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1，第AVA元素组成的化合物GaNGaPGaAs等是人工合成的新

Ⅰ（1） （2）AC（3）非极性分子 sp 2Ⅱ（1） 6（2） 略

第AVA元素组成的化合物GaNGaPGaAs等是人工合成的新

2，我国第三代半导体材料遇到了什么瓶颈

以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。

我国第三代半导体材料遇到了什么瓶颈

3，15分 砷化镓为第三代半导体以其为材料制造的灯泡寿命长耗能

（15分）（1）BC （2分）（2）（CH 3 ） 3 Ga + AsH 3 GaAs + 3CH 4 （3分）（3）三角锥. （2分） sp 2 （2分）（4）铜是金属晶体，由金属阳离子和自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动（2分） ［Ar］3d 9 或1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 9 （2分）（5）离子键，（1分） 配位键 （1分） 略

15分 砷化镓为第三代半导体以其为材料制造的灯泡寿命长耗能

4，LED是什么

LED在电子行业的术语为发光二极管，也就是我们所说的灯，广泛用于电子电路上面作为电源有没通电的显示。
如果是电子元器件的话，就是指发光二极管 如果是家电的话，是液晶屏，如液晶显示器，液晶电视机 CRT是指显像管的显示器
是发光二极管，现在为了节约能源一般室外照明都用LED。
就是发光二极管呀
LED Light Emitting Diode(发光二极管)的缩写。是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 广泛见于日常生活中,如家用电器的指示灯,汽车 后防雾灯等。LED的最显著特点是使用寿命长,光电转换效能高。 LED模块 LED排列成矩阵或笔段,预制成标准大小的模块。

5，化学物质的结构与性质砷化镓属于第三代半导体它能直接将电能

（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误； B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B正确； C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确； D．砷和镓的价层电子都为sp电子，位于周期表p区，故D正确； E．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故E正确； 故答案为：BCDE； （2）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH4，反应的化学方程式为：（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4，AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化， 故答案为：（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4；三角锥；sp2； （3）Ga的原子序数为31，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1， 故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1； （4）N原子半径较小，电负性较大，对应的NH3分子间能形成氢键，沸点较高，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低， 故答案为：NH3分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键．
（1）as是35号元素，属于主族元素，其最外层电子就是其价电子，所以as基态原子的价电子排布式：4s24p3，故答案为：4s24p3；（2）同一周期元素中，元素的电负性随着原子序数的增大而增大，第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第va族元素第一电离能大于相邻元素，ga属于第iva族、as属于第va族，所以as的第一电离能比ga的大，as的电负性比ga的大，故答案为：大；大；（3）氨气分子间形成氢键，氢键的存在导致氨气的沸点最高，砷化氢的相对分子质量大于磷化氢，分子间作用力大，所以砷化氢的沸点比磷化氢的高，则这几种氢化物的沸点高低顺序是：nh3＞ash3＞ph3，故答案为：nh3＞ash3＞ph3；氨气分子间形成氢键，沸点最高，砷化氢的相对分子质量比磷化氢大，分子间作用力大，所以砷化氢的沸点比磷化氢高；（4）gaas的晶体结构与单晶硅相似，根据硅晶体结构知，在gaas晶体中，每个ga原子与4个as原子相连，与同一个ga原子相连的as原子构成的空间构型为正四面体，gaas的晶体结构和硅晶体相似，则晶体类型相似，所以gaas属于原子晶体，故答案为：4；正四面体；原子；（5）根据元素守恒知，另外一种生成物是ch4，根据反应物、生成物及反应条件知，其反应方程式为：（ch3）3ga+ash3 700℃ . gaas+3ch4， （ch3）3ga为非极性分子，（ch3）3ga中ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，故答案为：（ch3）3ga+ash3 700℃ . gaas+3ch4；sp2．

6，关于发光二极管LED

LED Lamp(led 灯)主要由支架、银胶、晶片、金线、环氧树脂五种物料所组成。
楼上的多是专家。现在国际照明大力向LED发展，就是LED环保节能。性
发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。 发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算：R＝（E－UF）／IF式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的一般工作电流。发光二极管的两根引线中较长的一根为正极，应按电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长，但管壳上有一凸起的小舌，靠近小舌的引线是正极。
LED 是英文Light Emitting Diode 的简称，是一种具有两个电极的半导体发光器件，让其流过小量电流就会发出可见光，第一个商用二极管产生于 1960 年。它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED 的抗震性能好。 发光二极管的核心部分是由p 型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n 结。在某些半导体材料的PN 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。 当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。
就是发光用的
导体发光二极管(LED)作为第三代半导体照明光源。这种产品具有很多梦幻般优点：(1)光效率高：光谱几乎全部集中于可见光频率，效率可以达到80%-90%。而光效差不多的白炽灯可见光效率仅为10%-20%。(2)光线质量高：由于光谱中没有紫外线和红外线，故没有热量，没有辐射，属于典型的绿色照明光源。(3)能耗小：单体功率一般在0.05-1w，通过集群方式可以量体裁衣地满足不同的需要，浪费很少。以其作为光源，在同样亮度下耗电量仅为普通白炽灯的1/8-10。(4)寿命长：光通量衰减到70%的标准寿命是10万小时。一个半导体灯正常情况下可以使用50年，即使长命百岁的人，一生最多也就用2只灯。(5)可靠耐用：没有钨丝、玻壳等容易损坏的部件，非正常报废率很小，维护费用极为低廉。(6)应用灵活：体积小，可以平面封装，易开发成轻薄短小的产品，做成点、线、面各种形式的具体应用产品。(7)安全：单位工作电压大致在1.5-5v之间，工作电流在20-70mA之间。(8)绿色环保：废弃物可回收，没有污染，不像荧光灯一样含有汞成分。(9)响应时间短：适应频繁开关以及高频运作的场合。

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