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1，的密度是359gcm其晶格参数是042nm计算单位晶胞的肖特基缺

N=ρVNa/M=3.58*0.423*6.02*100/40.3=3.96,MyO为面心结构，晶胞有4个分子，所以单位晶胞的肖特基数目为0.04

的密度是359gcm其晶格参数是042nm计算单位晶胞的肖特基缺

2，分析包含刃型错位和螺旋错位的混合错位的滑移过程

点缺陷：肖特基缺陷弗兰克尔缺陷及饱点缺陷；线缺陷：错位包括刃型错位螺旋错位混合错位；面缺陷：角晶界堆垛层错晶界；其缺陷：辐射损伤零维与维纳米缺陷周期调制结构（非公度相）等等

分析包含刃型错位和螺旋错位的混合错位的滑移过程

3，肖特基缺陷是否影响晶体密度

影响，降低晶体密度。该种缺陷是由于表面附近原子因热运动跑到晶体表面，而在该位置产生空位，表面附近产生空位后，内部的原子又可以填充这些空位，这样晶体内部总的来说就会形成一定浓度的空位。晶粒越小引起的密度降低越显著。

肖特基缺陷是否影响晶体密度

4，实际金属晶体中有哪些缺陷

点缺陷：肖特基缺陷，弗兰克尔缺陷以及过饱和点缺陷； 线缺陷：错位，包括刃型错位，螺旋错位和混合错位； 面缺陷：小角晶界，堆垛层错，晶界； 其他缺陷：辐射损伤，零维与一维纳米缺陷，周期调制结构（非公度相）等等。

5，1600度时在MgO晶体中肖特基缺陷的浓度为8109如果还有百万分

条件缺失？弗兰克尔缺陷浓度呢？如果仅仅这样。。。直接比较8×19^-9和10^-6可知，杂质缺陷占优势。
搜一下：1600度时在MgO晶体中肖特基缺陷的浓度为8×10-9，如果还有百万分之一（mol）的杂质的Al2O3，请问此时是肖

6，Schottky defect是什么意思

肖特基缺陷(Schottkydefect)是一种化合物半导体中的点缺陷。在化合物MX中，在T>0K时，由于晶格热振动，能量大的原子离开原格点进入晶格间隙或进入表面，或蒸发到外界，而失去原子的晶格位置即出现空缺生成空位以符号VM(或VX)表示。空位是化合物半导体中常见的点缺陷之一。如果对一个按化学计量比组成的化合物MX晶体，在产生VM的同时，也产生数目相同的VX。此时产生的缺陷称肖特基缺陷，记作(VM VX)。空位可以是中性，也可带正电或负电。它对化合物半导体的导电性能有较大的影响。参考资料：搜狗百科
肖特基缺陷
肖特基缺陷(Schottkydefect)是一种化合物半导体中的点缺陷。

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