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1，光刻胶是什么东西

光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

光刻胶是什么东西

2，光刻胶就是ito导电膜吗那么沐里沐又是什么起什么作用呢

光刻胶是光刻胶，ITO是ITO，两回事。光刻胶（Photo resist，PR）是应用在光刻工艺中的，具备感光性，ITO（氧化铟锡）是电极材料，一般是在镀膜工艺中沉积上去的。沐里沐是钼铝钼，是金属电极的膜层材料。在TFT制造中，钼铝钼只是栅极源极最常见的材料而已，而栅极和源极是必要的。作为膜层材料，镀膜肯定是一整层的，不过经过光刻和刻蚀工艺后，最终剩下的就是我们想要的图案了。
光刻胶是光刻胶，ITO是ITO，两回事。光刻胶（Photo resist，PR）是应用在光刻工艺中的，具备感光性，ITO（氧化铟锡）是电极材料，一般是在镀膜工艺中沉积上去的。沐里沐是啥没听说过，我估计你说的是钼铝钼吧？。。。。。。是金属电极的膜层材料~再看看别人怎么说的。

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3，光刻胶加热对图形有什么影响

光刻胶里有大量的溶剂，加热后，溶剂挥发，光刻胶收缩，不过显影前与显影后的加热，图案变化是不同的。显影前，图形还没有转移上去，无所谓图案变化。先影后加热，要分2种情况，1，图案主要是LINE, 加热后，LINE 变细变矮；图案主要是孔洞的话，变化就不大，当然，加热过度的话，也会产生变化。
光刻胶的浓度对于附着力有什么影响虽然显影液中基本不含银，但也与定影液一样含有高浓度有机污染物和对人体有危害的重金属，如硫酸、硝酸及苯、甲醇、卤化银等硼酸、对苯二酚；漂白液和定影液中含有多种溴化物显影剂cd2、cd3、cd4等有害成分。其中，苯胺类的衍生物二甲基甲苯胺是中等毒性化合物，经皮肤、消化道进入人体，或吸入它的蒸气，会使人产生头疼、眩晕、蓝嘴唇或蓝指甲、蓝皮肤、气促虚弱等病状，还可能对血液中高铁血红蛋白发生作用，导致脑损害和肾障碍，高浓度接触可能导致死亡。定影液中含有的银离子是强效杀菌剂，废水中含银过高会影响废水处理厂生物处理的效果。此外，两种废液中所含的高浓度有机污染物，超过国家规定排放标准的300--1000倍。

光刻胶加热对图形有什么影响

4，x射线光刻的光刻胶是甚么

光刻胶英文是PhotoResist，又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂3种主要成份组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在暴光区能很快地产生光固化反应，使得这类材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等产生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部份，得到所需图象（见图）。 光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造和印刷制版等进程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后构成不可溶物资的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物资的即为正性胶。利用这类性能，将光刻胶作涂层，就可以在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为3种类型。①光聚合型，采取烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进1步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有构成正像的特点。②光分解型，采取含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会产生光分解反应,由油溶性变成水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采取聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其份子中的双键被打开，并使链与链之间产生交联，构成1种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是1种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限制分辨率（见感光材料）的提高。为进1步提高分辨率以满足超大范围集成电路工艺的要求，必须采取波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X射线和深紫外(＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1μm以下。

5，光刻胶是一种应用广泛的光敏材料其合成路线如下部分试剂和产物

（1）醛基（2）CH 3 COOH CH 3 COO - +H +（3）a b c（选对两个给1分，错选或多选为0分）（4）（5）CH 3 COOCH=CH 2（6） 、（7） 一定条件 （此方程式不写条件不扣分） 试题分析：根据D，可以反推出A为 ，B为 ，C为 ，羧酸X为CH 3 COOH，E为 ，F为 ；（1） 分子中含氧官能团名称为醛基（2）羧酸CH 3 COOH的电离方程式为CH 3 COOH CH 3 COO - +H +（3） 含有碳碳双键，羧基，苯环，可发生的反应类型为加聚反应，酯化反应，还原反应，不能发生缩聚反应。（4） 与Ag(NH 3 ) 2 OH反应的化学方程式为 +（5）E的结构简式为CH 3 COOCH=CH 2 。（6）与 具有相同官能团且含有苯环的同分异构体有4种，其结构简式分别为 、 、 、 。（7）D和G反应生成光刻胶的化学方程式为 一定条件 。 考点：
（1）醛基（2）CH3COOHCH3COO-+H+（3）a b c（选对两个给1分，错选或多选为0分）（4）（5）CH3COOCH=CH2（6）、（7）一定条件（此方程式不写条件不扣分）试题分析：根据D，可以反推出A为，B为，C为，羧酸X为CH3COOH，E为，F为；（1）分子中含氧官能团名称为醛基（2）羧酸CH3COOH的电离方程式为CH3COOHCH3COO-+H+（3）含有碳碳双键，羧基，苯环，可发生的反应类型为加聚反应，酯化反应，还原反应，不能发生缩聚反应。（4）与Ag(NH3)2OH反应的化学方程式为+（5）E的结构简式为CH3COOCH=CH2。（6）与具有相同官能团且含有苯环的同分异构体有4种，其结构简式分别为、、、。（7）D和G反应生成光刻胶的化学方程式为一定条件
假定你是李华，王平约你本周日一同参加同学黎明的十八岁生日聚会，但你有以下几件事情不明白，轻用英语写给王平一封电子邮件进行询问。1. 地点及开始时间；2. 交通方式；3. 准备礼物；4. 安排及结束时间。注意：1. 词数：100左右（已给出的开头和结尾不计入总词数）；什么时间结束

6，光刻胶光刻胶的概念是什么

光刻胶 photoresist 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增 感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液 体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化 反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合 性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部 分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。 光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制 版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学 反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照 后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不 可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这 种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的 电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为 三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生 成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚 合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠 氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由 油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采 用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其 分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成 一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典 型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限 制分辨率（见感光材料）的提高。为进一步提高分辨率 以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更 短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外 (＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀 胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1□m以下。 http://www.adsonbbs.com/baike_detail.asp?id=68 光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子最外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物，基态与激励态的能量差为3~6eV，相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物强烈吸收，使在化学键合中起作用的电子转入激励态。化学键合在受到这种激励时，或者分离或者改变键合对象，发生化学变化。电子束、X射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后，因与物质具有的电子相互作用，能量逐渐消失。电子束失去的能量转移到物质的电子中，因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。

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