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1,功率半导体器件的工作原理

功率半导体器件,也叫电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。原理是:通过控制门极信号控制功率半导体器件的导通和关断。半控型器件,只可控制其导通,不可控制其关断。全控型器件,导通和关断都可控制。

功率半导体器件的工作原理

2,什么是功率半导体器件有推荐的生产厂家吗

功率半导体器件又称为电力电子器件,是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等,同时具有节能功效。目前新干晶芯微公司是国内最好的功率半导体生产厂家,是自己设计的芯片和生产。
高电压和或大电流的半导体器件,一般称为功率器件。看你具体的适用范围,功率等级。
有很多,我了解的就有 苏州天孚 成都光恒 深圳加星 武汉电信器件 等等 至于华为的供应商就不清楚了。

什么是功率半导体器件有推荐的生产厂家吗

3,IGBT是什么东西

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大; MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。 IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT是什么东西

4,大功率半导体器件有哪些

你问的是大功率MOS管吗?IR公司非常多。网站:http://www.irf.com/indexsw.html(有中文)
是指能承受高电压和大电流的半导体元件,可以理解为电流通过半导体本身产生的电压降与通过它电流的乘积,实际是耗散功率,额定耗散功率越大,说明它的承载的电压或电流越大。
大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上,电流在300A以上的开关器件,包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等,900V以上的mosfet也可称为大功率器件,但是要看相应的电流等级。这些器件基本上是以硅材料为基础,经过不同的工艺生产条件生产出来。按照其功能分类,可为全控型器件和半控型器件,全控型如IGBT、IGCT、ETO等,就是通过门极可以控制器件的开通与关断,半控型器件的代表就是晶闸管,只能控制开通,而不能控制关断。

5,大功率电力电子装置常用的功率半导体开关器件有哪些

大功率电力电子装置常用的功率半导体开关有以下器件:1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。认证被拒绝,我也想看看有更好的答案,以弥补交了十多年电力电子课程的遗憾!
1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。
电力二极管。晶闸管。单向可控硅,双向可控硅。记不清了。。。。
1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。再看看别人怎么说的。

6,什么是半导体功率器件

功率半导体器件,嘿嘿,本人的本行。功率半导体器件,以前也被称为电力电子器件,简单来说,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。给个数量吧,电压处理范围从几十V~几千V,电流能力最高可达几千A。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等等。 早期的功率半导体器件:大功率二极管、晶闸管等等,主要用于工业和电力系统(正因如此,早期才被称为电力电子器件) 后来,随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展,现在功率半导体器件已经非常广泛啦, 在计算机、通行、消费电子、汽车电子 为代表的4C行业(computer、communication、consumer electronics、cartronics),功率半导体器件可以说是越来越火,现在不是要节能环保吗,低碳生活,那就需要对能量的处理进行合理的管理,power是啥?通俗的理解不就是功率P=IV 吗,所以就需要对电压电流的运用进行有效的控制,这就与功率器件密不可分! 功率管理集成电路(Power Management IC,也被称为电源管理IC)已经成为功率半导体器件的热点,发展非常迅速噢! 功率半导体器件,在大多数情况下,是被作为开关使用(switch),开关,简单的说,就是用来控制电流的 通过 和 截断。 那么,一个理想的开关,应该具有两个基本的特性: 1,电流通过的时候,这个理想开关两端的电压降是零 2,电流截断的时候,这个理想开关两端可以承受的电压可以是任意大小,也就是0~无穷大 因此,功率半导体器件的研究和发展,就是围绕着这个目标不断前进的。现在的功率半导体器件,已经具有很好的性能了,在要求的电压电流处理范围内,可以接近一个比较理想的开关。 好了,扯了这么多,举几个功率半导体器件的例子吧,刚才已经说了,功率二极管,晶闸管,还有功率BJT(就是功率双极型晶体管)这些都是第一代产品了,比较老的了,第二代是以功率MOSFET为代表的新型功率半导体器件,如VDMOS、LDMOS,以及IGBT。 VDMOS 即(vertical double-diffusion MOSFET)是纵向器件,多用于分立器件;LDMOS 即(Lateral double-diffusion MOSFET),是横向器件,其三个电极均在硅片表面,易于集成,多用于功率集成电路领域。 IGBT 即 (Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极型晶体管),可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊,国内才刚刚起步,大量需要IGBT的高技术人才,这个有钱途的。 扯了好多啊,先就这么多吧,要细说的话,可以说一天。希望我的回答对你有帮助,一字一句都是原创,望采纳

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