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1，EVE 聚焦阳极中型离子束I 怎么制造

那是衍生装备，只能打怪掉落，无法制造该衍生系列中，只有衍生一的装备（聚焦中型集束激光器）和T2装备（聚焦中型集束激光器Ⅱ）及故事线装备可以由玩家制造。
衍生装备只能打怪掉落世界服版本中会取消衍生等级但是蓝图依然是只有T1的，这件装备还是无法制造的再看看别人怎么说的。

EVE 聚焦阳极中型离子束I 怎么制造

2，fib聚焦离子束和sem设备的区别

注: 并非用Ga+才叫FIB(In, Au.AsPd2),只是大多数商用FIB都是用Ga,因为-?(整理好在写).Focused(聚焦): 将离子束聚焦Ion(离子): Ga --- Ga+Beam(束):很多离子往同一路径(方向)移动________________________________________聚焦太阳光(光束)。
那要看你要国产的还是外国的。。。。

fib聚焦离子束和sem设备的区别

3，FIB是什么组织

FIB(聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。 是什么组织我不知道。您看看这对你有没有帮助
美国联邦调查局 (Federal Bureau of Investigation，简称FBI)，

FIB是什么组织

4，什么叫反应离子束刻蚀

离子束刻蚀 离子束刻蚀以离子束为刻饰手段达到刻饰目的的技术，其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束最小直径约10nm，离子束刻蚀的结构最小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，最少的达到10nm，获得最小线宽12nm的加工结果。相比电子与固体相互作用，离子在固体中的散射效应较小，并能以较快的直写速度进行小于50nm的刻饰，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。但是，在离子束加工过程中，损伤问题比较突出，且离子束加工精度还不容易控制，控制精度也不够高。
虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

5，聚焦离子束系统与扫描电子显微镜各有哪些功能和特点

一．扫描电镜的特点能够直接观察样品表面的结构，样品的尺寸可大至120mm×80mm×50mm。样品制备过程简单，不用切成薄片。样品可以在样品室中作三度空间的平移和旋转，因此，可以从各种角度对样品进行观察。景深大，图象富有立体感。扫描电镜的景深较光学显微镜大几百倍，比透射电镜大几十倍。图象的放大范围广，分辨率也比较高。可放大十几倍到几十万倍，它基本上包括了从放大镜、光学显微镜直到透射电镜的放大范围。分辨率介于光学显微镜与透射电镜之间，可达3nm。电子束对样品的损伤与污染程度较小。在观察形貌的同时，还可利用从样品发出的其他信号作微区成分分析。二．扫描电镜的用途显微结构的分析纳米尺寸的研究铁电畴的观测
搜一下：聚焦离子束系统与扫描电子显微镜各有哪些功能和特点

6，聚焦离子束的工作原理

液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图1所示在源制造过程中，将直径0.5mm左右的钨丝经过电化学腐蚀成尖端直径只有5－10μm的钨针，然后将熔融的液态金属粘附在钨针尖上，在外加强电场后，液态金属在电场力作用下形成一个极小的尖端（泰勒锥），液态尖端的电场强度可高达1010V/m。在如此高的电场下，液态表面的金属离子以场蒸发的形式逸出表面，产生离子束流。由于液态金属离子源的发射面积极小，尽管只有几微安的离子电流，但电流密度约可达106A/cm2，亮度约为20μA/sr。聚焦离子束系统聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割技术，目前商用FIB系统的粒子束是从液态金属离子源中引出。由于镓元素具有低熔点、低蒸汽压以及良好的抗氧化力，因而液态金属离子源中的金属材料多为镓（Gallium，Ga）[3、4]。图2给出了聚焦离子束系统结构示意图。在离子柱顶端外加电场（Suppressor）于液态金属离子源，可使液态金属或合金形成细小尖端，再加上负电场（Extractor）牵引尖端的金属或合金，从而导出离子束，然后通过静电透镜聚焦，经过一连串可变化孔径（Automatic Variable Aperture，AVA）可决定离子束的大小，而后用E×B质量分析器筛选出所需要的离子种类，最后通过八极偏转装置及物镜将离子束聚焦在样品上并扫描，离子束轰击样品，产生的二次电子和离子被收集并成像或利用物理碰撞来实现切割或研磨。

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