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1，什么是 PIN型二极管 和 普通二极管 有什么不同

P型半导体为基体的二极管为P型二极管 N型半导体为基体的二极管为N型二极管 PIN是两个半导体中间加多一层半导体，作为可变阻抗元件使用。

什么是 PIN型二极管 和 普通二极管 有什么不同

2，为什么PIN管的频率特性比普通光电二极管好

它的内部结构与普通PN结管不同，它属于PIN结型,就是在P与N中间增加了基区I，构成PIN结,因为基区很薄，反向恢复电荷很小，所以PIN二极管的反向恢复时间短，正向压降低，反向击穿电压高。

为什么PIN管的频率特性比普通光电二极管好

3，PIN二极管PIN二极管是什么意思

一般普通的二极管是由PN结组成的，在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN 二极管。PIN 二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。
pin型光电二极管也称pin结二极管、pin二极管，在两种半导体之间的 pn结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在p区与n区之间生成i型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。工作原理在上述的光电二极管的pn结中间掺入一层浓度很低的n型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（intrinsic）半导体，故称i层，因此这种结构成为pin光电二极管。i层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在i层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在i层两侧是掺杂浓度很高的p型和n型半导体，p层和n层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。硬之城有这个型号的 可以去看看有这方面的资料么

PIN二极管PIN二极管是什么意思

4，PIN二极管的介绍

普通的二极管由PN结组成。在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN 二极管。正因为有本征(Intrinsic)层的存在，PIN 二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF 开关和RF保护电路，也有用作光电二极管(PhotoDiode)。PIN 二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。
微波开关利用pin管在直流正-反偏压下呈现近似导通或断开的阻抗特性,实现了控制微波信号通道转换作用. pin 二极管的直流伏安特性和pn结二极管是一样的，但是在微波频段却有根本的差别。由于pin 二极i层的总电荷主要由偏置电流产生。而不是由微波电流瞬时值产生，所以其对微波信号只呈现一个线性电阻。此阻值由直流偏置决定，正偏时阻值小，接近于短路，反偏时阻值大，接近于开路。因此pin 二极对微波信号不产生非线性整流作用，这是和一般二极管的根本区别，所以它很适合于做微波控制器件。因此，可以把pin二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。

5，用PIN光电二极管探测激光的问题

大部分PIN光电二极管在1mW以下线性度很好，这个区间可一直低至1nW，更低还可探测，但线性度不太好。1mW到10mW这段要看管芯面积，100um以下的线性度也不好，接近毫米级别的还可以，但也有所弯曲。10mW以上弯曲严重，但还是单调的，所以还可测量，但要校正(数字或模拟的)。几十毫瓦的激光功率直接进入PIN会使其失效，轻时可慢慢恢复，重时永久损坏，超过20dBm的激光功率会使PIN立刻损坏。 典型的PIN频谱相应区在0.8~1.7um段，很不平坦，略接近梯形，顶约在1um~1.5um区域，峰值在1.55um处，响应约为1A/W，顶的低处要低约三成，在顶之外的区域，响应下降很快。你所说的0.6A/W应在1um附近（也有可能在1.6um区域，但很少用）。 激光器输出30mW，经过偏振片后其功率变化范围很大，与激光器输的偏振度（通常较高）有关，与二者偏振夹角有关，还与偏振片类型有关（有机片型的最大衰减通常-20dB，组合晶体型能超过-50dB），分光镜的分光比例也要知道。 假设偏振片处衰减10dB，分光镜分光比10%，则到达PIN处的功率约为300uW，可产生约200uA的光电流，处于较好的线性区内。后接TIA放大器就可准确测量光功率了。

6，PIN管正偏状态下还有电容效应吗

PIN管正偏时没有电容效应的，应该是负载的影响。普通的二极管由PN结组成。在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN 二极管。正因为有本征(Intrinsic)层的存在，PIN 二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF 开关和RF保护电路，也有用作光电二极管(PhotoDiode)。PIN 二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。
二极管反向的时候，pn是不导电的，而pn结两边的n区和p区是导电的，这样两个导电区就成了电容的两个电极，pn结就成了介电材料。三极管的pn结电容效应原理和二极管是一样的。pn结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过pn结，频率越高则通过越多，这就限制了管子的最高工作频率。一般在制造高频二极管或三极管时，都是通过减小pn结面积或增加pn结厚度来减小这个电容。由于减小结面积不利于大电流通过，提高结厚度则需要时n区和p区扩散的杂志浓度比较低，导致电阻增加，因此要制造高频大功率管是相当困难的，一般高频大功率管由于p区和n区电阻大，导致饱和压降高。因此结电容的存在导致了难以制作出高频、大功率、低饱和压降的全能型晶体管。

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