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1，什么是双极晶体管是不是就是三极管

是的这是历史原因，最早的是点接触型的，后来发展到双PN结型的，就是双极型晶体管

什么是双极晶体管是不是就是三极管

2，双极晶体管的工作原理

双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。 利用晶体管的放大效应，配合电阻、电容等元件，组成放大电路，可以对电信号进行放大。

双极晶体管的工作原理

3，请问双极型晶体管是什么意思呀那双极型

双极型就是电子和孔穴都参加电流形成的意思。反义词呢就是单极型，这个是电子和孔穴之中只有一个参加电流形成的意思。晶体管是拥有三个电极和两个pn结的半导体器件，有两种双极型晶体管就是npn和pnp。
双极型和单极型的差别主要看有几种载流子参与导电。在双极型晶体管中，多子和少子（也就是空穴、电子，两种不同极性的载流子）都参与导电；而在单极型晶体管中只有多子（或空穴，或电子，只有一种，单一极性，或正或负）参与导电。

请问双极型晶体管是什么意思呀那双极型

4，1什么是双极型晶体管BTJ它有哪两种形式

由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型
双极性晶体管(bjt,bipolar junction transistor)：又称晶体三极管、半导体三极管等，简称三极管。有两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管。根据材料的不同可分为结型场效应管jfet (junction field effect transistor)和绝缘栅型场效应管igfet(insulated gate fet) 。单极性晶体管：只有一种极性的多数载流子（电子或空穴）参与导电，故称为单极型晶体管，如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(si)与锗管(ge)。硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。

5，什么是单极型晶体管和双极型晶体管

一、单极型晶体管单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点：输入电阻高，可达107 ~ 1015 Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 1015 Ω。噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类：根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。 二、双极型晶体管双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。 特点：三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。 分类：根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。

6，双极晶体管的工作原理

双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.
n沟型的 igbt工作是通过栅极－发射极间加阀值电压vth以上的（正）电压，在栅极电极正下方的p层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的n-层注入电子。该电子为p+n-p晶体管的少数载流子，从集电极衬底p+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极－发射极间饱和电压。工作时的等效电路如图1（b）所示，igbt的符号如图1（c）所示。在发射极电极侧形成n+pn－寄生晶体管。若n+pn－寄生晶体管工作，又变成p+n－ pn+晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停止供给电流。通过输出信号已不能进行控制。一般将这种状态称为闭锁状态。为了抑制n+pn-寄生晶体管的工作igbt采用尽量缩小p+n-p晶体管的电流放大系数α作为解决闭锁的措施。具体地来说，p+n-p的电流放大系数α设计为0.5以下。 igbt的闭锁电流il为额定电流（直流）的3倍以上。igbt的驱动原理与电力mosfet基本相同，通断由栅射极电压uge决定。 当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入n-区内。在任何情况下，如果mosfet电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在n层内还存在少数的载流子（少子）。这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、ic 和vce密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的，尾流特性与vce、ic和 tc有关。栅射极间施加反压或不加信号时，mosfet内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，igbt关断。 igbt在集电极与发射极之间有一个寄生pnpn晶闸管。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效mosfet的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为igbt闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。为防止寄生npn和pnp晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：一是防止npn部分接通，分别改变布局和掺杂级别。二是降低npn和pnp晶体管的总电流增益。此外，闩锁电流对pnp和npn器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，p基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。
igbt

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