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1，vhdl如何测量双脉冲间隔

用一个更快的时钟来出来，可以先对脉冲进行处理，然后测量一个周期的时间.

vhdl如何测量双脉冲间隔

2，mosfet双脉冲测试为什么使用电阻负载

用数字万用表，上面有一个圆形的有六个孔的东西，那个就是测MOSFET管用的。
支持一下感觉挺不错的

mosfet双脉冲测试为什么使用电阻负载

3，请问什么是igbt的双脉冲双脉冲实验有什么意义

就是在IGBT门级加连续两个脉冲，脉冲宽度和间隔可调，负载为电感； 双脉冲可以研究IGBT开通关断的动态特性，比如开通延迟，电流上升时间，Eon，Eoff等

请问什么是igbt的双脉冲双脉冲实验有什么意义

4，Saber下如何设置可得到双脉冲示波器怎么接进去

1. 其实你并不需要只有两个周期的脉冲源，只需要将仿真时间设置得短一点，就是只仿两个周期就可以了，你是要仿双脉冲测试IGBT么？2. Saber中并不需要加示波器，仿真结束后所有的波形数据会形成一个文件，打开那个文件找到你想观察的信号，打开就可以看到波形了。
1、确定随机一路为基准。 2、观察其中两路脉冲的位置。 3、以选择基准为参考，固定不动。 4、另一探头分别观察其他两路波形，即可确定三相脉冲相序。

5，igbt的双脉冲测试需要多大功率的直流源

500W足够，电流500mA即可
igbt在国内来说，开始越来越多的应用，在电网，电动车，新能源汽车，家电行业，充电桩等行业应用越来越广泛，目前igbt测试仪，国内hustec，华科智源等，进口的有美国itc，德国lemsys,都很成熟了。电动车目前用的可能到3300v,1000a左右了，对于igbt模块，几单元封装的，都没有问题，当然，主回路电感和杂散电感随着功率增加，会有相应的增大，如果涉及到1200v,200a左右的，可能能 做到65ns一下。igbt动态参数仪，一般能测量开关时间，反向恢复时间，短路特性，栅电荷，这些参数。对于雪崩能量，一般需要一台单独设备进行测试。

6，IGBT动态测试是不是都是双脉冲测试法啊单脉冲的有无双脉冲有何

常见的都是双脉冲去测试IGBT的动态参数测试，我没见过单脉冲的测试，易恩电气就是专门搞这个双脉冲测试的，你可以问问他们
IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
就是在igbt门级加连续两个脉冲，脉冲宽度和间隔可调，负载为电感；双脉冲可以研究igbt开通关断的动态特性，比如开通延迟，电流上升时间，eon，eoff等

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