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1，n沟耗尽型mosfet工作原理

例如，对于耗尽型n-MOSFET，在栅电压为0时即存在电子导电的沟道，就是线性导通状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）后才能使沟道消失（整个沟道夹断

n沟耗尽型mosfet工作原理

2，mos耗尽型管与增强型的异同点

区别在于当Vgs为0时，增强型（E型）不存在导电沟道，耗尽型（D型）存在导电沟道，原因是E型的导通电压（阈值电压）Vth>0，D型的Vth<0。

mos耗尽型管与增强型的异同点

3，N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别

1、原理不同，最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。2、控制方法是不一样的。耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通，而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的 增强型NMOS，都是正电压控制的。

N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别

4，mos管增强型与耗尽型的区别在哪里

增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。 耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。 通过改变有源区的掺杂浓度，控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料，可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET。

5，N沟道耗尽型MOS管在制造过程中在S与D极之间的衬底表面上

N沟道MOS管也就是说S、D为N+区，其沟道为N型，即为电子。N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。作为N沟道耗尽型MOS管，在制造过程中，S、D之间的衬底表面形成了导电沟道，其原因就是往沟道区域注入了磷离子或砷离子，一般来说是磷离子，砷离子常被用来作为S、D区域的注入。如果是N沟道增强型MOS管被做成了N沟道耗尽型MOS管，则可能的原因比较多，需要你提供进一步的信息。

6，那耗尽型MOS管有什么优点么或者说一般用在什么场合

以nmos为例吧，衬底为p型，在栅极和衬底之间施加电压v（gb）>0,则会在栅极与衬底之间的p区形成自上而下的电场。随着v（gb）的增大，p区多子（空穴）在电场的作用下向衬底下部移动，在靠近栅极下部的衬底部分留下带负电的受主离子，形成一层耗尽层。【摘自《模拟电路分析与设计基础》，纯手打。】耗尽是指：这一层几乎没有多子了，即多子耗尽。不懂追问。满意望采纳~
耗尽型VGS 0V以下也能导通。可用于小信号放大。

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