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1，什么是P型半导体什么是N型半导体

根据PN结命名 PNP--P NPN--N
硅 锗 家电里NPN PNP
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体

什么是P型半导体什么是N型半导体

2，P型和N型半导体各是由什么材料制成

纯净半导体是由硅组成的，由于导电能力弱，因此掺杂另外的元素，成为掺杂半导体。N型半导体是用一个5价磷原子代替原来的四价硅原子，这样有4个电子与周围4个硅原子组成共价键后，剩余一个电子，因此形成以电子为多数载流子的N型半导体。同理，用三价铝原子代替硅原子，形成P性半导体

P型和N型半导体各是由什么材料制成

3，什么是I类半导体P型半导体和N型半导体

我把我知道的写下来吧！纯净半导体中参入受主杂质后，受主杂质电离，使空穴浓度增加，增强半导体的导电能力，把主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。 N型半导体同理
要区别n型半导体和p型半导体，方法很多。简单而直接的快速方法就是采用热探针法（由热电动势的符合来判断）；复杂一些的是采用hall效应测量法（由hall系数的正负来判断）。

什么是I类半导体P型半导体和N型半导体

4，P型和N型的半导体在有机和无机中定义相同不

P型和N型半导体都只涉及到无机化学，只有一种意思，不管在有机化学还是在无机化学中。P型半导体：在本征半导体中掺入了硼，铝这类元素形成。N型半导体：在本征半导体中掺入了氮，磷等元素。
半导体的导电能力（电导率），决定于载流子浓度、载流子迁移率和电荷量的乘积。对于"掺入相同数量杂质的p型半导体和n型半导体"来说，在杂质完全电离的情况下，两者的载流子浓度和电荷量是相同的。但n型半导体的载流子主要是电子，p型半导体的载流子主要是空穴，电子的迁移率大于空穴的迁移率。所以，"n型导电能力强"。

5，半导体制冷什么n型p型半导体是什么意思

半导体理论比较深奥，枯燥和抽象，你看了可能乏味，所以只能简单告诉你。自然界中能导电的物质称为导体，如金属、石墨等；不能导电的物质称为绝缘体，如玻璃、陶瓷等；处于两者之间的物质，称为半导体，如锗、硅、砷化镓等。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，形成主要靠自由电子导电的是N型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代硅晶格中硅原子的位置，就形成了主要靠空穴导电的是P型半导体。
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。把一块半导体的一边制成p型区，另一边制成n型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为pn结。图中上部分为p型半导体和n型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为pn结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为pn结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

6，解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结

1、P型半导体：又称空穴型半导体，其内部空穴数大于自由电子数，即空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。例如在硅材料中加入三价元素硼，就形成了P型半导体。 2、N型半导体：又称电子型半导体，其内部自由电子数大于空穴数，即自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。例如在硅材料中加入五价元素磷，就形成了N型半导体。 3、PN结：在硅或锗单晶基片上，加工成P型区和相邻的N型区，其P型区和N型区相结合的部位有一个特殊的薄层，这个薄层就称为PN结。PN结具有单向导电性。
半导体受到外界能量激发（比如光），或者经过掺杂以后，会产生能够自由移动的电子或者空穴（能带理论），这些称为载流子。载流子为电子的半导体成为N型半导体，载流子为空穴的称为P型半导体。当P型半导体和N型半导体接在一起的时候，由于一边缺少电子另一边缺少空穴，电子和空穴就会自发的相对扩散，这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场，随着扩散的进行，这个电场越来越强，直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡，这样就形成了稳定的结区，我们称他为PN结。

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