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1，欧姆接触含义

金属的功函数小于半导体的功函数所形成的接触为欧姆接触。

欧姆接触含义

2，在怎么样的条件下金属与半导体形成欧姆接触

能形成欧姆接触的条件比较多，比如蒸吕、半导体元器件背面金属化的银或者金、还有通过焊料或者银浆对支架和半导体器件的粘接都属于欧姆接触，不明白你问的那种，不同的方式形成欧姆接触的条件当然不一样了

在怎么样的条件下金属与半导体形成欧姆接触

3，什么叫欧姆接触

所谓欧姆接触，是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作复时，大部分的电压降在于活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：（1）金属与半导体制间有低的界面能障(Barrier Height)（2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≥10EXP12 cm-3)前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使界面空乏区变窄，电子有更多的知机会直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。若半导道体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等结构。

什么叫欧姆接触

4，为什么好的欧姆接触要求金属和半导体之间

所谓欧姆接触。通俗地讲，就是对接触面加正/向电压时，接触面对载流子的阻挡力都很小（或基本相同）。从形成接触的机理来看，任何两种不同材料的接触，都会形成整流效果（因为有接触势垒），因为没有任何两种材料的功函数是完全一样的。以金属和半导体的接触为例，就形成很明显的整流效果，这就是著名的肖脱基二极管。如果要考虑形成欧姆接触，就要降低两种接触材料的功函数差（或降低其费米能级的差）。这样才能降低他们的接触势垒的高度，使其向欧姆接触的方向靠近。如何才能做到呢？好的方法之一，就是对半导体一侧进行重掺杂，使其有更多的载流子，这样接触后可以减小与金属一侧的差距。
所谓欧姆接触。通俗地讲，就是对接触面加正/向电压时，接触面对载流子的阻挡力都很小（或基本相同）。 从形成接触的机理来看，任何两种不同材料的接触，都会形成整流效果（因为有接触势垒），因为没有任何两种材料的功函数是完全一样的。

5，欧姆接触点为什么要足够小

接触电阻一般是指开关或继电器等等控制电器的触点。对于触点的要求接触电阻要小最好是“0”欧，但一般都有，控制在0.1欧（小型的）以下。这对一般来说小电流时关系还不大，但大电流时就会发热，有时电阻大的要烧坏触点。根据物理学电产生热的也就是接触点在电流流过时产生的热的公式：Q=0.24xI（工作电流的平方）xR（接触电阻）xT（工作时间）。所以，开关和继电器等等带接触点的控制器，对接触电阻是有严格要求的，在应用中应注意。
所谓欧姆接触，是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区(active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的界面能障
记得高中物理里面有个欧姆定律的公式，里面好像电阻与接触面积有关。。。你可以参考一下

6，欧姆接触的制备

欧姆接触制备是材料工程里研究很充分而不太有未知剩余的部分。可重复且可靠的接触制备需要极度洁净的半导体表面。例如，因为天然氧化物会迅速在硅表面形成，接触的性能会十分敏感地取决于制备准备的细节。接触制备的基础步骤是半导体表面清洁、接触金属沉积、图案制造和退火。表面清洁可以通过溅射蚀刻、化学蚀刻、反应气体蚀刻或者离子研磨。比如说，硅的天然氧化物可以通过蘸氢氟酸（HF）来去除，而砷化镓（GaAs）则更具代表性的通过蘸溴化甲醇来清洁。清洁过后金属通过溅射、蒸发沉积或者化学气相沉积（CVD）沉积下来。溅射是金属沉积中比蒸发沉积更快且更方便方法但是等离子带来的离子轰击可能会减少表面态或者甚至颠倒表面电荷载流子的类型。正因为此更为平和且依然快速的CVD是更加为人所倾向的方法。接触的图案制造是通过标准平版照相术来完成的，比如剥落中接触金属是通过沉积于光刻胶层孔洞之中并稍后取出光刻胶来完成的。沉积后接触的退火能有效去除张力并引发有利的金属和半导体之间的反应。

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