分子泵读数到达250以后，关予抽，开前机和高阀继续抽真空，抽真空到达一定程度后才能开右边的高真空表头，观察真空度。真空到达2×10-3以后才能开电子枪电源。二、DEF-6B电子枪电源柜的操作1.总电源2.同时开电子枪控制Ⅰ和电子枪控制Ⅱ电源:按电子枪控制Ⅰ电源、延时开关，延时、电源及保护灯亮，三分钟后延时及保护灯灭，若后门未关好或水流继电器有故障，保护灯会常亮。3.开高压，高压会达到10KV以上，调节束流可到200mA左右，帘栅为20V/100mA，灯丝电流1.2A，偏转电流在1~1.7之间摆动。三、关机顺序1.关高真空表头、关分子泵。2.待分子泵显示到50时，依次关高阀、前级、机械泵，这期间约需40分钟。3.到50以下时，再关维持泵。
用几十电子伏或更高动能的荷能粒子轰击材料表面，使其原子获得足够的能量而溅出进入气相，这种溅出的，复杂的粒子散射过程称为溅射。溅射镀膜是利用溅射现象来达到制取各种膜层的目的，即在真空室中利用荷能离子轰击靶表面，使被轰击出的粒子在基底上沉积的技术。在与靶表面平行的方向上施加磁场，利用电场和磁场相互垂直的磁控管原理减少了电子对基底的轰击，有效降低了基底温度，使高速溅射成为可能
你这问题太大了。。。。简单的话就是把膜料弄到基底上。这里就包括溅射、用电子枪打等方式不同的镀膜机是不同的。真空的目的是让分子的平均自由程更大，就是避免膜料分子不会碰到空气分子。
主要利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面, 靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。下列固态物质皆可为靶材 (Target) ：任何常温固态金属 ( 铜、铝、钛 )固态非金属 ( 石墨 , 氧化硅 ( SiO2 )合金 ( 不锈钢 （ SUS )金属氧化物 ( 氧化钛、氧化铟 ) 。注： 一般金属镀膜大都采用直流（DC）溅镀，而不导电的陶瓷材料则使用RF交流

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