肖特基结,肖特基三极管结构和工作原理?

肖特基接触定义界面电阻大，这只是肖特基接触的一个特点。肖特基三极管的结构和工作原理是什么？肖特基接触肖特基接触是指金属和半导体材料接触时，半导体的能带在界面处发生弯曲，形成肖特基势垒，肖特基结二极管有金属和P型半导体吗？第一件事就是改正，你说的可能是肖特基二极管，没有肖特基三极管。

pn结是半导体单晶中P型和N型两种半导体材料的边界或界面。1.P(正)侧包含过量的空穴，而N(负)侧在电中性原子的壳层中包含过量的电子。这使得电流只能沿一个方向通过结。2.pn结通过掺杂产生，例如离子注入、掺杂剂扩散或外延。用一种掺杂剂掺杂的晶体层生长在用另一种掺杂剂掺杂的晶体层上。如果使用两种单独的材料，这将在半导体之间引入晶界，从而通过散射电子和空穴严重抑制它们的有效性。

1。定义不同的欧姆接触意味着在接触处有一个纯电阻，电阻越小越好，这样在模块工作时，大部分电压降在有源区而不是接触面。所以它的IV特性是线性的，斜率越大，接触电阻越小，直接影响器件的性能指标。肖特基接触是指金属与半导体材料接触时，半导体的能带在界面处发生弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在导致大的界面电阻。

然而，肖特基接触具有大的接触势垒。3.形成条件不同形成欧姆接触有两个前提条件:一是金属与半导体之间有较低的势垒高度，二是半导体有较高的杂质浓度(N_10EXP12cm3)。前者能增加界面电流中的热激发；后者使半导体的耗尽区变窄，电子有更多的机会直接隧穿，同时降低Rc电阻。

肖特基二极管在结构和损耗上与普通二极管不同。1.不同结构的普通二极管由P型和N型半导体材料制成。在PN结构中的P和N区域之间形成势垒。当施加的电压反向时，势垒加强，电子被阻挡流动，即正向工作。当施加的电压为正时，势垒减弱，电子可以通过元件传导，即反方向做功。肖特基二极管是利用金属和半导体的接触特性制成的二极管。

肖特基二极管的p型半导体区很浅，电子可以通过金属和p型半导体之间的肖特基接触流动。2.失去不同的公共二极管的主要缺点之一是存在正向压降和反向漏电流。当电子通过PN结时，由于结的特性，能量会变成热能，这种能量在pn结上会表现为热量，导致正向压降的损失。相反，肖特基二极管没有PN结，所以没有这种损耗。

普通二极管在电流流动时会产生约0.71.7伏的压降，而肖特基二极管的压降只有0.150.45伏。当然，通常使用N型半导体，主要原因如下:1。载流子迁移率。电子迁移率远高于空穴迁移率，因此选择n型半导体可以获得良好的频率特性。2.正向导通电压。与N型相比，P型肖特基结往往正向导通电压太低，反向漏电流太高，制备难度更大(容易变成欧姆接触)。

CMOS工艺往往需要高温退火，而P-肖特基接触由于漏电流大等问题，退火后容易成为欧姆接触。当然还有其他因素，但基于N型肖特基结的成熟度，自然是工业生产的首选。随着材料科学的发展，越来越多性能优越的P型半导体材料出现，可以实现稳定的高质量P型。N型肖特基结最大的问题是使用贵金属(Au、Pt等。)，而P型肖特基结使用低功函数金属(Al、Ti等。)，这是一个显著的优势。

肖特基二极管以其发明者肖特基博士命名，SBD是SchottkyBarrierDiode (SBD)的缩写。SBD不是基于P型半导体和N型半导体接触形成PN结的原理，而是基于金属-半导体接触形成金属-半导体结的原理。因此，SBD，也称为金属半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，是一种热载流子二极管。

(1)价带电子；(2)自由电子或空穴；(3)杂质能级中存在的电子。太阳能电池的可用电子主要是价带电子。光的吸收由价带电子向导带的能量跃迁决定，称为本征或本征吸收。太阳能电池能量转换的基础是结的光伏效应。当光照射pn结时，产生一个电子-空穴对。在半导体内部的结附近产生的载流子没有被复合并到达空间电荷区。在内建电场的吸引下，电子流入N区，空穴流入P区，导致N区存储过剩电子，P区过剩空穴。

光伏场除了部分抵消势垒电场，还使P区带正电，N区带负电，N区和P区之间的薄层产生电动势，这就是光伏效应。此时，如果外电路短路，外电路中就会流过与入射光能成正比的光电流，称为短路电流。另一方面，如果pn结两端开路，则N区的费米能级高于P区，两个费米能级之间会产生电势差voc。

首先要纠正的是，你说的可能是肖特基二极管，没有肖特基三极管！这里只能简单描述一下:肖特基二极管是以金属基体为主要成分的半导体器件。其优点是导通电阻和死区电压低，开关速度快。缺点是耐压值低，一般不超过100V V，肖特基三极管是肖特基二极管和普通三极管的组合。肖特基二极管通常连接在三极管的BC极之间，以提高三极管的某些高频性能。

界面电阻大，这只是肖特基接触的一个特点。肖特基接触是指金属与半导体材料接触时，半导体的能带在界面处发生弯曲，形成肖特基势垒，势垒的存在导致大的界面电阻。对应于欧姆接触，界面处的势垒很小或者没有接触势垒，肖特基接触肖特基接触是指金属和半导体材料接触时，半导体的能带在界面处发生弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在导致大的界面电阻。