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1，艾赛斯和英飞凌igbt管哪个好

不能单方面的说那个好哦，要对比对比电流，电压，电阻，还有物料的性价比，再看看具体用到哪里，要具体情况具体分析哦，只有适合的才能是最好了

艾赛斯和英飞凌igbt管哪个好

2，变频器载波频率为14khz用英飞凌IGBTKT3系列好还是ke3系列好请

频率不高 这两中都可以
ke3 还生产么？再看看别人怎么说的。
可以考虑下斯达半导体的IGBT可以和英飞凌pin to pin替换Q532715001

变频器载波频率为14khz用英飞凌IGBTKT3系列好还是ke3系列好请

3，英飞凌IGBT型号FF600R12ME4B11和FF600R12ME4B11有什么区别

你这2个不是说的一个型号吗？？如果你问的是FF600R12ME4和FF600R12ME4_B11，这2个电气参数都是一样的B11的插针是压式的，有个反扣，在印制板上按下去就能装了，不带B11的要装焊上去。 建议还是用FF600R12ME4，便宜很多，自己手工焊一下也废不了什么事。

英飞凌IGBT型号FF600R12ME4B11和FF600R12ME4B11有什么区别

4，哪位大侠帮忙提供英飞凌IGBTFF200R33KF2CFF400R33KF2CFZ

你好,英飞凌IGBT 全系列现货 IKW50N60T FF75R12RT4FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF75R12RT4UC3846N FGW40N120HD FGL40N120AND IKW50N60T IKW50N60H3 IKW25N120T2/h3IKW20N60T IKW30N60H3 SKW30N60HSIKW40N120T2 IKW40N120H3 IKW40T120IDP45E60 IDW75E60 IDW100E60 IHW20N120R2 IHW30N120R2只有原装,只做原装

5，安森美的IGBT和英飞凌的有什么区别哪个性能更好igbt分立元件和

英飞凌的汽车电子目前是世界第一。在国内主要是功率器件，IGBT市场占有率高。另外在工业方面，英飞凌也是全球第一。建议还是从所需电路的细节参数入手选择更合适的，而不要仅从品牌选择。模块的3个基本特征：·多个芯片以绝缘方式组装到金属基板上；·空心塑壳封装，与空气的隔绝材料是高压硅脂或者硅脂，以及其他可能的软性绝缘材料；·同一个制造商、同一技术系列的产品，IGBT模块的技术特性与同等规格的IGBT 单管基本相同。模块的主要优势有以下几个。·多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。·多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。·多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。·一个模块内的多个IGBT芯片经过了模块制造商的筛选，其参数一致性比市售分立元件要好。·模块中多个IGBT芯片之间的连接与多个分立形式的单管进行外部连接相比，电路布局更好，引线电感更小。·模块的外部引线端子更适合高压和大电流连接。同一制造商的同系列产品，模块的最高电压等级一般会比IGBT 单管高1-2个等级，如果单管产品的最高电压规格为1700V，则模块有2500V、3300V 乃至更高电压规格的产品。IGBT的核心技术是单管而不是模块，模块其实更像组装品一管芯的组合与组装。换言之，IGBT 单管才是IGBT 制造商的核心技术。IGBT单管、IGBT模块、IPM模块他们各自的区别：1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装。2，IGBT模块：模块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起。3，PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（IGBT桥）4，IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及众多保护功能（过热保护，过压，过流，欠压保护等）的IGBT模块IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。
不用说是英飞凌好。模块是多个IGBT合在一起的。比如说一个模块里四个IGBT. 这样就能安装它的用途比如说是逆变电路中。这根据功率大小这价格也很大差距。在逆变焊机里的模块就6、700块一个再看看别人怎么说的。

6，如何正确读懂英飞凌的IGBT

如何正确读懂英飞凌的IGBT模块吗？BSM100GB120DN2KBSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块BYM--------------二极管模块 100-----------Tc=80°C时的额定电流 GA-------- 一单元模块 GB----------两单元模块(半桥模块) GD----------六单元模块 GT----------三单元模块 GP----------七单元模块(功率集成模块) GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极) GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极) 120-------额定电压×10 DL------低饱和压降 DN2----高频型 DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降 BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.FF400R12KE3FZ------------ 一单元模块FF--------------两单元模块(半桥模块)FP--------------七单元模块(功率集成模块)FD/DF------------斩波模块F4---------------四单元模块FS---------------六单元模块DD---------------二极管模块 400-------------Tc=80°C时的额定电流 R------------逆导型 S-------------快速二极管 12-----------额定电压×100 KF---------高频型(主要在大模块上使用) KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用) KS--------短拖尾高频型 KE--------低饱和压降 KT--------低饱和压降高频型二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:T 930 N 18 T M CT----------------------晶闸管D----------------------二极管 930-----------------平均电流 0-----------------标准陶瓷圆盘封装 1-----------------大功率圆盘 4-----------------厚19mm 6-----------------厚35mm 7-----------------厚08mm 8-----------------厚14mm 9-----------------厚26mm 3-----------------光触发型 N-----------------相控器件 F---------------居中门极型快速晶闸管 S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管 18 ----------耐压×100 B--------引线型 C-----------------焊针型 E-----------------平板式 T-----------------圆盘式 M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间) C ----关断电压斜率（B、C、F等）TT 430 N 22 K O FTT ----------------------双晶闸管结构 DD----------------------双二极管结构TD/DT------------------- 一个二极管＆一个晶闸管 430-------------------平均电流 N------------------相控器件 F-------------------居中门极型快速晶闸管 S-------------------阴极交错式快速晶闸管 22--------------耐压×100 K-----------模块 O---------关断时间 F -----断电压斜率

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