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1，decoupling proposal是什么意思看高口阅读看到的

您好！翻译为：去耦方案去耦 [decoupling] 阻止从一电路交换或反馈能量到另一电路希望我的回答对你有帮助！

decoupling proposal是什么意思看高口阅读看到的

2，微分方程的decoupling到底有什么用

一般来说越是高阶的方程越难解我们知道一般线性高阶的可以化成一阶的微分方程组然后方程组永远比单个方程难解decouple就是寻求是否可以通过一些变换把方程矩阵对角化然后就可以解单个的方程而非整个很大的方程组了.从方程组或者高阶方程降成低阶来解称为decoupling
你说呢...

微分方程的decoupling到底有什么用

3，decouple是什么意思

decouple 英[di:?k?pl]美[di?k?p?l]v. 减弱（核爆炸）震波;[例句]The issue threatened to decouple Europe from the United States这一问题可能会割裂欧洲同美国的关系。[其他] 第三人称单数：decouples 现在分词：decoupling 过去式：decoupled 过去分词：decoupled
同问。。。

decouple是什么意思

4，旁路电容的作用

旁路电容 ：可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路掉的电容，称做“旁路电容”。本题中的旁路电容是用来滤除整流后的脉动直流电中交流成分的（基频和基频的高次谐波成分）。一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗小），而低频和直流由于电容对它的阻抗较大不受旁路电容的影响。
旁路电容：可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容，称做“旁路电容”。 对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。旁路电容的主要功能是产生一个交流分路，从而消去进入易感区的那些不需要的能量，即当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输入端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗小），而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大。
好友杨龙发表日志：去耦电容和旁路电容的区别旁路电容实也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 去耦和旁路都可以看作滤波。去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源，这应该是他们的本质区别。
旁路电容的作用是用来滤除整流后的脉动直流电中交流成分其电容值也是比较小的再看看别人怎么说的。
此旁路电容主要是滤掉不是电源本身产生的，是沿电源线路耦合而来的高频信号，也因此其电容值也是比较小的；本来整流电路就有一个大的滤波电容，为何再加个小电容？因为大滤波电容的结构问题使得其对高频信号呈现出感抗，因而影响到高频滤波效果；关于此电容的取值，是个经验值，取得过小了高频滤波效果不好，取大了浪费。
串联的电阻是负反馈电阻，主要是通过对直流起到负反馈，用来稳定放大电路的静态工作点的；电阻旁并联的电容是旁路电容，作用有两个，一个是提高放大电路对输入交流信号的增益、二是由于该电容的容量都比较大，且与负反馈电阻并联，因此对于输入的交流信号而言就是直接将负反馈电阻短接了，信号全部流过旁路电容这样在负反馈电阻上只有直流负反馈而不会产生交流负反馈了，这样放大电路的交流净输入信号就很大，放大输出后的信号就更大。

5，上拉电阻下拉电阻旁路电容

上下拉电阻　　上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流作用！下拉同理！　　上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流；弱强只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分；对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通门电路）提升电流和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。　　上下拉电阻： 　　1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V）， 这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。 上拉电阻　　2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。 　　3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。 　　4、在CMOS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗， 提供泄荷通路。 　　5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。 　　6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。 　　7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。 　　上拉电阻：　　就是从电源高电平引出的电阻接到输出 　　1，如果电平用OC(集电极开路，TTL)或OD(漏极开路，COMS)输出，那么不用上拉电阻是不能工作的， 这个很容易理解，管子没有电源就不能输出高电平了。 　　2，如果输出电流比较大，输出的电平就会降低（电路中已经有了一个上拉电阻，但是电阻太大，压降太高），就可以用上拉电阻提供电流分量， 把电平“拉高”。（就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上， 让它的压降小一点）。当然管子按需要该工作在线性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现门电路电平的匹配。 [编辑本段]注意事项　　需要注意的是，上拉电阻太大会引起输出电平的延迟。（RC延时） 　　一般CMOS门电路输出不能给它悬空，都是接上拉电阻设定成高电平。 　　下拉电阻：和上拉电阻的原理差不多， 只是拉到GND去而已。 那样电平就会被拉低。 下拉电阻一般用于设定低电平或者是阻抗匹配(抗回波干扰)。　　上拉电阻阻值的选择原则包括: 　　1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；电阻大，电流小。 　　2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；电阻小，电流大。 　　3、对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑 　　以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理 下拉电阻 　　图中，上部的一个Bias Resaitor 电阻因为是接地，因而叫做下拉电阻，意思是将电路节点A的电平向低方向（地）拉。　　下拉电阻的主要作用是与上接电阻一起在电路驱动器关闭时给线路（节点）以一个固定的电平。 旁路电容 [编辑本段]定义　　可将混有高频电流和低频电流的交流信号中的高频成分旁路掉的电容，称做“旁路电容”。　　例如当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输出端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗小），而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大　　对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。　　~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ [编辑本段]去耦电容电路电源和地之间的有两个作用　　一方面是集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。　　~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ [编辑本段]旁路电容和去耦电容的区别和作用　　一般设计的板子上IC 的每个电源管脚附近都会放置一个电容作去耦电容，以减小电源阻抗？？那么此IC的某些高速信号是否会把此电容作为高频电流的旁路电容呢？　　请大侠详细解释一下旁路电容和去耦电容。　　我认为去耦电容和旁路电容没有本质的区别,电源系统的电容本来就有多种用途,从为去除电源的耦合噪声干扰的角度看,我们可以把电容称为去耦电容(Decoupling),如果从为高频信号提供交流回路的角度考虑,我们可以称为旁路电容(By-pass).而滤波电容则更多的出现在滤波器的电路设计里.电源管脚附近的电容主要是为了提供瞬间电流,保证电源/地的稳定,当然,对于高速信号来说,也有可能把它作为低阻抗回路,比如对于CMOS电路结构,在0->1的跳变信号传播时,回流主要从电源管脚流回,如果信号是以地平面作为参考层的话,在电源管脚的附近需要经过这个电容流入电源管脚.所以对于PDS(电源分布系统)的电容来说,称为去耦和旁路都没有关系,只要我们心中了解它们的真正作用就行了

6，旁路 去耦 电容

旁 路电容不是理论概念，而是一个经常使用的实用方法，在50 -- 60年代，这个词也就有它特有的含义，现在已不多用。电子管或者晶体管是需要偏置的，就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要求 加有负压，为了在一个直流电源下工作，就在阴极对地串接一个电阻，利用板流形成阴极的对地正电位，而栅极直流接地，这种偏置技术叫做“自偏”，但是对（交流）信号而言，这同时又是一个负反馈，为了消除这个影响，就在这个电阻上并联一个足够大的点容，这就叫旁路电容。后来也有的资料把它引申使用于类似情况。 我的理解： 旁路电容 跟 去耦电容应该都同属耦合电容的范畴，即让交流信号通过。 电容分基本上可为两大类： 耦合电容，储能电容。 从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电 流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就 是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。 去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。 旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是 0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。（转） 旁路与去偶（退偶）这两名词即有差异又有相似的含义。早些时旁路一词用得较多些，特指并联电路，可以是旁路电容、旁路电阻、旁路电感、旁路二极管 等。电路结构较简，单其作用主要是滤波与分流。而去藕是去除电路中有害的信号偶合交连现象，当然也有滤波的意思。由于电路偶合的复杂性 其干扰源可能以感应为主，也可能是压降为主，故要分别以多种方式处理。常说的公共接地端、公共节点、公共电源线等在考虑去藕时尤为重要。 电容:只要是电容:最终只有一个功能:储能(或是储存电荷) 用于旁路:是让有用信号容易通过........ （通过是指从电容的一脚到另一脚） 用于去耦:是让非有用的脉动能量通过（认真来说是：储存在电容里，并适时释放出来） 要让某一频率的波形／信号容易通过电容，就必须使这一波形／信号的能量无法完全填满电容这样的一个容器，当填满时，就无法通过了．． 至于能否填满电容这一容器，，，就得看频率（填／释的时间）有量了（能量的强弱，也就是常提的ＲＣ常数的Ｒ--------R对电荷有阻碍作用）． 作为旁路时，，要让有用的信号通过电容，，就要设置电路参数．．要让电容在信号有有效时间内填不满电荷（电容充满电的时间远大于信号周期）－－－－容量．．．．另一个就是限制能量强度，也就是串R了,,但串R有违旁路的目的, 作为去耦是一样的..只是对象不同.. 另:滤波/去耦/旁路之类的电容并不是越大越好, 如:一个很大的电源滤波电容,,储存容量是足够了,,,但是由于容量过大..刚通电瞬间，由于电容两端电压不能突变，所以整流管上和变压器上的负担很 大，如是后面的滤波电容过大，使输出电压上升过慢，导致变压器/整流管等长时间超负荷工作，会被损坏，或是引起过载保护等问题。（解决方法是合适减小滤波 电容或是采用开机电压慢升（也就是小电流让电容上建立正常电平后，再让电源进入工作状态） 又如：旁路电容过大，因为三极管（以典型共射极为例）建立正常的工作点后，E极电压设为2V，又设放大电路的输入低频非有用信号，使Ce上升为 2.2V，如在其后有个2.7V的高频有用信号来到，因Ce电荷过多，Re无法让Ce快速放电到静态电平，会使一个或更多个有用信号周期失真。 又如：去耦，当电容过大，由于退耦电阻的关系。。电压上升速度过慢。会使某些高要求电路复位不正常。而不能工作。 所以，不管是滤波，去耦，旁路。都要选择合适的RC常数，不要一味追求C过大，想着C越大，滤波/去耦/旁路效果就越好。真正理解RC常数这一个含义。 选电容（电感），除了看电压、电流，重要的还要看频率。在信号频率可以基本确定时，我都去计算容抗、感抗。 抄袭一个人的知识，被称为剽窃；抄袭大家的知识，就叫做研究了。总结一下： 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输 入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容，也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。 在电源和地之间也经常连接去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 本人是在电容器制造企业。对电容器的参能参数比较了解，对于它的应用了解不够广。 对于整机企业来说，在选购电容时，应考滤C 的容量大小、ESR（等效串联电阻）、漏电流（绝缘特性）、耐纹波电流IR、及频率特性。 望各位同行多多交流！ 去偶电容和 旁路电容 都是电容，区别在于用的地方 去偶电容常用于去掉直流与交流的混流，比如交流信号通过静态工作下的BJT电路放大后，要取出信号怎么办？就用电容断开直流，取用交流（信号）。此时的电容即为——去偶电容 旁路电容，通常是用来给交流信号“另开小灶”，即将交流信号从原电路中引流出来.因为电容对交流是低阻抗通道。故常在BJT的共射极组态中用旁路电容短接射极，以增大交流增益。 来个最形象易懂的 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。 对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。 在供电电源和地之间也经常连接去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于 10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效 果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的 结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取 0.01μF。
这三种叫法的电容，其实都是滤波的，只是应用在不同的电路中，叫法和用法不一样。 滤波电容，这是我们通常用在电源整流以后的电容，它是把整流电路交流整流成脉动直流，通过充放电加以平滑的电容，这种电容一般都是电解电容，而且容量较大，在微法级。 旁路电容，是把输入信号中的高频成份加以滤除，主要是用于滤除高频杂波的，通常用瓷质电容、涤纶电容，容量较小，在皮法级。 去耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象，去耦电容相当于电池，利用其充放电，使得放大后的信号不会因电流的突变而受干扰。它的容量根据信号的频率、抑制波纹程度而定。

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