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1，所谓导热管散热器的穿fin工艺指的是什么

穿fin，热管穿插在鳍片之间，鳍片包裹热管相对的另一种技术是焊接，外表有明显的焊接残留物2种技术没有绝对的好坏，要看具体产品的做工

所谓导热管散热器的穿fin工艺指的是什么

2，骁龙820是14纳米还是16纳米

14nm FinFET 工艺
骁龙820采用最新14纳米finfet工艺制程，支持最高达单核2.2ghz的处理速度。

骁龙820是14纳米还是16纳米

3，骁龙835是不是采用了三星10nm FinFET制造工艺

是的，骁龙835最大的一个特点是采用了三星10nm FinFET制造工艺，2015年底发布的骁龙820则是采用三星14nm FinFET工艺。三星是业内最早推出14nm制程芯片的半导体公司，大幅领先台积电等竞争对手，而这次向10nm跨进也实属必然。
也许是的。

骁龙835是不是采用了三星10nm FinFET制造工艺

4，不是说三星的14nm相当于英特尔的22nm吗

半导体制程里面说法很多，比手机无边框那种可以打无数种擦边球的都复杂，一般认为三星在这方面就有爱吹水的偏好，所以业内很多人习惯的认为三星宣布的制程应该落后一代计算，实际上情况复杂的多，两家生产的不是同一种产品，也没法太较真。
相当于英特尔的14纳米工艺，至少英特尔是这样认为的。英特尔副总裁stacy smith说三星的工艺数字经过“美化”的，掩盖了栅极间距、晶体管密度等关键指标。比如14纳米finfet工艺下，三星栅极、鳍的间距为84、78纳米。大于intel的70纳米、64纳米；10finfet纳米工艺下，三星栅极间距为64纳米，大于intel的54纳米。英特尔的10纳米还是比较值得期待的，因为它比14纳米多了近2.5倍的晶体管。。。。

5，半导体二极管中沟槽工艺和平面工艺有什么区别

FinFET在发明之初就是为了解决平面晶体管的短沟道效应问题，其结构如图1所示。与平面晶体管不同之处在于FinFET的沟道平面垂直于衬底平面，并且沟道两侧以及顶部同时受到栅电极的电压控制，因此从静电势的分布来看，整个沟道厚度方向上存在着更为均匀的电场控制，使得沟道电荷更容易被栅电极的电压信号所调制，从而降低与源漏端的共享，即短沟道效应。相比较32 nm平面晶体管，22 nm的FinFET器件亚阈值特性更加陡峭，从而能够在较低的阈值电压下工作而不破坏关态电流，从而获得更高的驱动电流。这使得FinFET可以在更低的工作电压下工作，获得超过37%的性能提升。相比于FinFET器件，围栅纳米线器件可从各个方向控制沟道能电势，具有更强的短沟道效应控制能力，从而实现极小的泄漏电流。
网页链接一个串联回路有10个相同封装的电阻，每个电阻的额定功耗是1W：阻值相同时，该回路最大能承受10W的功耗；阻值不同时，阻值最大的电阻功耗达到1W时，其他电阻的功耗<1W，最大能承受的功耗<10W。

6，骁龙835是三星的还是小米的

都不是，是高通的。百度百科提供相关资料供您参考:骁龙835（一般指高通骁龙处理器）是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。中文名骁龙835外文名Qualcomm Snapdragon 835 Processor厂商高通[1] 用途手机等移动终端发布2016年11月17日，高通正式公布了骁龙835处理器。[2]骁龙835已经开始进行生产，2017年上半年正式出货。[2]性能制程工艺高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。[1]2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。[2]核心骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。[3]
不是

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