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1，氮化镓化学式

Ga为+3价，N为-3价，选C GaN

氮化镓化学式

2，氮化镓的化学式最可能是哪个急

GaN镓是第三主族，是+3价，氮是第五主族，最高正价是+5价

氮化镓的化学式最可能是哪个急

3，氮化镓的化学式是什么

氮化镓化学式GaN
gan
化学式是GaN

氮化镓的化学式是什么

4，谁知道氮化镓的发展历史

功耗低等优点，并向着高亮度。氮化镓（GaN）基材料可制成高效蓝.作为第三代半导体材料的代表、寿命长。1998-09-01，美国研制出氮化镓晶体管. 它是直接带隙半导体材料，高亮度LED交通信号和指标灯，以氮化镓为基础的高亮度半导体LED具有体积小。同时，氮化镓应用领域是广泛的。可以将阳光引进室内,缓解季节性压抑,辅助癌症手术、绿光发光二极管和激光二极管LD（又称激光器），并可延伸到白光，将替代人类沿用至今的照明系统、大型化方向发展,在室温下有很宽的带隙(3.39eV).它在光电子器件如蓝光,只能在最先进的实验室中制成氮化镓不存在于自然界。氮化镓（GaN）基材料还将带来IT行业存储技术的革命。奠定了解决白色发光二极管的基础，将改写人类照明历史。氮化镓蓝光LED相关材料及器件广泛应用于全色大屏幕显示器、全彩色、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用

5，氮化镓有哪些特点可以制造哪些器件

氮化镓有哪些特点？氮化镓号称第三代半导体核心材料。相对硅而言，氮化镓拥有更宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。如果氮化镓替换现在所有电子设备，可能会让电子产品的用电量再减少10%或者25%。可以制造哪些器件？太远离生活的产品不说，采用氮化镓为材料基础做出的充电器，能够实现更好的功率，带来更小的体积。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，在充电器中的应用也逐步布局开来。氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的变压器，让充电器可以有效缩小产品尺寸。比如导入USB PD快充参考设计，使目前常见的45W适配器设计可以采用30W或更小的外形设计。
什么是GAN氮化镓充电器是什么原理？我们传统充电器是开关电源工作频率60KHZ左右MOS管内阻大大功率温度必须需要加铝散热片风扇。GAN氮化镓材料是加MOS管里面提高工作频率最大可以做到1MHZ，还是低内阻80W以下的充电器不需要加散片可以省出很多空间次级部分用同步整流效率也更高整体温度降低体积变小。深圳市华电尼电子有限公司开发几款可折叠插脚可更欧规英规澳规头阿里巴巴可以找到了
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。详见百度百科：百度百科__氮化镓
氮化镓具有高禁带、高电压、高功率、高带宽的特点。在射频微波领域，可以采用传统工艺的产品理论上都可以使用氮化镓。目前主要是大功率放大器、大功率开关、限幅器等跟功率相关的高频器件应用。长期来看，在低功率应用方面，比如低噪声放大器、手机放大器等这些器件方面，氮化镓也是可以工作的。对于氮化镓应用，现阶段各大半导体都很重视，不久前，MACOM和ST就硅基氮化镓晶元方面达成协议，以求共同努力，促进硅基氮化镓相关器件的量化和普及，早日实现其在无线通讯及射频能量等方面的广泛应用。
与硅器件相比，由于氮化镓的晶体具备更强的化学键，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗，以及电子具备更短的转换时间。总的来说，氮化镓器件具备开关快、功率损耗及成本低的优势。资料来源--macom硅基氮化镓。

6，氮化镓是什么东西 目前技术成熟吗

GaN ，氮化镓 这是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 GaN材料的缺点和问题 一方面，在理论上由于其能带结构的关系，其中载流子的有效质量较大，输运性质较差，则低电场迁移率低，高频性能差。 另一方面，现在用异质外延（以蓝宝石和SiC作为衬底）技术生长出的GaN单晶，还不太令人满意（这有碍于GaN器件的发展），例如位错密度达到了108~1010/cm2（虽然蓝宝石和SiC与GaN的晶体结构相似，但仍然有比较大的晶格失配和热失配）；未掺杂GaN的室温背景载流子（电子）浓度高达1017cm-3（可能与N空位、替位式Si、替位式O等有关），并呈现出n型导电；虽然容易实现n型掺杂（掺Si可得到电子浓度1015~1020/cm3、室温迁移率＞300 cm2/ V.s 的n型GaN），但p型掺杂水平太低（主要是掺Mg），所得空穴浓度只有1017~1018/cm3，迁移率＜10cm2/V.s，掺杂效率只有0.1%~1%（可能是H的补偿和Mg的自身电离能较高所致）。 GaN材料的优点与长处 ①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强； ②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）； ③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG（因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素）； ④晶格对称性比较低（为六方纤锌矿结构或四方亚稳的闪锌矿结构），具有很强的压电性（非中心对称所致）和铁电性（沿六方c轴自发极化）：在异质结界面附近产生很强的压电极化（极化电场达2MV/cm）和自发极化（极化电场达3MV/cm），感生出极高密度的界面电荷，强烈调制了异质结的能带结构，加强了对2-DEG的二维空间限制，从而提高了2-DEG的面密度（在AlGaN/GaN异质结中可达到1013/cm2，这比AlGaAs/GaAs异质结中的高一个数量级），这对器件工作很有意义。 总之，从整体来看，GaN的优点弥补了其缺点，特别是通过异质结的作用，其有效输运性能并不亚于GaAs，而制作微波功率器件的效果（微波输出功率密度上）还往往要远优于现有的一切半导体材料。 编辑本段GaN器件制造中的主要问题 因为GaN是宽禁带半导体，极性太大，则较难以通过高掺杂来获得较好的金属-半导体的欧姆接触，这是GaN器件制造中的一个难题，故GaN器件性能的好坏往往与欧姆接触的制作结果有关。现在比较好的一种解决办法就是采用异质结，首先让禁带宽度逐渐过渡到较小一些，然后再采用高掺杂来实现欧姆接触，但这种工艺较复杂。总之，欧姆接触是GaN器件制造中需要很好解决的一个主要问题。
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