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1，cpu的cache都是SRAM做的吗

并不是。 CPU的Cache主流用SRAM，还有一些采用了eDRAM。IBM的Power系列处理器，内部就有集成eDRAM。Intel的处理器中，有配备Iris Pro的处理器，自带了专用的eDRAM作为GPU的显存，当计算机不使用集成GPU时，这部分eDRAM会成为处理器的L4 Cache。

cpu的cache都是SRAM做的吗

2，i54200U核心显卡是HD Graphics 4400为什么CPU基板上有eDRAM

酷睿 i5 4200U那颗CPU，长长的核心是CPU与GPU同时封装在一颗芯片中，旁边那颗小的核心是芯片组（南桥），英特尔是为了节省超级本空间把CPU与芯片组（南桥）同时封装在了一个CPU基板上。
你这个主板是把cpu芯片和内存芯片都焊接到主板上的，主要是减小空间占用，是不是超薄本啊
一个CPU 一个GPU~~~再看看别人怎么说的。

i54200U核心显卡是HD Graphics 4400为什么CPU基板上有eDRAM

3，xbox360显卡边上那块小芯片是什么有什么作用有图

高速外部EDRAM，你可以理解为高速显存，但是又不完全是当显存用，因为这块芯片是有运算能力的，该芯片上192个单元处理器组成的逻辑电路负责多采样抗锯齿的基本数学运算工作。这些单元处理器一次可以处理32个像素，即6个单元处理器负责一个像素。这六个单元分别负责红、绿、蓝、alpha、模板和色深。像素处理器与eDRAM内存块组成了256GB/s的超宽带宽口，而GPU也不过占用了其中的32GB/s。这款芯片是NCE负责设计的
EDRAM，也就是三红的元凶。。。。。。。。

xbox360显卡边上那块小芯片是什么有什么作用有图

4，问下双65的机器GPU和EDEAM温差大要紧不

从新抹硅脂之后现在EDRAM比GPU核心低一度不到。由于EDRAM天生就比GPU核心低一些，所以如果出现EDRAM温度反超GPU的话，主要问题1是硅脂干了，2是JS刷自制需要把主板从铁壳拆下来，装回去拧那八个黑螺丝的时候估计有哪个拧的不到位，你要是动手能力强就搞搞，不知道自己在干啥就别手贱了。。。。
从新抹硅脂之后现在EDRAM比GPU核心低一度不到。由于EDRAM天生就比GPU核心低一些，所以如果出现EDRAM温度反超GPU的话，主要问题1是硅脂干了，2是JS刷自制需要把主板从铁壳拆下来，装回去拧那八个黑螺丝的时候估计有哪个拧的不到位，你要是动手能力强就搞搞，不知道自己在干啥就别手贱了。。。。

5，请教狼大如何解决GPUEdram高低差距问题

这个温差是一直存在的，因为一个EDRAM是80纳米，GPU是65纳米或90纳米，永远不可能温度一致，而且死机问题主要是GPU和主板之间脱焊。不是他俩问题
怎么折腾也只是苟延残喘而已 放弃吧
感謝大家的回答,從發帖到現在,已經發病了2次[s:117]現在從舊屍體拆下了單65CPU的散熱器裝上去gpu的位置,那麼,現在2個散熱器都是一樣了,再把原裝的機尾風扇鑽了2個洞,直接12V安裝在2個CPU散熱器的頂部,看看能活多少天?
哦，高度啊，没事，如果非关注这个的话，可以给散热片上面垫固态导热垫。
请问一下现在薄机换CBU要多少钱？
换个GPU试一下呗 反正现在单65的GPU 大概不到50元 ，干燥后 拆加换估计也就20分钟内的事情

6，同步ram和异步ram的区别

同步SRMA比异步SRAM更快。 内存，或内存储器，又称为主存储器，是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一，无疑是非常重要的。为了加快系统的速度，提高系统的整体性能，我们看到，计算机中配置的内存数量越来越大，而内存的种类也越来越多。 内存新技术 计算机指令的存取时间主要取决于内存。对于现今的大多数计算机系统，内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。因此在判断某一系统的性能时，就不能单凭内存数量的大小，还要看一看其所用内存的种类，工作速度。 有关内存的名词 关于内存的名词众多。为了便于读者查阅，下面集中进行介绍。 ROM：只读存储器 RAM（Random Access Memory）：随机存储器 DRAM（Dynamic RAM）：动态随机存储器 PM RAM（Page Mode RAM）：页模式随机存储器（即普通内存） FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速页模式随机存储器 EDO RAM（Extended Data Output RAM）扩充数据输出随机存储器 BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突发扩充数据输出随机存储器 SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步动态随机存储器 SRAM（Static RAM）：静态随机存储器 Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：异步静态随机存储器 Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突发静态随机存储器 PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水线）突发静态随机存储器 Cache：高速缓存 L2 Cache（Level 2 Cache）：二级高速缓存（通常由SRAM组成） VRAM（Video RAM）：视频随机存储器 CVRAM（Cached Vedio RAM）：缓存型视频随机存储器 SVRAM（Synchronous VRAM）：同步视频随机存储器 CDRAM（Cached DRAM）：缓存型动态随机存储器 EDRAM（Enhanced DRAM）：增强型动态随机存储器 各种内存及技术特点 DRAM 动态随机存储器 DRAM主要用作主存储器。长期以来，我们所用的动态随机存储器都是PM RAM，稍晚些的为FPM RAM。为了跟上CPU越来越快的速度，一些新类型的主存储器被研制出来。它们是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。 DRAM芯片设计得象一个二进制位的矩阵，每一个位有一个行地址一个列地址。内存控制器要给出芯片地址才能从芯片中读出指定位的数据。一个标明为70ns的芯片要用70ns的时间读出一个位的数据。并且还要用额外的时间从CPU得到地址信息设置下一条指令。芯片制作技术的不断进步使这种处理效率越来越高。 FPM RAM 快速页模式随机存储器 这里的所谓“页”，指的是DRAM芯片中存储阵列上的2048位片断。FPM RAM是最早的随机存储器，在过去一直是主流PC机的标准配置，以前我们在谈论内存速度时所说的“杠7”，“杠6”，指的即是其存取时间为70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用于总线速度为66MHz（兆赫兹）的奔腾系统（CPU主频为100，133，166和200MHz）。 快速页模式的内存常用于视频卡，通常我们也叫它“DRAM”。其中一种经过特殊设计的内存的存取时间仅为48ns，这时我们就叫它VRAM。这种经过特殊设计的内存具有“双口”，其中一个端口可直接被CPU存取，而另一个端口可独立地被RAM“直接存取通道”存取，这样存储器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同时工作，从而比一般的DRAM要快些。 EDO RAM 扩充数据输出随机存储器 在DRAM芯片之中，除存储单元之外，还有一些附加逻辑电路，现在，人们已注意到RAM芯片的附加逻辑电路，通过增加少量的额外逻辑电路，可以提高在单位时间内的数据流量，即所谓的增加带宽。EDO正是在这个方面作出的尝试。扩展数据输出(Extended data out??EDO，有时也称为超页模式??hyper－page－mode打字不易，如满意，望采纳。
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