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1，什么叫CMOS电流源漏反相器它有什么优点

互补的MOS反相器，一是本身采用MOS,速度快，功耗小；二是输出端交替导通，两个互补的MOS管不同时导通，使得效率提高

什么叫CMOS电流源漏反相器它有什么优点

2，数字电路中的CMOS反相器

因它在这截止时只有很微的漏电流流过。和一般简单的电路中串有的一个大电阻相似。
反相器就是把高电平变成低电平，或者把低电平变成高电平的门电路。反相器只有1个输入，1个输出。根据芯片的结构不同，反相器分为ttl反相器，cmos反相器...

数字电路中的CMOS反相器

3，CMOS反相器

不知你问的电流是那个电流。。T1导通，压降很小，所以T2的漏极电压近似为VDD。若接上负载则有电流。。其实T2并非一点电流没有，它在截止时存在一个亚阈漏流，可近似为电流为0，这是二级效应，你有兴趣可以查一下。不知对你有没有帮助，你要是要想了解的更多些，可以去看一本书，介绍的比较全《CMOS超大规模集成电路设计》或英文名《cmos VLSI design》

CMOS反相器

4，cmos反相器原理及应用

不知道，你是否学过 数字电路？可以参看 电子线路基础 数字部分，康华光版的。上面就有电路，这里用电脑不好画。原理，其实很简单，由PMOS和NMOS组成一个上下管的连接结构。当栅极有高于阀值的电压接入时候，上面的管子截至下的管子导通，输出的脚电平被拉低到0V输出为0；当栅极的电压低于阀值的时候，下面的管子截至，上面的管子导通，输出的电平，被拉升到了 接近电源的电压值，逻辑判断为 1。

5，cmos就是反相器么

CMOS集成电路是互补对称金属氧化物半导体集成电路的英文缩写，属于数字和逻辑功能系列的集成电路。反相器只是该系列集成电路其中的一个集成元件。
不知你问的电流是那个电流。。t1导通，压降很小，所以t2的漏极电压近似为vdd。若接上负载则有电流。。其实t2并非一点电流没有，它在截止时存在一个亚阈漏流，可近似为电流为0，这是二级效应，你有兴趣可以查一下。不知对你有没有帮助，你要是要想了解的更多些，可以去看一本书，介绍的比较全《cmos超大规模集成电路设计》或英文名《cmos vlsi design》

6，CMOS反向器的输出端可以连在一起吗

几个反向器的输出端不能连在一起，因为逻辑不同，会产生错误的逻辑
短路在一起bios就清零回复出厂设置了
反相器也叫做非门。反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成。典型TTL与非门电路电路由输入级、中间级、输出级组成。反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。随着微电子技术与工艺的不断发展和创新，以计算机为代表的各类数字电子产品应用越来越广泛，与此同时也面临着更加复杂的电磁环境。CMOS 反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心，它具有较大的噪声容限、极高的输入电阻、极低的静态功耗以及对噪声和干扰不敏感等优点，因此广泛应用于数字集成电路中。HPM可以通过缝隙、孔洞以及外露连接线缆等“后门”途径，耦合进入电子系统内部，影响系统内器件的正常工作，CMOS 反相器作为构成数字集成电路最基础的功能单元和数字电子系统中最为典型的器件，极易受 HPM“后门”耦合作用的影响，进而产生干扰、扰乱或直接损伤效应。另外，CMOS 反相器有明确的逻辑功能，HPM 或者其它类型的强电磁脉冲对其产生的扰乱效应相比于对其它器件来讲更加明显。因此，研究数字集成电路或者数字电子系统的 HPM 效应，可以从 CMOS 反相器的HPM 效应研究入手。已有研究指出 HPM 可以引起 CMOS 反相器的闩锁(latch-up)效应，进而导致扰乱效应，Kim等人对CMOS反相器的HPM效应进行了大量的实验研究，得到了一些重要结论，比如，当HPM频率较高时其引发的CMOS反相器扰乱效应将会被抑制等， CMOS 反相器在 HPM 作用下会发生闩锁效应并导致功能扰乱，但是一段时间后其功能可能会恢复正常，HPM 引起 CMOS 反相器闩锁效应的能量阈值特性。这些报道多数都是 HPM 效应实验的结果描述和规律统计，而针对具体效应与规律进行机理分析和微观解释的研究则相对较少。CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成，其中V1为NMOS管，称驱动管，V2为PMOS管，称负载管。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值，PMOS管的栅源开启电压是负值，其数值范围在2~5V之间。为了使电路能正常工作，要求电源电压UDD>(UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之间工作，其适用范围较宽。工作原理：当UI=UIL=0V时，UGS1=0，因此V1管截止，而此时|UGS2|>|UTP|，所以V2导通，且导通内阻很低，所以UO=UOH≈UDD， 即输出为高电平。当UI=UIH=UDD时，UGS1=UDD>UTN，V1导通，而UGS2=0<|UTP|，因此V2截止。此时UO=UOL≈0，即输出为低电平。 可见，CMOS反相器实现了逻辑非的功能。CMOS反相器的主要特性：在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。 在CD段V2截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0。只有在BC段，V1和V2均导通时才有电流iD流过V1和V2，并且在UI=1/2UDD附近，iD最大。希望我能帮助你解疑释惑。

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