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1，半导体生产流程

切片——磨片——抛光——清洗——外延——氧化——光刻——扩散——....合金——测试——压焊——封装——成品测试

半导体生产流程

2，制作半导体芯片 都有什么工序

半导体芯片的前工序主要是氧化、扩散和光刻；如果需要，还有外延和离子注入。
半导体芯片就是在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件

制作半导体芯片 都有什么工序

3，IC工艺是指

IC，是integrated circuit的缩写，集成电路的意思 广义的讲,IC就是半导体元件产品的统称,包括: 1.集成电路(integrated circuit,缩写:IC) 2.二,三极管. 3.特殊电子元件. 再广义些讲还涉及所有的电子元件,象电阻,电容,电路版/PCB版,等许多相关产品. IC工艺也就是电路方面的工艺

IC工艺是指

4，半导体工艺是什么

半导体工艺就是在IC各种器件、芯片等制造过程中一系列的单项工艺组成的，如光刻、氧化、扩散、离子注入、刻蚀、薄膜沉淀和外延生长等单项工艺。(自己整理的) 近几年全球集成电路市场发展缓慢，中国集成电路市场受到金融危机的影响,行业不景气,发展逐年减缓。 长期来看，如果2010年全球经济发展稳定，在连续经历了多年的低迷发展之后，半导体行业有望在2010年出现反弹。随着中国集成电路市场规模的不断扩大，中国市场的增速也会逐渐平稳，而且和全球半导体市场的发展速度会愈发接近，最终二者市场的发展速度将基本保持一致。
电路

5，集成电路工艺

集成电路工艺（integrated circuit technique ）是把电路所需要的晶体管、二极管、电 阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工 艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目 也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术 来实现的。电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术 为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。 利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅 单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件 在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需 要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规 模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂 工艺；紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、 反应离子铣等；外延生长又采用超高真空分子束外延技术；采用化学汽相淀积工艺制造多晶 硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂 多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。

6，半导体材料的材料工艺

半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化，而载流子迁移率和非平衡载流子寿命一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而减小。另一方面，半导体材料的各种半导体性质又离不开各种杂质原子的作用。而对于晶体缺陷，除了在一般情况下要尽可能减少和消除外，有的情况下也希望控制在一定的水平，甚至当已经存在缺陷时可以经过适当的处理而加以利用。为了要达到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这种既要限制又要利用的目的，需要发展一套制备合乎要求的半导体材料的方法，即所谓半导体材料工艺。这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分凝现象，当此熔区从一端至另一端重复移动多次后，杂质富集于锭条的两端。去掉两端的材料，剩下的即为具有较高纯度的材料（见区熔法晶体生长）。此外还有真空蒸发、真空蒸馏等物理方法。锗、硅是能够得到的纯度最高的半导体材料，其主要杂质原子所占比例可以小于百亿分之一。
在市场经济中，是否被取代不但看性能，还要看成本。 比硅材料参数好的半导体很多，但是硅在地球上普遍存在，甚至不被列为矿物，成本极低。 而且硅半导体工业已经形成庞大的产业链，有效地降低了成本。 目前其他半导体材料在民用领域很难与硅抗衡。只有在航天、军事等不惜成本的领域才能应用。

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