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1，与非门的内部电路图

这是hd74ls10p三输入与非门芯片的内部电路：

与非门的内部电路图

2，与非门和或非门的原理

与非门（英语：NAND gate）是数字电路的一种基本逻辑电路。若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）；若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）。与非门可以看作是与门和非门的叠加。或非门（英语：NOR gate）是数字逻辑电路中的基本元件，实现逻辑或非功能。有多个输入端，1个输出端，多输入或非门可由2输入或非门和反相器构成。只有当两个输入A和B为低电平（逻辑0）时输出为高电平（逻辑1）。也可以理解为任意输入为高电平（逻辑1），输出为低电平（逻辑0）。

与非门和或非门的原理

3，如图所示是由与门或门和非门三个基本逻辑电路组成的

C AB00“或门”则输出0，C0“非门”输出1。最终“与门”输出0 AB00“或门”则输出0，C1“非门”输出0。最终“与门”输出0 AB01“或门”则输出1，C0“非门”输出1。最终“与门”输出1 AB01“或门”则输出1，C1“非门”输出0。最终“与门”输出0 AB10“或门”则输出1，C0“非门”输出1。最终“与门”输出1 AB10“或门”则输出1，C1“非门”输出0。最终“与门”输出0 AB11“或门”则输出1，C0“非门”输出1。最终“与门”输出1 AB11“或门”则输出1，C1“非门”输出0。最终“与门”输出0所以C对。
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如图所示是由与门或门和非门三个基本逻辑电路组成的

4，m1 2 4 7与非与非门怎么连电路图

百度SN74LS00N数据手册可以立马看到该器件的手册。可以知道该器件实际是由4个与非门组成的。对应的每个管脚的含义也就知道了，一号脚的位置参考器件身上半圆形所朝的方向，背部mark是SN74LS00N，所以对应的封装为N，而不是W。与非门是有源器件，要想他工作起来：1、Vcc(pin.14)接5v，GND(pin.7)接地2、pin.1和pin.2接输入，pin.3接输出，pin.3=pin.1和pin.2的与非3、总共4个与非门，其它的根据你所用的数量在连接建议认真读完其手册里面的每一句话，这是学电子最基础的内容，手册里面没有一句话是多余的，每句话都包含了大量的知识，再结合实际，个人水平一定会突飞猛进！
是

5，数字电路模拟电路与或非门的电路图工作原理是什么

非门 　又称反相器电路，它的输入为高或低电位时，输出分别为低或高电位（图3）。图3中输入为零（即高电位）时，三极管截止，使R0上的压降为零，输出端即为负(低电位)。当输入端为负脉冲（低电位）时，三极管通导，使电源电压全部加在R0上，输出端即为零。 或门 　又称逻辑和电路。当它的输入端中至少有一个有输入脉冲时,其输出端就有相同符号的脉冲输出。当所有输入端均为零时，所有二极管都处于通导状态，电源电压全部加在电阻R上,使输出为零。只要有一个输入端输入负脉冲时，该端二极管仍然通导，其余二极管则变为断开状态，使输出端由零变为负，输出一个负脉冲。图1b为适用于正脉冲输入的或门电路，其原理类推。 　　与门 　又称逻辑乘电路，只有在几个输入端同时输入脉冲信号时,输出端才有相同符号的脉冲输出（图2）。在图2a中，只要有一个输入端为零，该端二极管即通导，使电源电压全部加在电阻R上,输出为零。因此只有三个二极管同时输入负脉冲时，输出端才会由零变为负，输出一个负脉冲。为适用于正脉冲输入的与门电路，其原理类推。

6，与非门电路图原理

1）先温习三极管构成，在基极看去，基极与发射极，基极与集电极表现为两个二极管；2）当A、B都为高电平时，发射结为截止，而T1基极与集电极之间的二极管，和T2、T3的发射结（三个二极管）正向串联，通过R1接上电源就会导通，所以此时T1基极电压Vb1=2.1V。T2基极电压 Vb2=1.4V，T3基极电压 Vb3=0.7V，T3导通使输出端Y输出低电平；3）当A、B其中一个为低电平时，T1发射结导通，使基极电压 Vb1=0.7V，这个电压不足以让后级的发射结导通，所以T2、T3就截止，T4导通使Y输出高电平；从逻辑表现上，就实现了与非门功能。
原发布者:电子通信爱好TTL门电路的外部特性，逻辑功能、电气特性。CMOS门电路的外部特性，逻辑功能、电气特性。2.1概述门电路——用以实现各种基本逻辑关系的电子电路正逻辑——用1表示高电平、用0表示低电平负逻辑——用0表示高电平、用1表示低电子的情况。2.2分立元件门电路2.2.1二极管的开关特性图2.2.1二极管静态开关电路及其等效电路(a)电路图(b)输入高电平时的等效电路(c)输入低电平时的等效电路二、动态开关特性在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。图2.2.2二极管动态开关特性(a)电路图(b)输入脉冲电压波形(c)实际电流波形当输入电压UI由正值UF跃变为负值UR的瞬间，VD并不能立刻截止，而是在外加反向电压UR作用下，产生了很大的反向电流IR，这时iD＝IR≈-UR／R，经一段时间trr后二极管VD才进人截止状态，如图3.2.3(c)所示。通常将trr称作反向恢复时间。产生trr的主要原因是由于二极管在正向导通时，P区的多数载流子空穴大量流入N区，N区的多数载流子电子大量流入P区，在P区和N区中分别存储了大量的电子和空穴，统称为存储电荷。当UI由UF跃变为负值UR时，上述存储电荷不会立刻消失，在反向电压的作用下形成了较大的反向电流IR，随着存储电荷的不断消散，反向电流也随之减少，最终二极管VD转为截止。当二极管VD由截止转为导通时，在P区和N

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