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1,晶闸管是什么原理

PLC = Programmable Logic Controller,可编程逻辑控制器,一种数字运算操作的电子系统,专为在工业环境应用而设计的。它采用一类可编程的存储器,用于其内部存储程序,执行逻辑运算,顺序控制,定时,计数与算术操作等面向用户的指令,并通过数字或模拟式输入/输出控制各种类型的机械或生产过程。是工业控制的核心部分。 它主要用来代替继电器实现逻辑控制。随着技术的发展,这种采用微型计算机技术的工业控制装置的功能已经大大超过了逻辑控制的范围,因此,今天这种装置称作可编程控制器,简称PC。但是为了避免与个人计算机(Personal Computer)的简称混淆,所以将可编程序控制器简称PLC,plc自1966年美国数据设备公司(DEC)研制出现,现行美国,日本,德国的可编程序控制器质量优良,功能强大。

晶闸管是什么原理

2,晶闸管工作原理

晶闸管是一种大功率的整流元件,它的整流电压可以控制,当供给整流电路的交流电压一定时,输出电压能够均匀调节,它是一个四层三端的半导体器件。 在整流电路中,晶闸管在承受正向电压的时间内,改变触发脉冲的输入时刻,即改变控制角的大小,在负载上可得到不同数值的直流电压,因而控制了输出电压的大小。 晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。 使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值,即维持电流IH一下。其方法有二: 1、减小正向阳极电压至一个数值一下,或加反向阳极电压。 2、增加负载回路中的电阻。

晶闸管工作原理

3,谁能介绍一下晶闸管越详细越好

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。   晶闸管的工作条件:   1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。   2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。   3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。   4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。

谁能介绍一下晶闸管越详细越好

4,晶闸管的原理及特性

晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管T在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。  晶闸管的工作条件:  ⒈ 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态  ⒉ 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性.  ⒊ 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用  ⒋ 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
软起动器实际上是一个晶闸管交流调压器。改变晶闸管的触发角,就可调节晶闸管调压电路的输出电压。在整个起动过程中,软起动器的输出是一个平滑的升压过程(且可具有限流功能),直到晶闸管全导通,电机在额定电压下工作

5,请问晶闸管的作用是什么其工作原理是什么

作用:可控的导电开关,与二极管相比,不同之处是正向导通首控制极电流控制。工作原理: 在整流电路中,晶闸管在承受正向电压的时间内,改变触发脉冲的输入时刻,即改变控制角的大小,在负载上可得到不同数值的直流电压,因而控制了输出电压的大小。 晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。补充:晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中,是典型的小电流控制大电流的设备。1957年,美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品,并于1958年使其商业化。
晶闸管又叫可控硅,有阳极、阴极和控制极,其内有四层pnpn半导体,三个pn结。控制极不加电压时,阳极(+)、阴极(-)间加正向电压不导通,阴极(+)、阳极(-)间加反向电压也不导通,分别称为正向阻断和反向阻断。阳极(+)、阴极(-)加正向电压,控制极(+)、阴极(-)加一电压触发,可控硅导导通,此时控制极去除触发电压,可控硅仍导通,称为触发导通。要想关断(不导通),只要电流小于维持电流就行了,去除正向电压也能关断。
晶闸管的作用在不同的电路中有所不同,但主要是作为可快速开通的电子开关来使用。其原理是通过低电压小功率门极控制高电压大功率的阳极和阴极的开通和关断。晶闸管是半控器件,可以控制开通,但不能控制关断。关断由主回路电流过零决定。所以一般用在交流回路中。
晶闸管可以简单地比作一个电子开关,它可以用小电流控制大电流的通断。它的工作原理是不能一两句话说清楚的。但也可以这么描述:它是一个四层三端半导体元件,其内部可以等效为一两个正反馈相连的三极管,当在它的门极与阴极之间加正向控制信号时,通过内部的正反馈,在阳极与阴极间迅速流过一个大电流而导通,并使门极失去控制作用。它的关断是当其间电流减小到零,或者使其阴阳二极间突加反压,均可使其关断。所以,晶闸管是一个半控器件。

6,晶闸管的基本原理和动态特性是什么

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。 晶闸管的工作条件: 1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。 2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。 4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。 晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2 当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。 设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0, 晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和: Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0 若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig 从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式 硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。 当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。 式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。 在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。
锂电池是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。最早出现的锂电池来自于伟大的发明家爱迪生,使用以下反应:li+mno2=limno2该反应为氧化还原反应,放电。由于锂金属的化学特性非常活泼,使得锂金属的加工、保存、使用,对环境要求非常高。所以,锂电池长期没有得到应用。现在锂电池已经成为了主流。锂电池是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。最早出现的锂电池使用以下反应:li+mno?=limno?,该反应为氧化还原反应,放电。 正极上发生的反应为 licoo?=充电=li?-xcoo?+xli++xe(电子) 负极上发生的反应为 6c+xli++xe=====lixc6 电池总反应:licoo?+6c=li1-xcoo?+lixc6 锂电池材料 锂电池负极材料大体分为以下几种: 第一种是碳负极材料: 目前已经实际用于锂离子电池的负极材料基本上都是碳素材料,如人工石墨、天然石墨、中间相碳微球、石油焦、碳纤维、热解树脂碳等。 第二种是锡基负极材料: 锡基负极材料可分为锡的氧化物和锡基复合氧化物两种。氧化物是指各种价态金属锡的氧化物。目前没有商业化产品。 第三种是含锂过渡金属氮化物负极材料,目前也没有商业化产品。 第四种是合金类负极材料: 包括锡基合金、硅基合金、锗基合金、铝基合金、锑基合金、镁基合金和其它合金 ,目前也没有商业化产品。 第五种是纳米级负极材料:纳米碳管、纳米合金材料。 第六种纳米材料是纳米氧化物材料:目前合肥翔正化学科技有限公司根据2009年锂电池新能源行业的市场发展最新动向,诸多公司已经开始使用纳米氧化钛和纳米氧化硅添加在以前传统的石墨,锡氧化物,纳米碳管里面,极大的提高锂电池的冲放电量和充放电次数。 编辑本段锂电池的特点 锂电池主要优点 1、能量比比较高。具有高储存能量密度,目前已达到460-600wh/kg,是铅酸电池的约6-7倍; 2、使用寿命长,使用寿命可达到6年以上,磷酸亚铁锂为正极的电池1c(100%dod)充放电,有可以使用10,000次的记录; 3、额定电压高(单体工作电压为3.7v或3.2v),约等于3只镍镉或镍氢充电电池的串联电压,便于组成电池电源组; 4、具备高功率承受力,其中电动汽车用的磷酸亚铁锂锂离子电池可以达到15-30c充放电的能力,便于高强度的启动加速; 5、自放电率很低,这是该电池最突出的优越性之一,目前一般可做到1%/月以下,不到镍氢电池的1/20; 6、重量轻,相同体积下重量约为铅酸产品的1/5-6; 7、高低温适应性强,可以在-20℃--60℃的环境下使用,经过工艺上的处理,可以在-45℃环境下使用; 8、绿色环保,不论生产、使用和报废,都不含有、也不产生任何铅、汞、镉等有毒有害重金属元素和物质。 9、生产基本不消耗水,对缺水的我国来说,十分有利。 比能量指的是单位重量或单位体积的能量。比能量用wh/kg或wh/l来表示。wh是能量的单位,w是瓦、h是小时;kg是千克(重量单位),l是升(体积单位)。 锂电池的缺点: 1、锂原电池均存在安全性差,有发生爆炸的危险。 2、钴酸锂的锂离子电池不能大电流放电,安全性较差。 3、锂离子电池均需保护线路,防止电池被过充过放电。 4、生产要求条件高,成本高。

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