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1，光敏三极管工作原理是什么什么信号变什么信号具体能对着一个

三极管通态电流与基极电流正相关，光敏三极管通态电流与光照强度正相关。光信号变电信号。有光时对外呈现低阻抗，无光时高阻抗，分压不同从而产生变化的电信号。

光敏三极管工作原理是什么什么信号变什么信号具体能对着一个

2，光敏三极管与普通三极管有何异同

光敏二极管跟普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制。 当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。

光敏三极管与普通三极管有何异同

3，光敏三极管的特性

光敏三极管（Phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（Current）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿（Temperature compensation）和附加控制等作用。
光敏三极管我就没有做过，光敏二极管和电阻就做过。具体是利用光敏二极管（或光敏电阻）串上一个电阻，然后再引一个信号给后面的放大电路进行放大。这里我就先说说光信号转换成电信号的过程，很简单，利用串联电阻的阻值大小，调节触发光强度的大小，具体要串联多大电阻，我也忘记了，你自己试验一下看看了。

光敏三极管的特性

4，光敏三极管的作用

光敏三极管我就没有做过，光敏二极管和电阻就做过。具体是利用光敏二极管（或光敏电阻）串上一个电阻，然后再引一个信号给后面的放大电路进行放大。这里我就先说说光信号转换成电信号的过程，很简单，利用串联电阻的阻值大小，调节触发光强度的大小，具体要串联多大电阻，我也忘记了，你自己试验一下看看了。
光敏三极管（phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（current）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿（temperature compensation）和附加控制等作用。

5，光敏三极管的技术参数

1、光谱特性光敏三极管由于使用的材料不同，分为锗光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。2、伏安特性光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。3、光电特性光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流IL与光照度之间的关系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。4、温度特性温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。5、暗电流ID在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。6、光电流IL在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。7、集电极一发射极击穿电压VCE在无光照下，集电极电流IC为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。8、 最高工作电压VRM在无光照下，集电极电流Ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。9、最大功率PM最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。10、峰值波长λp当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。11、光电灵敏度在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。12、响应时间响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 X 10-3 --- 1 X 10-7S 。
光敏三极管的测量四个管脚的方法：把万用表拨在r×1k挡，用一只手堵住光电开关的发射管和接收管，用黑、红表笔分别测每只管子的两根引脚电阻，然后把红、黑表笔对调一下后再测量每只管子的两根引脚。当找到正向电阻在20k左右的那两根引脚时，黑表笔接的就是红外发射二极管的正极，红表笔接的就是红外发射二极管的负极。 区分光敏三极管的“e”和“c”；把接收管对着自然光或灯光，用红、黑表笔分别接光敏三极管的两根引出线，然后把红、黑表笔对调，再去接触接收管的两个电极，两次测量中阻值小的那次，黑表笔接的就是光敏三极管的“c”极。红表笔接的就是光敏三极管的“e”极。 光敏三极管（phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（current）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿（temperature compensation）和附加控制等作用。 光敏三极管又称光电三极管，它是一种光电转换器件，其基本原理是光照到p-n结上时，吸收光能并转变为电能。当光敏三极管加上反向电压时，管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变，光照强度越大，反向电流越大，大多数都工作在这种状态。

6，光敏三极管的主要技术特性及参数有哪些

以下内容来自百度百科，讲的已经很详细了，如果还有不明白的，可以追问：1、光谱特性光敏三极管由于使用的材料不同，分为锗光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。2、伏安特性光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。3、光电特性光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流IL与光照度之间的关系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。4、温度特性温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。5、暗电流ID在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。6、光电流IL在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。7、集电极一发射极击穿电压VCE在无光照下，集电极电流IC为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。8、 最高工作电压VRM在无光照下，集电极电流Ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。9、最大功率PM最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。10、峰值波长λp当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。11、光电灵敏度在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。12、响应时间响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 X 10-3 --- 1 X 10-7S 。
1、光谱特性光敏三极管由于使用的材料不同，分为错光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。2、伏安特性光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。3、光电特性光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流il与光照度之间的关系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。4、温度特性温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。5、暗电流id在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。6、光电流il在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。7、集电极一发射极击穿电压vce在无光照下，集电极电流ic为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。8、 最高工作电压vrm在无光照下，集电极电流ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。9、最大功率pm最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。10、峰值波长λp当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。11、光电灵敏度在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。12、响应时间响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 x 10-3 --- 1 x 10-7s 。13、开关时间1.脉冲上升时间tτ:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10% - 90% 所需的时间。2.脉冲下降时间tt :以输出脉冲后沿幅度的90% - 10% 所需的时间。3.脉冲延迟时间td :从输入光脉冲开始到输出电脉冲前沿的10% 所需的时间。4.脉冲储存时间ts:当输入光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90% 所需的时间。

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