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1，为什么小功率三极管要用外延片工艺

因为现在外延工艺生产成熟化，成本低。外延工艺能够随意的参杂，对三极管的一些电性能灵敏度影响很大~所以说要用外延片生产工艺~
这也不是绝对的，就见过用十来个三极管并联的电瓶供电的电鱼机。 一般不这样做有以下几个原因：一、三极管的参数不好做成完全一致，易造成分流不均。二、每路要加分压电阻，使电路的成本增加。三、用大功率单管，工艺简单、体积也小的多、易调整。

为什么小功率三极管要用外延片工艺

2，分子束外延技术的优点有哪些

分子束外延的英文缩写为MBE，这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。

分子束外延技术的优点有哪些

3，什么叫同质外延

外延：是指在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。同质外延：生长外延层和衬底是同一种材料，这种工艺就是同质外延；这类工艺简单，但成本较高。异质外延：外延生长的薄膜材料和衬底材料不同，或者说生长化学组分、甚至是物理结构和衬底完全不同的外延层，相应的工艺就叫做异质外延；这类工艺复杂、成本较低，
外 延：是指在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。 广义：也是一种化学气相淀积（CVD）工艺。正向外延：在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延。反向外延：与正向外延相反。同质外延：生长外延层和衬底是同一种材料，这种工艺就是同质外延。异质外延：外延生长的薄膜材料和衬底材料不同，或者说生长化学组分、甚至是物理结构和衬底完全不同的外延层，相应的工艺就叫做异质外延

什么叫同质外延

4，外延片以及LED芯片工艺问题

1.外延片指的是在衬底上生长出的半导体薄膜,薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。现在主流的外延材料是氮化镓(GaN),衬底材料主要有蓝宝石，硅，碳化硅三种，量子阱一般为5个，通常用的生产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)。这是LED产业的核心部分，需要较高的技术以及较大的资金投入(一台MOCVD一般要好几千万)。 2.外延片的检测一般分为两大类: 一是光学性能检测，主要参数包括工作电压，光强，波长范围，半峰宽，色温，显色指数等等，这些数据可以用积分球测试。 二是可靠性检测，主要参数包括光衰，漏电，反压，抗静电，I-V曲线等等，这些数据一般通过老化进行测试。 3.需要指出的是，并没有白光LED芯片，只有白光LED灯珠/管，即需要进行封装才能获得白光小LED灯，也叫灯珠，管子。 白光LED一般通过两种途径获得： 一是通过配光，将红绿蓝三色芯片进行配比封装获得白光LED. 二是通过荧光粉转换蓝光LED，从而获得白光LED. 本人正从事相关行业，无关技术机密的东西都可以说一下。

5，硅外延是什么意思

外延生长【epitaxial growth】【】 在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层的方法。外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻。生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺，常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中，也可采用红外辐照加热。为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展：减压外延、低温外延、选择外延、抑制外延和分子束外延等。外延生长可分为多种，按照衬底和外延层的化学成分不同，可分为同质外延和异质外延；按照反应机理可分为利用化学反应的外延生长和利用物理反应的外延生长；按生长过程中的相变方式可分为气相外延、液相外延和固相外延等。 http://baike.baidu.com/view/897520.htm 硅外延片:在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层(N/N+)和在P型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P+)的同质硅外延片。产品用于制作半导体器件。

6，抛光外延片生产流程 回答的好 可以加倍给分

生产工艺流程具体介绍如下：固定：将单晶硅棒固定在加工台上。切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。具体工艺流程如下：SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。DHF清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM，用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。DHF清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。磨片检测：检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在10~20um。此处产生粗抛废液。精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。检测：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。检测：查看硅片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。包装：将单晶硅抛光片进行包装。
参照Aixtron G4点检操作指导书作业 技术员将设备点检异常内容通知设备 副工、机台工程师和值班主管；值班 主管对点检异常内容进行确认并填写 《设备异常处理单》 设备工程师和设备副工继续处理设备 异常 确认手套箱内是否有足够的生产所需 物品和治具；若有缺失，要及时按需 在当班班长处领用并做好记录 参照Aixtron G4操作指导书作业 参照MES下线操作指导书作业 确认Run别、LOT号及Recipe 每30分钟确认一次磊晶生长情况： 如Recipe是否有效执行并实时记录u、 nGan反射率等参数 技术员将跳机异常内容通知设备副工 、机台工程师、班长和值班主管；班 长根据异常内容及时在MES系统中切 换设备状态；值班主管根据跳机类别 填写《设备异常处理单》或《内部联 络单》 参照Aixtron G4操作指导书作业 参照MES下线操作指导书作业 应及时将MO Source Key In LEDUP 系统中，确保LEDUP系统中Source使 用和监控有效 参照MES下线操作指导书作业 机台Idle并通知班长及时在MES系统 中切换设备状态 参照Aixtron G4操作指导书作业 参照Aixtron G4操作指导书作业和清 洁刷使用要求。清洁包含但不限于： Disc、Ceiling、Segment、 Collector Ring、Star Cover等 参照MES下线操作指导书作业 实时记录MO Source使用量 Bake或Bake Coating异常或跳机处 理方法同磊晶生长异常处理 参照Aixtron G4操作指导书作业 应及时将Bake或Bake Coating MO Source Key In LEDUP系统中，确保 LEDUP系统中Source使用和监控有效 参照雷刻机操作指导书作业 机台Idle并通知班长及时在MES系统 中切换设备状态 参照EL机台操作指导书作业 参照PL机台操作指导书作业 参照XRD机台操作指导书作业 参照PR机台操作指导书作业 参照OM目检作业指导书作业 参照Hall机台操作指导书作业 参照MES下线操作指导书作业 确认LEDUP系统中“Reports\EPI\ EPI Wafer Measurement Data下的 量测数据是否被系统抓到且有效。 "参照MES下线操作指导书作业" LED up标签列印与Wafer装袋（若出 站无法列印标签） 参照MES分批操作作业 参照MES分批操作作业 MES分批Q-Run是第1片 MES分批Q-Run不是第1片，必须在LED UP系统中进行晶片重投完成Life确认 （非需要，默认投第1片） 参照MES下线操作指导书作业 参照OM目检作业指导书作业 参照LED UP入库作业指导书作业 参照LED UP入库作业指导书作业 对入库数量、仓别签字确认 "实物入库前标签与Wafer刻号再确认"

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