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1，常用电子元件字母的简称

电阻 R 电容 C 三极管有 NPN 和PNP

常用电子元件字母的简称

2，三极管的前缀 c和s分别代表什么意思

C和S是三极管各国命名规则的简写，我认为C可为日本产三极管，因为日本的三极管命名规则规定，前三位的第一位表示晶体管的PN结数，第二位表示日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三位用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。一般小功率三极管为了表示简便，前两位2S部分就省略了，而只保留第三位和序号部分，例如2SC1045，意思是在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体NPN型高频三极管，1045则是这一类型三极管的序号，简写后就是C1045。因为前两位只要是日本规则三极管都一样，所以就省略了。 而S据有关材料介绍应是韩国制造的晶体三极管，如S系列的9012～9018之类的管子。
C1815日产或仿日三极管：命名方式 例：2SC1815AGR7H （1）“2”表示两个PN结 （2）“S”表示日本电子工业协会 （3）“C”性能及导电类型 A： PNP 高频 B： PNP 低频 C： NPN 高频 D： NPN 低频 （4）“1815”注册序号 （5）“A”改进序号 （6）“GR”代表放大倍数是200-400（7）“7H”厂名代号 注：日产管一般都省略（1）（2）位。

三极管的前缀 c和s分别代表什么意思

3，PCB线路各元器件的对应英文缩写和作用

元器件中英文：and 与门antenna 天线battery 电池，直流电源bell 铃,钟bvc 同轴电缆接插件bridge 整流桥(二极管)buffer 缓冲器buzzer 蜂鸣器cap 电容capacitor 电容器capacitor pol 有极性电容capvar 可调电容circuit breaker 熔断丝coax 同轴电缆con 插口crystal 晶体整荡器db 并行插口diode 二极管diode schottky 稳压二极管diode varactor 变容二极管dpy_3-seg 3段leddpy_7-seg 7段leddpy_7-seg_dp 7段led(带小数点)electro cap电解电容fuse 熔断器inductor 电感inductor iron 带铁芯电感ic集成电路integratecircuitjfet n n沟道场效应管jfet p p沟道场效应管lamp 灯泡lamp nedn 起辉器j jump wire跳线led 发光二极管meter 仪表microphone 麦克风mosfet mos管motor ac 交流电机motor servo 伺服电机nand 与非门nor 或非门not 非门npn-photo 感光三极管opamp 运放or 或门photo 感光二极管pnp transistor pnp三极管npn transistor npn三极管pot 滑线变阻器pelay-dpdt 双刀双掷继电器resistor 电阻resistor bridge 桥式电阻scr 晶闸管plug 插头plug ac female 三相交流插头socket 插座source current 电流源source voltage 电压源speaker 扬声器sw switch 开关sw-dpdy 双刀双掷开关sw-spst 单刀单掷开关sw-pb 按钮，开关thermistor 电热调节器transformer 变压器triac 三端双向可控硅triode 三极真空管varistor 变阻器zener diode 齐纳二极管
R：电阻L：电感C：电容I：集成电路、芯片J：跳线CON：连接器、插头、插座Heat Sink：散热器

PCB线路各元器件的对应英文缩写和作用

4，三极管可以用来干什么

主要是放大和开关作用,它是一种控制元件
你好 简单的说就是高·低频信号放大，开关电源等等。看看书呗，初中三年物理书上就有的。祝你学业有成
放大电信号，老师刚讲过。
也称晶体管，在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇 　　电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！ 　　电子三极管 Triode （俗称电子管的一种） 　　双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor） 　　J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor） 　　金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称 　　V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ） 　　注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别 　　J型场效应管 金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor） 　　其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管 　　VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管 他的作用：，如果说三极管的基本原理用这样的比喻比较牵强附会的话，在设计三极管的版图时，它就非常的确切了，我们先画一条绿色的线条表示通道，再画一条横跨过通道的红色线条表示控制栅极，就象马路上的绿色的通道和警察掌握的红灯一样，绿色通道里的电流的通断，得看警察的脸色行事。不过在集成电路里通道不叫通道，而叫有源区，一个奇怪的名字，不过很好记，我们平时把半导体器件叫做有源器件，电阻电容叫无源器件，三极管是有源器件，因此只要记住和三极管有关的区域叫有源区就可以了。 由 N型或 P型半导体材料组成源极和漏极，在源极和漏极之间放一层多晶硅作为栅极，这就形成了一个 MOS三极管，多做几个这样的三极管，并把它们按要求连接起来，这就形成了集成电路。把许多三极管做在一起就是集成电路。 集成电路真的就是这么简单，请暂时不要问什么半导体为什么会导电之类目前被认为是无关紧要的问题，我们在这里探讨的是如何快速的学会设计集成电路，而不是半导体理论。 top
放大和开关作用，分为2种型号：ＮＰＮ型和ＰＮＰ型　　3个极性：Ｅ（发射极）Ｂ（基极）Ｃ（集电极） 　希望采纳！
　　晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 　　三极管详解半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。

5，电路版里的二极管三级管是代表什么意思

二极管 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象 三极管 三极管在中文含义里面只是对三个脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件， 　　可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇 　　电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！ 　　电子三极管 Triode （俗称电子管的一种） 　　双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor） 　　J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor） 　　金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称 　　V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ） 　　注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别 　　J型场效应管 金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor） 　　其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管 　　VMOS实在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和，工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管 工作原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 　　在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。 　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得： 　　Ie=Ib+Ic 　　这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： 　　β1=Ic/Ib 　　式中：β1--称为直流放大倍数， 　　集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： 　　β= △Ic/△Ib 　　式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 　　三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
谓的极管，实际上就是指电子工程技术上所说的一种电子器件。最早，人们是在玻璃管内用金属做成两个电极，其中一个电极是用电热丝做成，引出电热丝的头和尾。另一个电极只引出一个脚。这样，就形成了三个引脚的带有两个电极的玻璃管。然后抽成真空后，将电热丝的这两个引出脚通电使其发热，然后再在另外一个电极的引脚和电热丝这个电极之间，通上交流电，人们这时发现这两个电极具有电子向一个方向流动的性能，即单方向导电的性能。人们利用这个性能，来实现将交流电转换成直流电。人们就把这种有两个极的管子称为二极管。后来人们又在二极管的基础上，制成了有三个电极的真空管，发现它能起到将电流放大的作用，人们称其为三极管。 二极管和三极管被广泛用于当时的通讯领域。当然在三极管的基础上人们又制成了四极管、五极管、六极管、七极管等等。但这些管子最基本的功能都是起放大电流的作用，只是性能上有差异。后来，人们发明了半导体，两个极的也是有能将交流电转换成直流电的特征，人们将这只有两个引脚的半导体器件称之为半导体二极管。三个电极引脚的、起放大电流作用的半导体器件，人们称之为半导体三极管。现在没有电子管了，所能人们将半导体这三个字也给省略了，只叫它二极管、三极管。它是电子电路中最基本的单元，当然还有其它一些最基本的单元，比如电阻器、电容器、电感器等，但在电子电路里，这些东西和二极管、三极管比起来可以说都不太重要了。 特殊用途的半导体元器件比方说气敏管、压敏管、发光管等等，但它们不是电子电路最基本的单元构件。那怕是再大规模的所谓半导体芯片、半导体模块、再大的所谓集成电路、那怕是电脑里用的中央处理器或者说是CPU，它们都必须由一个一个的三极管二极管再辅以电阻器电容器和电感器等，一级一级一个系统一个系统有机的连接起来的。 一下两下子我也给你说不清楚。简而言之，二极管、三极管是组成电子电路的最基本的元件。二极管是起整流作用的，三极管是起放大作用的，除此之外再也没有更多的极管了。
电路版里的二极管,三级管都是电子元器件，二极管具有整流、续流、检波等作用，三极管有开关、放大等作用，他们在电路里与其他电子元器件组合在一起形成不同的电路，起着不同的作用，而且是在电路中应用很广泛的元器件。

6，三极管VCCVceoVcboVeboIcmPcmft mHZ分别代表什么以及

以下是我的收藏：奉献给你吧！ 三极管的参数解释 △ λ---光谱半宽度 △VF---正向压降差 △Vz---稳压范围电压增量 av---电压温度系数 a---温度系数 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压 Cib---共基极输入电容 Cic---集电结势垒电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cjo---零偏压结电容 Cjv---偏压结电容 Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 CL---负载电容（外电路参数） Cn---中和电容（外电路参数） Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Coe---共发射极输出电容 Co---零偏压电容 Co---输出电容 Cp---并联电容（外电路参数） Cre---共发射极反馈电容 Cs---管壳电容或封装电容 CTC---电容温度系数 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 Ct---总电容 Cvn---标称电容 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 D---占空比 ESB---二次击穿能量 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 fT---特征频率 f---频率 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hFE---共发射极静态电流放大系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC---正向自动控制电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 ICM---最大输出平均电流 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR---晶闸管断态平均重复电流 ID---暗电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 IEM---发射极峰值电流 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 IF（AV）---正向平均电流 IF(ov)---正向过载电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IFMP---正向脉冲电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 iF---正向总瞬时电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 Iop---工作电流 Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IP---峰点电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 Irp---反向恢复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） ir---反向恢复电流 iR---反向总瞬时电流 ISB---二次击穿电流 Is---稳流二极管稳定电流 IV---谷点电流 Izk---稳压管膝点电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 n---电容变化指数；电容比 PB---承受脉冲烧毁功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pc---集电极耗散功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pd---耗散功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 PGM---门极峰值功率 PG---门极平均功率 Pi---输入功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 Pn---噪声功率 Pomax---最大输出功率 Posc---振荡功率 Po---输出功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Ptot---总耗散功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 Q---优值（品质因素） r δ---衰减电阻 R(th)ja----结到环境的热阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r(th)---瞬态电阻 rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻） RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RB---外接基极电阻（外电路参数） Rc ---外接集电极电阻（外电路参数） RE---射频电阻 RE---外接发射极电阻（外电路参数） RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RG---信号源内阻 rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 RL---负载电阻 RL---负载电阻（外电路参数） roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth---热阻 Rth----热阻 Rz(ru)---动态电阻 Ta---环境温度 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tc---壳温 td---延迟时间 td----延迟时间 tfr---正向恢复时间 tf---下降时间 tf---下降时间 tgt---门极控制极开通时间 tg---电路换向关断时间 Tjm---最大允许结温 Tjm---最高结温 Tj---结温 toff---关断时间 toff---关断时间 ton---开通时间 ton---开通时间 trr---反向恢复时间 tr---上升时间 tr---上升时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 Tstg---贮存温度 ts---存储时间 ts---存贮时间 Ts---结温 V n---噪声电压 V v---谷点电压 V（BR）---击穿电压 VAGC---正向自动增益控制电压 VB2B1---基极间电压 VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数） VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VBE10---发射极与第一基极反向电压 VBE---基极发射极（直流）电压 VB---反向峰值击穿电压 VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCB---集电极-基极（直流）电压 Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 VCE---集电极-发射极（直流）电压 Vc---整流输入电压 VDRM---断态重复峰值电压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEB---饱和压降 VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数） VF（AV）---正向平均电压 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VGT---门极触发电压 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 Vn---中心电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vo---交流输入电压 Vp---穿通电压。 Vp---峰点电压 VRM---反向峰值电压（最高测试电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VSB---二次击穿电压 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 Vth---阀电压（门限电压） Vz---稳定电压 δvz---稳压管电压漂移 η---单结晶体管分压比或效率 λp---发光峰值波长

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