碳化硅半导体，碳化硅半导体有什么用回答具体一点举例说下应用于什么机器之
来源：整理 编辑：智能门户 2023-08-15 19:14:00
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1，碳化硅半导体有什么用回答具体一点举例说下应用于什么机器之
碳化硅半导体主要用来做二极管，用于高性能LED，国防军工的微波发生器等。损耗小，导热性好是它的主要优势。
2，请高手介绍一下碳化硅在半导体行业内的应用以及它的优势特点和不
碳化硅单晶体可以制作晶体管（二极管和三极管）。因为碳化硅的禁带宽度大，故做成的器件能耐高压和高温，是一种很好的大功率器件的材料。缺点是其单晶的制造比较困难，器件工艺也不成熟，而且在器件中的欧姆接触难以做好（因为是宽禁带半导体,重掺杂难以起作用）。碳化硅的硬度很大（仅次于金刚石），可用作为磨料。碳化硅的熔点高，能够耐高温（比一般的陶瓷还好），所以作为高温保护膜是较好的。你好！碳化硅耐热，耐高温。 现在国产大飞机不是叫嚷着要用碳化硅么。一般都是纳米级高米碳化硅了如有疑问，请追问。
3，碳化硅的化学性质
分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。工业用碳化硅于1891年研制成功，是最早的人造磨料。在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在，但迄今尚未找到可供开采的矿源。 纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。 碳化硅的硬度很大，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
4，碳化硅晶体是做什么的
碳化硅晶体主要有两个方面的应用：（1）碳化硅的硬度很大（仅小于金刚石），它的粉末可用作为磨料；（2）是一种很好的高温、高压半导体材料，现在已经在高压功率半导体器件中显示出了优良的性能。SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外，采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。碳化硅分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。原子晶体定义：相邻原子间以共价键结合而形成的空间网状结构晶体没有单个存在的碳化硅分子 碳化硅是原子晶体，结构与金刚石一样，空间网状结构．每个碳原子与4个硅原子以共价键相连，每个硅原子也与4个碳原子以共价键相连，其中碳－硅键是单键
5，碳化硅晶片的介绍
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射的性能，具有与氮化镓(GaN)相近的晶格常数和热膨胀系数，不仅是制作高亮度发光二极管(HB-LED)的理想衬底材料，也是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。天科合达是国内最早从事碳化硅研究和生产的企业。北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果优势。是亚太地区碳化硅晶片制造的先行者。相关专利技术已被国内和国际授权。打破了国外碳化硅行业的垄断局面。
6，SiC半导体技术什么是SiC半导体技术
SiC的产业应用采用SiC材料研制的元件种类很多，以下介绍其应用之概况。（1）高温和高功率半导体元件SiC材料的能带和高温稳定性使得它在高温半导体元件方面有无可比拟的优势。采用SiC材料制成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作温度可达500℃以上，提供工作于极端环境下的电子系统，在军用武器系统、航空航太、石油地质勘探等领域应用广泛。（2）微波及高频半导体元件由于碳化硅具有较高的饱和电子速度以及高临界击穿场强，是良好的微波和高频元件材料。已制成fmax达42GHz以上的SiC MESFET。加之高工作温度和高热导率，在军用相控阵雷达、通信广播系统中有明显的优势。美国已将其应用于新研制的 HDTV数位广播系统之中。（3）短波长发光元件6H-SiC和3C-SiC的能隙宽度为2．9eV和2．2eV，分别处于蓝、绿光等短波长发光波段，其中高亮度蓝光LED尤其重要，是实现全彩色大面积显示的关健，具有极大的市场，已实现了碳化硅蓝、绿光LED的批量生产。（4）紫外光敏二极体美国GE公司采用碳化硅材料实现了可在各种发动机内部工作的紫外光敏二极体，用于监测汽车、飞机、火箭等发动机的燃烧工作状态，并与碳化硅高温积体电路一起构成闭环控制，显着提高发动机工作效率，节约能源，减少污染 。（5）蓝色镭射二极体利用碳化硅的结构特性，已研制出了可发蓝光的镭射二极体，它将极大提高高密度资料存储的技术水准、并在未来生物化学战场的探测方面发挥不可缺少的作用。碳化硅的应用领域广泛，如果碳化硅元件普及，电力转换类器件将会发生巨大变化。 包含了上述提及的混合动力等电动汽车、空调等白色家电，而且还涉及太阳能发电、风力发电、燃料电池等分散电源系统、产业设备以及通用变频器装置和通用开关电源等
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