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1，自由电子与空穴在三极管内会不会结合

当然会结合了只要有自由电子和空穴就会发生复合。

自由电子与空穴在三极管内会不会结合

2，空穴导电与电子导电有什么不同

一个用小&&穴导电 一个在里面导

空穴导电与电子导电有什么不同

3，半导体中电子和空穴运动的区别pn结电流方程中理想因子怎么用实

电子和空穴的运动其实都是电子在运动，空穴的运动其实就是和电子的相对运动和电流类似，就空穴来说，我们说的空穴的运动就是电子反方向运动的结果区别就在于，谁是多出来的，多出来的是电子么，就是电子流了，多出来的是空穴么，虽然是电子在运动，但我们称之为空穴流
你好！当m=1时代表扩散电流，m=2时代表复合电流，m的值怎么用实验测量出来？描述m=(q/kT)*(dV/d(lnI))， q/kT是常数，dV/d(lnI)可以通过PN结的IV如有疑问，请追问。

半导体中电子和空穴运动的区别pn结电流方程中理想因子怎么用实

4，什么叫电子空穴气

?说的是二维电子气么？这是在异质结才会出现的现象，由于形成PN的两种材料不同，功函数不会相同，在交界面出的能带不会像同种材料形成的PN结能带那样平滑,而是会出现尖峰，和能谷。在能谷中的电子（活价带中空穴）便被限制在了这个能谷中，并且运动方向只能是二维的（图中只能上下，前后两个方向，不能左右），因此叫二维电子气。在该能谷中，根据深度的不同会聚集不同数量的电子，一般都会很大的。关于应用举个例子吧：HEMT晶体管就是用二维电子气才实现的，高速度。因为二维电子气是形成在交界面附近（几个纳米吧）某一侧的，如果该侧是不参杂的材料，那样就能避免了半导体中最讨厌的杂质散射了。电子多，散射少，当然速度快咯！

5，自由电子与空穴的复合 中复合是什么意思

指产生空穴和电子的PN结物质回到原来状态。（电子将空穴填上，电荷中和）　　PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，冶金结界面。　　在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处出现电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电（自由电子）的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电（空穴）的杂质离子。在正负电荷之间的相互作用下，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。当移动和达到动态平衡时。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。　　在给PN结加载正向电压形成回路后，回路中的电子并不是直接流经PN结形成回路。而是P区电子经过外部回路到达N区将N区的电子将空穴填上（复合）。而PN结由于电子和空穴的减少平衡被打破，内部载流子的扩散运动自行增强，产生新的自由电子和空穴维持平衡。
1）：你所说的“能级”是“能带理论”。能带理论中只有两个能级可以导电，一个是导带，一个是价带。价带和导带中间叫做禁带，禁带里是不允许有电子或者空穴存在的。禁带的禁也就是这个意思。2） 电子运动都是在导带运动的，空穴运动都是在价带。如果电子跑到价带，就会和空穴复合。这时的能量变化是通过光发射出去，这就是发光二极管的原理。3）不是说金属的电子连续，而是说金属的导带和价带重合在一起，你也可以说只有导带没有价带，所以金属中只有电子运动，没有空穴运动。4）如果你是指金属和半导体接触的话，金属中的电子和半导体中的空穴是会复合的，能量差以发光的形式发出。但是前提条件是你如何把金属的电子搞到半导体的导带去呢？对于金属和gan接触是可能的，但是对于金属和硅接触是可能性不大的。

6，电子导电和空穴导电有什么区别

块不含有杂质的、品格完整的半导体叫做本征半导体。因为它品格完整，如果有一个电子从共价键中释放出来，必定留下一个空众。所以本征半导体中电子和空众总是成对地出现，它们的数日相等，称为电子一空穴对。在常温下，由于热运动的结果，在本征半导体中会产生一定数量的电子一空穴对，形成电子流和空穴流，总的电流是两者之和。如没有外界电场作用，电子和空穴的这种运动是杂乱无章的，电子流和空穴流方向也是不定的，结果互相抵消，没有净电流出现。但在电场作用下，这种半导体两端就出现电压，电子向正端方向运动，空穴向负端方向运动，形成了定向电流，半导体内就产生电流了。本征半导体因电场作用而产生的导电现象就叫本征导电。 通常，我们很少见到本征半导体，大多遇到的都是P型半导体或N型半导体 前面说过，半导体中加进了杂质，电阻率就大大降低。这是因为加进杂质后，空穴和电子的数目会大大增加。例如，在锗晶休中掺入很少一点三价元素铟，由于铟的价电子只有三个，渗入锗晶体后，它的三个价电子分别和相邻的三个锗原子的价电子组成共价键，而对相邻的第四个锗原子，它没有电于拿出来和这个锗原子“共有”了，这就留下了一个空穴(见图1一3(c))。因为掺入了少量的杂质铟，就会出现很多空穴；这是因为即使是少量的，里面含有的原子数目却不少。杂质半导体中空穴和电子数目不相等，在电场作用下，空穴导电是主要的，所以叫空穴型半导体或者说是P型半导体。换句话说，P型或空穴型半导体内是有剩余空穴的，掺入的杂质提供了剩余空穴。在P型半导体中，空穴是多数，所以称空穴为多数载流子；电子数目少，就叫少数裁流子。渗入的杂质能产生空穴接受电子，我们叫这种杂质为受主杂质。 如果把五价元素砷掺入锗晶体中，砷原子中有5个价电于，它和四个锗原子的价电子组成共价键后，留下一个剩余电子，这个剩余电子就在晶体中到处游荡，在外电场作用下形成定向电子流。掺入少量的砷杂质就会产生大量的剩余电子，所以称这种半导体为电子型半导体或N型半导体。在这种半导体中有剩余电子，这时电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。因为砷是施给剩余电子的杂质，所以叫做施主杂质。

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