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1，光衰是什么有什么作用

光衰是指灯燃点一定时间后光通量比刚开始下降的百分比。10000小时流明维持率95%即10000小时光衰为5%。

光衰是什么有什么作用

2，浅解什么是LED光衰及其原因

LED光衰是指LED照明光源在用一段时间会发暗1、使用的光源芯片不是名牌产品，一般国内用晶元的质量就行。2、LED照明灯具采用的不是品牌产品，是小作坊制作的三无产品。3、使用LED灯具需要用品牌的 做工 选材都有规定，不会光衰那么快。4、推荐使用 省亮化 LED光源，国内一线品牌，光衰慢
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浅解什么是LED光衰及其原因

3，光衰是什么吖

在对感光鼓表面充电时，随着电荷在感光鼓表面的积累，电位也不断升高，最后达到 "饱和"电位，就是最高电位。表面电位会随着时间的推移而下降，一般工作时的电位都低 于这个电位，这个电位随时间自然降低的过程，称之为"暗衰"过程。感光鼓经扫描曝光时 ，暗区（指未受光照射部分的光导体表面）电位仍处在暗衰过程；亮区（指受光照射部分的 光导体表面）光导层内载流子密度迅速增加，电导率急速上升，形成光导电压，电荷迅速消 失，光导体表面电位也迅速下降。称之为"光衰"，最后趋缓。

光衰是什么吖

4，LED的光衰原因有哪些

应该主要是荧光物质在高温下老化的原因。所以LED散热很重要。
led光衰就是光在传输中的信号减弱1310光纤一般减弱0.4db/km针对led的光衰主要有以下二大因素：一、led产品本身品质问题：1、采用的芯片不好，亮度衰减较快。2、生产工艺存在缺陷，芯片散热不能良好的从pin脚导出，导致芯片温度过高使芯片衰减加剧。二、使用条件问题：1、led为恒流驱动，有部分led采用电压驱动原因使led衰减过来。2、驱动电流大于额定驱动条件。其实导致led光衰的原因很多，最关键的还是＂热＂

5，LED光衰产生的原因是什么

LED的光衰主要有以下二大因素： 一、LED产品本身品质问题： 1、采用的LED芯片体质不好，亮度衰减较快。 2、生产工艺存在缺陷，LED芯片散热不能良好的从PIN脚导出，导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧。二、使用条件问题： 1、LED为恒流驱动，有部分LED采用电压驱动原因使LED衰减过来。 2、驱动电流大于额定驱动条件。
商务部、海关总署日前发布公告称，为维护国家安全和利益，经国务院批准，决定对镓、锗相关物项实施出口管制，公告自2023年8月1日起正式实施。镓、锗都是新兴的战略关键矿产，在半导体材料、新能源等领域应用广泛。两种金属矿产无论是在储量还是在出口上，中国均在全球占据领先地位。此次管控，将会对LED行业产生重要影响。从中长期看，将导致供应链紧张和原材料短缺，价格上涨，从而对LED行业的生产和供应造成压力。近年来，随着“碳中和”、“碳达峰”国家战略的推进，在社会各界绿色用能热潮的带动下，绿色节能成为了各行各业跨领域乃至跨界踏足其中的业态方向。作为国家节能减排重点领域的照明行业，也自然而然地成为了绿色节能科技应用推广的中坚力量。纵观国内整个照明产业链，多家照明企业已将绿色节能作为其重要跨领域、跨界创新的重要发展战略。也许在部分照明业界中人看来，LED受镓、锗出口管制影响，照明产业的市场体量将会随之降低。可更多照明与新能源产业界的人会看到，氙气照明将会为照明产品的节能、数字化创新带来科技助力，也能为照明产品在低碳领域的市场推广“开山劈石”。氙气照明目前已成为照明企业乃至整个照明行业为国家科技强国战略奉献的强大力量。展望未来，照明行业的变革发展不仅需要产业圈内部的科技与战略模式的创新动力，更需要“百花齐放”的业态大环境。作为富国强邦重要产业的新能源，将让氙气照明的“绿色之光”为全人类福祉的营造带来更多积极向上的正能量。

6，什么是光衰

光衰 在对感光鼓表面充电时，随着电荷在感光鼓表面的积累，电位也不断升高，最后达到 "饱和"电位，就是最高电位。表面电位会随着时间的推移而下降，一般工作时的电位都低 于这个电位，这个电位随时间自然降低的过程，称之为"暗衰"过程。感光鼓经扫描曝光时 ，暗区（指未受光照射部分的光导体表面）电位仍处在暗衰过程；亮区（指受光照射部分的 光导体表面）光导层内载流子密度迅速增加，电导率急速上升，形成光导电压，电荷迅速消 失，光导体表面电位也迅速下降。称之为"光衰"，最后趋缓。　　光致衰退效应　　也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为Steabler-Wronski效应。　　对S-W效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论,成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为,S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深能级),这种缺陷态会影响a-Si∶H薄膜材料的费米能级EF的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。　　在a-Si∶H薄膜材料中,能够稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si键,这些键的键能较大,不容易被打断。由于a-Si∶H材料结构上的无序,使得一些Si-Si键的键长和键角发生变化而使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-Si键的化学势与H相当,可以被外界能量打断,形成Si-H键或重新组成更强的Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构,则a-Si∶H薄膜的悬挂键密度增加。为了更好地理解S-W效应产生的机理并控制a-Si∶H薄膜中的悬挂键,以期寻找稳定化处理方法和工艺,20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍没有形成统一的观点。
光衰 　　在对感光鼓表面充电时，随着电荷在感光鼓表面的积累，电位也不断升高，最后达到 "饱和"电位，就是最高电位。表面电位会随着时间的推移而下降，一般工作时的电位都低 于这个电位，这个电位随时间自然降低的过程，称之为"暗衰"过程。感光鼓经扫描曝光时 ，暗区（指未受光照射部分的光导体表面）电位仍处在暗衰过程；亮区（指受光照射部分的 光导体表面）光导层内载流子密度迅速增加，电导率急速上升，形成光导电压，电荷迅速消 失，光导体表面电位也迅速下降。称之为"光衰"，最后趋缓。 　　光致衰退效应 　　也称s-w效应。a-si∶h薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为steabler-wronski效应。 　　对s-w效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论,成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为,s-w效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深能级),这种缺陷态会影响a-si∶h薄膜材料的费米能级ef的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。 　　在a-si∶h薄膜材料中,能够稳定存在的是si-h键和与晶体硅类似的si-si键,这些键的键能较大,不容易被打断。由于a-si∶h材料结构上的无序,使得一些si-si键的键长和键角发生变化而使si-si键处于应变状态。高应变si-si键的化学势与h相当,可以被外界能量打断,形成si-h键或重新组成更强的si-si键。如果断裂的应变si-si键没有重构,则a-si∶h薄膜的悬挂键密度增加。为了更好地理解s-w效应产生的机理并控制a-si∶h薄膜中的悬挂键,以期寻找稳定化处理方法和工艺,20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(sjt)模型、“h玻璃”模型、h碰撞模型、si-h-si桥键形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍没有形成统一的观点。编辑本段led光衰　　led光衰是指led经过一段时间的点亮后,其光强会比原来的光强要低,而低了的部分就是led的光衰. 一般led封装厂家做测试是在实验室的条件下(25℃的常温下),以20ma的直流电连续点亮led1000小时来对比其点亮前后的光强.

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