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1，什么是结电容

半导体元件如二极管三极管等内部的PN结之间的电容称为结电容

什么是结电容

2，什么叫结电容

就是半导体元件PN结两级之间的电容。
pn结电容 PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。

什么叫结电容

3，什么是二极管的结电容

两个靠近的金属板就会形成一个电容，二极管的PN结的两个极板也会形成电容，叫结电容。虽然二极管的金属板的面积极小，似乎电容极小，但由于pn结的势垒层极薄，所以两个极板的距离极小，所以实际电容也有几P到几十P。此电容还与二极管上的电压有关，当反向电压越高，势垒层越厚，结电容就越小。利用这个特点，生产出的 “变容二极管”广泛用在高频电路比如无线通讯系统中。

什么是二极管的结电容

4，什么是三极管的结电容和电路的杂散电容

晶体管结电容是指晶体管内部电极之间存在的PN结电容和电极引线间的电容。 杂散电容是指构成电路的导线之间﹑元器件之间存在的分布电容。 结电容和杂散电容都对器件和电路的工作存在影响，尤其是高频电路，影响更大。
晶体管结电容是指晶体管内部极与极之间存在的容抗特性；电路杂散电容是指电路布线之间﹑元器件之间存在的分布电容。结电容和杂散电容都对器件和电路工作有影响，需要尽量减少。

5，什么是三极管的结电容和电路的杂散电容

晶体管结电容是指晶体管内部电极之间存在的pn结电容和电极引线间的电容。 杂散电容是指构成电路的导线之间﹑元器件之间存在的分布电容。 结电容和杂散电容都对器件和电路的工作存在影响，尤其是高频电路，影响更大。
晶体管结电容是指晶体管内部极与极之间存在的容抗特性；电路杂散电容是指电路布线之间﹑元器件之间存在的分布电容。结电容和杂散电容都对器件和电路工作有影响，需要尽量减少。

6，什么是三极管的集电结电容

集电结（B---C结）结电容：PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，PN结变窄，空间电荷区变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容放电。同理，当正向电压减小时，PN结变宽，空间电荷区变宽，结中空间电荷量增加，相当于电容充电。加反向电压升高时，一方面会使耗尽区变宽，也相当于对电容的充电。加反向电压减少时，就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流，使耗尽区变窄，相当于放电。
独立的二极管pn结反向偏置时，电源正极将n区的自由电子全数拉走，经过电源内部到负极，再送到p区与空穴复合，结果使整个pn结n区无自由电子、p区无空穴，成为绝缘区，形成内电场，内电场内建电势与外加反向电压平衡。如果没有少子，反向电流就是零。实际上有少子存在，只有很微小很微小的反向漏电流。三极管的集电结即使反向偏置时，只要发射结有电流，那么集电结也就不再是绝缘区。拿npn管子来说，发射结有电流时，由于发射区掺杂浓度最大，就有大量电子从发射区向基区运动，由于基区很狭窄、掺杂浓度最低，拥挤在基区的大量电子既难以与空穴复合(安家)，又难以通过基区到达基极，结果只有少量电子艰难地到达基极形成较小的基极电流，绝大多数被集电极所接的正电源所虏获而形成较大的集电极电流。

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