可控硅触发电路，求可控硅的触发电路介绍电路是怎么工作的

本文目录一览

1，求可控硅的触发电路介绍电路是怎么工作的
2，可控硅的触发电路的原理
3，可控硅触发电路的触发方式有哪些
4，可控硅触发电路有哪几类
5，如何做可控硅触发电路
6，双向可控硅触发电路工作原理

1，求可控硅的触发电路介绍电路是怎么工作的

简单实用的大功率可控硅触发电路 http://www.sydzdiy.com/article/cortrol/0593021534483126_27043.html http://zhidao.baidu.com/question/10567401.html

此可控硅为双向可控硅，单向其实也是一样的。只要在T1（a1）极与G极（控制极）之间有一定的电压就行了，不管是T1正G负还是T1负G正，都一样能使之触发导通。

求可控硅的触发电路介绍电路是怎么工作的

2，可控硅的触发电路的原理

你给出的图片应该是固态继电器，就是一个开关，你看他的工作原理，可以参照晶闸管的工作原理看看。性质一样的。如果没说错的话，你的那两个端子接负载的，那边的三个接电源的，，你把那边的两个当成A/k，那边的三个是通过电路产生门极触发电流的，最后使可控硅导通， 1.晶闸管是一种比三极管更加复杂的半导体结构，具有3个PN节结构。主要用在大电流的功率控制电路里。 2.晶闸管的开通和关闭和三极管有很大的差别，可以视为一个双稳态器件，只具有两个工作状态即开通和关闭。 3.晶闸管的开通受2个条件约束阴阳极的正偏压和门极与阴极的正偏压，关断则只需要流过管子的电流小于一定的值，并且维持一定的时间就自然关断。不受门极控制。 4.工作原理相当于两个三极管的等效电路。不知道，有没有道理，你随意理解吧

可控硅的触发电路的原理

3，可控硅触发电路的触发方式有哪些

可控硅的4种触发方式：1、强电触发: 采用MOC3061、MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。采用触发二极管（DB3）电路与这种结构相似。2、变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构，优点是强弱电隔离触发波形好，缺点是长脉冲触发时变压器体积太大，成本高电路复杂。元器件工作在100V脉冲环境，可靠性一般。3、隔离电源直流触发: 图片上的这种触发结构，缺点是功耗较大，发热量大。优点是强弱隔离触发电流大，低频长脉冲、高频脉冲串等都适用，电路简单成本低，元器件工作在20V脉冲环境。可靠性好。这种机构的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载，镀铝机蒸发舟加热)，极少出现烧保险丝和烧可控硅现象，原来是采用变压器触发结构，经常烧保险丝，可控硅也有损坏。4、其过零触发控制方式由于对电网无污染 ,在许多调功设备中都采用这种触发方式。可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用 ,

可控硅触发电路的触发方式有哪些

4，可控硅触发电路有哪几类

①触发脉冲信号应具有足够大的电压和电流一般要求触发电压幅度为4～10V。　　②触发电路不输出触发脉冲时触发电路因漏电流产生的漏电压应小于0.15～0.2V以避免误触发。　　③触发脉冲要有一定的宽度以保证晶闸管可靠导通。触发脉冲的宽度最好取20～40us。　　④触发脉冲前沿要陡，以保证触发时间的滩确性口一般要求前沿时间不大于10us。　　⑤触发脉冲应与主回路同步，保证主电路中的晶闸管在每个周期的导通角相等。　　⑥触发信号应具有足够的移相范围，相位应能连续可调。

在你给出的图里，r2下端再串联一个电阻r3，即r2r3串联后与rl是并联关系，vd1处短路（即此vd1不要），调节r2r3之比例，使10v输入时，可控硅导通；这个触发电压（r3的压降）约为1v上下吧，你去试试看；

5，如何做可控硅触发电路

单相通用型可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器，其核心部件采用国外生产的高性能、高可靠性的军品级可控硅触发专用集成电路。输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。现场调试一般不需要示波器即可完成。它可广泛的应用于工业各领域的电压电流调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等。　　由于振荡电路的电源为梯形波，在主电路正弦波每一半波结束和开始的一段时间，振荡电路的电源电压很小，电路不振荡，同时电容电压释放到0。当电源电压接近梯形波的顶部时，振荡电路开始工作，当电容充电使两端的电压达到单结晶体管峰点电压Vp时，单结晶体管导通电容放电，放电电流流过R1与被触发晶闸管的门极的并联电路形成输出，为晶闸管提供触发脉冲，使晶闸管导通。然后电路进入下一振荡周期，但晶闸管一经导通门极就失去控制作用，一个电源电压半周中振荡电路输出的脉冲只是第一个起到触发作用，后面的脉冲是无效的。在主电路电压的半周接近结束时，振荡电路的电源电压进入梯形波的斜边并迅速下降，振荡电路停振，同时电容电压释放到0。因此在主电路的每一个半波中，电容总是从0开始充电，保证了触发脉冲与主电路电压的同步。

注：不用继电器电瓶在8V开始充电，充到12。8V时充满，（7A的电瓶）这时可控硅触发电路，瞬间输出3V电压就可以了。在12。8V前是0V输出，不过最好不要接地，这样应该节能一点吧。

6，双向可控硅触发电路工作原理

双向可控硅触发电路工作原理：　　1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成　　当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。　　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。　　由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化　　2,触发导通　　在控制极G上加入正向电压时，因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

双向可控硅工作原理和结构特点

双向可控硅触发电路工作原理与可控硅的结构和工作特性有着密切的联系，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。我们可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，但关键是它多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。具体工作原理你可参考如下网址资料： http://www.cntronics.com/public/tool/kbview/kid/720/cid/13

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