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1，晶体管的Vgs是源极电压减基极电压吗

g和s是描述场效应管的，g是gate，s是sourse，Vgs表示栅源电压。

晶体管的Vgs是源极电压减基极电压吗

2，vgS是什么意思

VGS Video Graphics System 视频图形显示系统
vgs 是栅极和源极间电压。这个电压决定mos处于什么状态。

vgS是什么意思

3，为什么VgsVt

Rs，Rg1||Rg2都没有电流流过，相当于直通，因此Vgs + Vt = 0因此Vgs = -Vt
看是什么型号的莫斯科管，有的mos管vgs要大于4v才能导通，所以请需继续加大vgs电压即可导通！

为什么VgsVt

4，mos管vgs探头怎么接

夹子接S极探针接G极
pmos 管的vgs 同样也有正和负。mos 管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds 的耐压承受力。比如说+12v 是开启mos, -5v 是关闭mos。是不是你对地的概念有困惑？

5，在书上看到N沟道JFET的Vgs要小于等于0如果Vgs大于0会出现什

指的是开启电压，最小0.6V，最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
搜一下：在书上看到N沟道JFET的Vgs要小于等于0,如果Vgs大于0会出现什么情况,是不能导通还是管子会损坏?

6，关于场效应管Vgs和Vds电压的问题

导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。
当Vgs>=Vth时形成反型层，在gate下产生一个电荷分布均匀的沟道（简单理解就是gate底下聚集了一层被吸上来的电子）。但是此时drain和source之间没有电势差，电荷不会自己移动。当Vds>0时，电子从source迁移到drain，产生由drain到source到电流。当Vds>Vgs-Vth时，gate和沟道之间的电势差=Vgs-Vds<Vth,不足以支持反型层（吸引电子），沟道从drain处开始夹断。具体可参考拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》第二章。
是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。
是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的d极电压就是d极相对于地的电压。你所问的vds是指d极相对于s极的电压，也就是由原来的参考地改为以s作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。

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