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1，金属与半导体产生肖特基接触时的电流方向和原理是什么

正向电压时，势垒下降 热激发的电子从金属流入半导体，形成正向电流。反向时势垒不变 阻止电子从半导体进入金属。

金属与半导体产生肖特基接触时的电流方向和原理是什么

2，什么是肖特基势垒

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

什么是肖特基势垒

3，金属与半导体之间的接触势垒是什么

　肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

金属与半导体之间的接触势垒是什么

4，金属和半导体接触有哪些好处

欧姆接触，是指接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，大部分的电压降在于活动区而不在接触面。集成电路中金属引线将器件端接出全是欧姆接触。肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。可用于制作肖特基二极管。二者分别是通过选择不同功函数的金属和半导体来实现的。
在一定范围内，半导体的电阻随温度的升高而降低，金属导体的电阻随温度的升高而升高由于电流通过后要产热，两个按一定比例串联接入电路后，刚好互补，从而使电阻不随温度的变化而变化
金属与半导体接触有两种类型：一个是肖特基接触势垒，另一个是欧姆接触！一般的本征半导体和金属接触产生肖特基势垒，如果半导体有很高的掺杂浓度，则接触近似为欧姆接触。

5，什么叫欧姆接触和肖特基接触

所谓欧姆接触，是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的界面能障(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≥10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使界面空乏区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等结构。 欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线。如果电流-电压特性曲线不是线性的,这种接触便叫做肖特接触。

6，点接触二极管和肖特基二极管是什么关系

肖特基二极管的定义是金属-半导体势垒二极管，因此点接触检波二极管也是算肖特基二极管的一种。
肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4v左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。 肖特基二极管是以n型半导体为基片，在上面形成用砷作掺染剂的n一外延层。阳性（阻挡层）金属材料是钼。二氧化硅用来消除边缘区域电场，提高肖特基二极管的耐压值。n型基片掺杂浓度比n一层高100倍，具有很小的通态电阻。基片下部的n+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。 快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件，它具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器(pwm)、不间电源(ups)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr，其定义是：电流流过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定的值irr时的时间间隔，它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在p型、n型硅材料中间增加了基区i，构成p-i-n硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降， 使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6v，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。

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