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1,简述光刻的工艺过程步骤

1. wafer 表面处理; 2. 旋涂光刻胶(包括抗反射层) 3. 前烘; 4. 曝光; 5. 后烘; 6. 显影,有的需要在显影前进行坚膜; 7. 刻蚀

简述光刻的工艺过程步骤

2,什么是光刻技术

http://www.cnieee.com/wdj/gk/200903/4107.html
 光刻技术:集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术. 光刻技术主要用于集成电路的制造。一些芯片 器件。
光盘刻录
就是利用激光技术制作。

什么是光刻技术

3,打印机的 光刻工艺 是什么意思

发错了地方:))我把你的问题看错了,重新回答你:一,喷墨打印头的光刻技术,打印头是一种特殊的材质,采用激光雕刻的技术,加工出打印喷孔,打印头的精细程度更好。更加省墨。二,如果你问的还不是这个问题,那就是现在有一款打印机是和光盘记录机集成了,现在这种产品已经见过报道,但是说实话,市场上我还没有看到。而且我认为意义也不大。
需要更换粉盒了。不建议自己加粉,因为劣质墨粉影响打印品质量、影响打印机寿命,灌粉过程中有墨粉泄漏还会影响身体健康。而且,用户自行拆机会影响到厂家保修的。如果要更换墨粉,可以看看oki的,墨粉都是经过独特改良的,更适应机器,打印效果是劣质墨粉远远不能比的。建议直接买原装正品硒鼓,硒鼓不仅决定了打印质量的好坏,还决定了使用者在使用过程中需要花费的金钱多少。在激光打印机中,70%以上的成像部件集中在硒鼓中,打印质量的好坏实际上在很大程度上是由硒鼓决定的。

打印机的 光刻工艺 是什么意思

4,光刻工艺的原理是什么

光刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分,所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来,都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面,制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多,要求单个器件尺寸及其间隔越来越小,所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线,即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻,制成了线宽为0.1微米的微细布线,使光刻技术达到新的水平。
光刻机制造,原理简单,难点却很多

5,光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义

毛毛 你好傻
光刻工艺主要步骤1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净,2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶膜。3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂,提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。4. 对准和曝光(A&E) 保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准,以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。所以,涂好光刻胶后,第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。5. 显影显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。6. 后烘(坚膜)经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀,胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行,使光刻胶和晶圆表面更好地粘结,必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。 7. 刻蚀刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺,主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。8. 去除光刻胶刻蚀之后,图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了,必须从表面去掉。
显影是把没固化的料洗掉,它的图案是不是掩模板的图案和你用的正胶与负胶有光
毛毛 你好傻希望对你有所帮助,望采纳。

6,光刻技术的原理是什么

光刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分,所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来,都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面,制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多,要求单个器件尺寸及其间隔越来越小,所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线,即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻,制成了线宽为0.1微米的微细布线,使光刻技术达到新的水平。
芯片纳米光刻机究竟是什么,原理是怎样的呢?今天算长见识了
光刻技术的原理集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。  光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础,这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶,随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板(MASK)照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质,而构筑栅区的地方不会被照射到,所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片,变质的光刻胶被除去,露出下面的硅片,而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作,直到最后形成成品晶片(WAFER)。
概述RDJ-I正型光刻胶是液晶显示器用正性光刻胶,可同时适用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作,具有高感度,高粘附性,高分辨率,良好的涂布性能等优点。RDJ-I正型光刻胶采用环保溶剂。RDJ-I正型光刻胶一般规格有30mpa.s,40mpa.s,50 mpa.s,使用时可根据需要稀释成不同固含量和粘度。技术指标如下表:颜色 砖红色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(热板)曝光 60-100mj/cm2显影 0.8% KOHx60sec后烤 热板120℃×120sec蚀刻 HNO3:HCl:H2O=4:23:73@40℃剥离 4%NaOH@50℃×120sec贮存期限(25℃以下暗处贮存) 6个月操作工艺参数:1.涂布:23℃,辊涂,膜厚1.1-1.8μm;2.前烤:100℃x90sec(热板),烤道100℃3—5分钟;3.曝光:90mj/cm2;4.显影:23℃,0.4% NaOH,1min,喷淋或浸渍;5.后烤:热板120℃×120sec,烤120℃,3-5分钟;6.蚀刻:45℃,FeCl3/HCl或HNO3/ HCl;7.剥离:23℃ 4-6% NaOH
集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。两种工艺:①光复印工艺②刻蚀工艺

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