epitaxy，有谁知道台湾璨圆晶片是用什么字母表示的

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1，有谁知道台湾璨圆晶片是用什么字母表示的
2，管道材料美标标准中代码的意思
3，何为磊晶硅
4，发光二极管Light Emitted Diode的发光原理是怎样的
5，LED芯片是什么东西
6，双极性晶体管的结构

1，有谁知道台湾璨圆晶片是用什么字母表示的

FE( Formosa Epitaxy )

2007年3月22日,台湾LED制造商璨圆光电( Formosa Epitaxy )

有谁知道台湾璨圆晶片是用什么字母表示的

2，管道材料美标标准中代码的意思

LPE:线型聚乙烯.全称：liquid phase epitaxy。L的英文单词是：liquid。SCRD： screwed螺纹 SW： socket welding 承插焊

管道材料美标标准中代码的意思

3，何为磊晶硅

磊晶（英语：Epitaxy），是指一种用於半导体器件制造过程中，在原有晶片上长出新结晶，以制成新半导体层的技术。该技术又称磊晶成长（Epitaxial Growth）；或指以磊晶技术成长出的结晶，有时可能也概指以磊晶技术制作的晶粒。磊晶即是在硅片上长出新结晶

不明白啊 = =！

何为磊晶硅

4，发光二极管Light Emitted Diode的发光原理是怎样的

LED原理-发光二极体(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末于实验室发展出来，1968年HP开始商业化量产，早期只有单调的暗红色电子产品指示灯(Lamp，见图一左)，1992年 Nichia突破蓝光LED技术障碍后，逐渐衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，并以显示器(Display)、表面黏着型(SMD等各种封装型态深入生活中各个层面。LED是利用电能直接转化为光能的原理，在半导体内正负极2个端子施加电压，当电流通过，使电子与电洞相结合时，剩余能量便以光的形式释放，依其使用的材料的不同，其能阶高低使光子能量产生不同波长的光，人眼所能接受到各种颜色的光，如图二横座标所示，其波长介于400-780nm，在此区间之外则为不可见光，包括红外光及紫外光(UV)。多数LED被称为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)与Ⅲ族元素(铝Al、镓Ga、铟In等)结合而成，以与IC半导体所使用之硅(Si)等Ⅳ族元素区别。传统液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 与气相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，以磷化镓(GaP)或砷化镓(GaAs)为基板，用于生产中低亮度LED及红外光IrDa晶粒，其亮度在1烛光(1000mcd)以下。有机金属气相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用于生产高亮度LED，其亮度约在6000-8000mcd。以AlGaInP四种元素为发光层材料在砷化镓基板上磊晶者，发出红、橙、黄光之琥珀色系，通称为四元LED；以GaN为材料所生产的蓝、绿光LED，则称为氮化物LED，一般以蓝宝石(Sapphire)为基板，美国大厂CREE 则发展出以碳化硅(SiC)为基板的制程。

LED为通电时可发光的电子元件，是半导体材料制成的发光元件，材料使用III-V族化学元素（如：磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等），发光原理是将电能转换为光，也就是对化合物半导体施加电流，透过电子与电洞的结合，过剩的能量会以光的形式释出，达成发光的效果，属于冷性发光，寿命长达十万小时以上。LED最大的特点在于：无须暖灯时间(idling time)、反应速度很快(约在10^-9秒)、体积小、用电省、污染低、适合量产，具高可靠度，容易配合应用上的需要制成极小或阵列式的元件，适用范围颇广，如汽车、通讯产业、电脑、交通号志、显示器等。LED又可以分成上、中、下游。从上游到下游，产品在外观上差距相当大。上游是由磊晶片形成，这种磊晶片长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，就像是一个平面金属一样。LED发光颜色与亮度由磊晶材料决定，且磊晶占LED制造成本70%左右，对LED产业极为重要。上游磊晶制程顺序为：单晶片(III-V族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。

5，LED芯片是什么东西

根据您的提问，简单地讲：　它也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，其主要功能是：把电能转化为光能，主要材料为单晶硅。　　led芯片的分类　　用途：根据用途分为大功率led芯片、小功率led芯片两种；　　颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；　　形状：一般分为方片、圆片两种；　　大小：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等

1.MB芯片定义与特点定义﹕ MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品特点﹕ 1、采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易. Thermal Conductivity GaAs: 46 W/m-K GaP: 77 W/m-K Si: 125 ～ 150 W/m-K Cupper:300~400 W/m-k SiC: 490 W/m-K 2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收. 3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。 4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热 5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB 2.GB芯片定义和特点定义﹕ GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品特点﹕ 1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底. 2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图 3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil) 4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片 3.TS芯片定义和特点定义﹕ TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。特点﹕ 1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED 2. 信赖性卓越 3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高 4.应用广泛 4.AS芯片定义与特点定义﹕ AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等特点﹕ 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮 2. 信赖性优良 3. 应用广泛发光二极管芯片材料磊晶种类 1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP 2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs 3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN 4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs 5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs 6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

6，双极性晶体管的结构

一个双极性晶体管由三个不同的掺杂半导体区域组成，它们分别是发射极区域、基极区域和集电极区域。这些区域在NPN型晶体管中分别是N型、P型和N型半导体，而在PNP型晶体管中则分别是P型、N型和P型半导体。每一个半导体区域都有一个引脚端接出，通常用字母E、B和C来表示发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。基极的物理位置在发射极和集电极之间，它由轻掺杂、高电阻率的材料制成。集电极包围着基极区域，由于集电结反向偏置，电子很难从这里被注入到基极区域，这样就造成共基极电流增益约等于1，而共射极电流增益取得较大的数值。从右边这个典型NPN型双极性晶体管的截面简图可以看出，集电结的面积大于发射结。此外，发射极具有相当高的掺杂浓度。在通常情况下，双极性晶体管的几个区域在物理性质、几何尺寸上并不对称。假设连接在电路中的晶体管位于正向放大区，如果此时将晶体管集电极和发射极在电路中的连接互换，将使晶体管离开正向放大区，进入反向工作区。晶体管的内部结构决定了它适合在正向放大区工作，所以反向工作区的共基极电流增益和共射极电流增益比晶体管位于正向放大区时小得多。这种功能上的不对称，根本上是缘于发射极和集电极的掺杂程度不同。因此，在NPN型晶体管中，尽管集电极和发射极都为N型掺杂，但是二者的电学性质和功能完全不能互换。发射极区域的掺杂程度最高，集电极区域次之，基极区域掺杂程度最低。此外，三个区域的物理尺度也有所不同，其中基极区域很薄，并且集电极面积大于发射极面积。由于双极性晶体管具有这样的物质结构，因此可以为集电结提供一个反向偏置，不过这样做的前提是这个反向偏置不能过大，以致于晶体管损坏。对发射极进行重掺杂的目的是为了增加发射极电子注入到基极区域的效率，从而实现尽量高的电流增益。在双极性晶体管的共射极接法里，施加于基极、发射极两端电压的微小变化，都会造成发射极和集电极之间的电流发生显著变化。利用这一性质，可以放大输入的电流或电压。把双极性晶体管的基极当做输入端，集电极当做输出端，可以利用戴维南定理分析这个二端口网络。利用等效的原理，可以将双极性晶体管看成是电压控制的电流源，也可以将其视为电流控制的电压源。此外，从二端口网络的左边看进去，基极处的输入阻抗减小到基极电阻的，这样就降低了对前一级电路的负载能力的要求。 NPN型晶体管是两种类型双极性晶体管的其中一种，由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压，则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。NPN型双极性晶体管的电学符号如右图，基极和发射极之间的箭头指向发射极。双极性晶体管的另一种类型为PNP型，由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。在双极性晶体管电学符号中，基极和发射极之间的箭头指向电流的方向，这里的电流为电子流动的反方向。与NPN型相反，PNP型晶体管的箭头从发射极指向基极。异质结双极性晶体管（heterojunction bipolar transistor）是一种改良的双极性晶体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种晶体管可以处理频率高达几百GHz的超高频信号，因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛刻的应用。异质结是PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即发射极区域采用宽禁带材料，基极区域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓（GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷固溶体（AlxGa1-xAs）制造发射极区域。采用这样的异质结，双极性晶体管的注入效率可以得到提升，电流增益也可以提高几个数量级。采用异质结的双极性晶体管基极区域的掺杂浓度可以大幅提升，这样就可以降低基极电极的电阻，并有利于降低基极区域的宽度。在传统的双极性晶体管，即同质结晶体管中，发射极到基极的载流子注入效率主要是由发射极和基极的掺杂比例决定的。在这种情况下，为了得到较高的注入效率，必须对基极区域进行轻掺杂，这样就不可避免地使增大了基极电阻。如左边的示意图中，代表空穴从基极区域到达发射极区域跨越的势差；而则代表电子从发射极区域到达基极区域跨越的势差。由于发射结具有异质结的结构，可以使，从而提高了发射极的注入效率。在基极区域里，半导体材料的组分分布不均，造成缓变的基极区域禁带宽度，其梯度为以表示。这一缓变禁带宽度，可以为少数载流子提供一个内在电场，使它们加速通过基极区域。这个漂移运动将与扩散运动产生协同作用，减少电子通过基极区域的渡越时间，从而改善双极性晶体管的高频性能。尽管有许多不同的半导体可用来构成异质结晶体管，硅-锗异质结晶体管和铝-砷化镓异质结晶体管更常用。制造异质结晶体管的工艺为晶体外延技术，例如金属有机物气相外延（Metalorganic vapour phase epitaxy, MOCVD）和分子束外延。

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