硅基芯片，硅基LED芯片性能解析它凭什么能获得国

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1，硅基LED芯片性能解析它凭什么能获得国
2，硅压力传感器芯片的运用领域及一些特色是什么
3，电脑的CPU为什么用硅
4，3d8面性修改时如何清除多余的线条
5，科学家是怎么知道硅提纯后可以作为CPU呢
6，硅半导体集成电路为什么是化学贡献

1，硅基LED芯片性能解析它凭什么能获得国

这个技术早不是高精尖了，为什么不做，是因为没有市场做出来就是亏本，跟CPU一样，做出来卖不出去，做出来的意义是用来放在博物馆吗？该做的技术，砸锅卖铁都要做出来，这些不是尖端技术的，国家也没放眼里。

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硅基LED芯片性能解析它凭什么能获得国

2，硅压力传感器芯片的运用领域及一些特色是什么

应用:1汽车轮胎压力监测 2发动机控制 3大气压力测量 4空压表 5手执压力计特色:①固态、MEMS技术、高可靠性 ②低成本、小尺寸 ③标准压力范围：0－100KPa； 0－700KPa ④非线性 < 0.20%FSO ⑤硅／硅键合芯片，稳定性好

被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上（不锈钢或陶瓷），使膜片产生与介质压力成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化，应用电子线路检测这一变化，并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号（通常为电压信号）。所谓的扩散硅，就是通过工艺技术处理的掺杂硅基。虽然天天在用，但原理不太清楚。上述是我的理解，你自己找些有关书籍看看吧。

硅压力传感器芯片的运用领域及一些特色是什么

3，电脑的CPU为什么用硅

硅元素在地壳中的储量十分惊人且非常充足（仅次于氧），氧硅铝铁钙……“锗”的储量当然比不上氧和硅，关键在于“锗”的分布特别的分散，几乎没有比较集中的锗矿，这就为开采锗增加了巨大的难度。硅的储量不仅充足开采也十分方面，而“锗”却因为分散而增加了难度且需要耗费更多的产能。“硅”的稳定性相对来说比“锗”更高，尤其是它们的氧化物更是如此。二氧化硅是致密的绝缘体，且不溶于水。但氧化锗就比较蓬松啦，且溶于水。除此之外，“锗”在高温下极不稳定，比硅重且易碎。

为了cpu和散热片更好的接触，达到散热的最好效果

电脑cpu的核心材料用硅，原因是：1. 目前能制成半导体（电子原件中最重要的原件）的只有两种物质，一是硅，二是锗，全是金属！2. 而锗在一些方面不如硅好，所以就用硅了，通过氧化，掺入别的元素，还有光刻，就做成电子芯片了，而别的金属都做不到这一点。3. 至于CPU是如何进行让计算的，这个不是一句两句能说明白的，原理上有些书上可能有，根本上是如何计算的，这个是核心技术，只有CPU厂的技术人员知道。4. 简单说一下，在计算机里是用二进制来计算的，就是0和1，0是低电位，1是高电位。

因为硅是目前使用最广的半导体材料。

这是我看到的答案半导体啊，只有硅跟锗是半导体材料，锗不能做cpu，只能用硅了，而且要完全纯净的。楼主，处理器都是半导体做的，不是金属的。

就因为两个字“简单”就因为用硅简单。其实像碳之类都可以做，现在也有这个技术，但是这个工业社会谁会放弃眼前利益，去傻傻开发更高科技而且难度比用硅大多了。。当这个硅已经不够用的时候就会有其他的出现了。其实现在碳纳米半导体已经出现在人们的视线了。因为硅的工艺快极限了。不要说为什么以前不出现。牛顿发现万有引力之前为什么没人发现？

电脑的CPU为什么用硅

4，3d8面性修改时如何清除多余的线条

用电路板测试一下

、EMI的来源数字集成电路从逻辑高到逻辑低之间转换或者从逻辑低到逻辑高之间转换过程中，输出端产生的方波信号频率并不是导致EMI的唯一频率成分。该方波中包含频率范围宽广的正弦谐波分量，这些正弦谐波分量构成工程师所关心的EMI频率成分。最高EMI频率也称为EMI发射带宽，它是信号上升时间而不是信号频率的函数。计算EMI发射带宽的公式为： F=0.35/Tr 其中：F是频率，单位是GHz；Tr是单位为ns(纳秒)的信号上升时间或者下降时间。从上述公式中不难看出，如果电路的开关频率为50MHz，而采用的集成电路芯片的上升时间是1ns，那么该电路的最高EMI发射频率将达到350MHz，远远大于该电路的开关频率。而如果IC的上升时间为500ps，那么该电路的最高EMI发射频率将高达700MHz。众所周知，电路中的每一个电压值都对应一定的电流，同样每一个电流都存在对应的电压。当IC的输出在逻辑高到逻辑低或者逻辑低到逻辑高之间变换时，这些信号电压和信号电流就会产生电场和磁场，而这些电场和磁场的最高频率就是发射带宽。电场和磁场的强度以及对外辐射的百分比，不仅是信号上升时间的函数，同时也取决于对信号源到负载点之间信号通道上电容和电感的控制的好坏，在此，信号源位于PCB板的IC内部，而负载位于其它的IC内部，这些IC可能在PCB上，也可能不在该PCB上。为了有效地控制EMI，不仅需要关注IC芯片自身的电容和电感，同样需要重视PCB上存在的电容和电感。当信号电压与信号回路之间的耦合不紧密时，电路的电容就会减小，因而对电场的抑制作用就会减弱，从而使EMI增大；电路中的电流也存在同样的情况，如果电流同返回路径之间耦合不佳，势必加大回路上的电感，从而增强了磁场，最终导致EMI增加。换句话说，对电场控制不佳通常也会导致磁场抑制不佳。用来控制电路板中电磁场的措施与用来抑制IC封装中电磁场的措施大体相似。正如同PCB设计的情况，IC封装设计将极大地影响EMI。电路中相当一部分电磁辐射是由电源总线中的电压瞬变造成的。当IC的输出级发生跳变并驱动相连的PCB线为逻辑“高”时，IC芯片将从电源中吸纳电流，提供输出级所需的能量。对于IC不断转换所产生的超高频电流而言，电源总线始于PCB上的去耦网络，止于IC的输出级。如果输出级的信号上升时间为1.0ns，那么IC要在1.0ns这么短的时间内从电源上吸纳足够的电流来驱动PCB上的传输线。电源总线上电压的瞬变取决于电源总线路径上的电感、吸纳的电流以及电流的传输时间。电压的瞬变由下面的公式所定义： V=Ldi/dt，其中：L是电流传输路径上电感的值；di表示信号上升时间间隔内电流的变化；dt表示电流的传输时间(信号的上升时间)。由于IC管脚以及内部电路都是电源总线的一部分，而且吸纳电流和输出信号的上升时间也在一定程度上取决于IC的工艺技术，因此选择合适的IC就可以在很大程度上控制上述公式中提到的所有三个要素。 2、IC封装在电磁干扰控制中的作用 IC封装通常包括：硅基芯片、一个小型的内部PCB以及焊盘。硅基芯片安装在小型的PCB上，通过绑定线实现硅基芯片与焊盘之间的连接，在某些封装中也可以实现直接连接。小型PCB实现硅基芯片上的信号和电源与IC封装上的对应管脚之间的连接，这样就实现了硅基芯片上信号和电源节点的对外延伸。贯穿该IC的电源和信号的传输路径包括：硅基芯片、与小型PCB之间的连线、PCB走线以及IC封装的输入和输出管脚。对电容和电感(对应于电场和磁场)控制的好坏在很大程度上取决于整个传输路径设计的好坏。某些设计特征将直接影响整个IC芯片封装的电容和电感。首先看硅基芯片与内部小电路板之间的连接方式。许多的IC芯片都采用绑定线来实现硅基芯片与内部小电路板之间的连接，这是一种在硅基芯片与内部小电路板之间的极细的飞线。这种技术之所以应用广泛是因为硅基芯片和内部小电路板的热胀系数(CTE)相近。芯片本身是一种硅基器件，其热胀系数与典型的PCB材料(如环氧树脂)的热胀系数有很大的差别。如果硅基芯片的电气连接点直接安装在内部小PCB上的话，那么在一段相对较短的时间之后，IC封装内部温度的变化导致热胀冷缩，这种方式的连接就会因为断裂而失效。绑定线是一种适应这种特殊环境的引线方式，它可以承受大量的弯曲变形而不容易断裂。

5，科学家是怎么知道硅提纯后可以作为CPU呢

汝这个提问，和“科学家和工程师们是怎么知道钢铁和塑料等材料加工后可以做出汽车呢？”是一回事，一样搞笑。用硅做出CPU当然不是一蹴而就，一朝一夕之功。更不是灵感闪现的偶然所得，是千千万万科学家和工程师们艰辛探索，一步一个脚印踏踏实实搞出来的。早在半个多世纪前，可能是在无意之间，科学家用提纯后的半导体材料（最早是锗）和金属材料结合，发现了的PN结效应（具有单向导电性，当然，更早的单向导电性是利用某些矿石发现的），发明了半导体二极管。随着对半导体导电机理的深入研究，再后来又发明了具有放大作用和开关作用的晶体三极管、可控硅晶闸管、双结性晶体管、场效应三极管、稳压二极管等等新型半导体器件。早期的晶体管都是锗材料的，后来又找到了硅，发现硅制造晶体管比锗具备更多的优点，锗就逐步被淘汰，硅晶体管遂大行其道。当然，如今砷化镓、碳晶体管等新兴半导体材料、技术方兴未艾，将来的半导体技术前景肯定会更美好。随着半导体技术工艺的不断进步，到了上世纪六七十年代，自然而然的实现了将多个晶体管做到一起，在一片硅晶片上将数十上百上千的晶体管集成在一起做出比较复杂的集成电路（即所谓IC），再后来集成度越来越高，从最初的集成几十个晶体管到后来的上百万上千万乃至今天的数亿，电路越来越复杂，速度越来越快，功能越来越强大，性能越来越高。与此同步的是计算机技术的发展，从上个世纪40年代最早诞生的电子管计算机（电路简单、计算能力低下、耗电非常恐怖）起步，到六十年代采用晶体管分立元件搭建电子计算机，使得计算机的电路和采用电子管相比呈几何级数的进步，性能激增功耗却大幅减小，体积更加小巧占地更少。集成电路诞生后，人们自然会想到将计算机中的晶体管分立元件电路用集成电路取代，让设备更加小型化、简化电路设计、提高电路可靠性、降低功耗提升电路复杂程度和性能。要知道，其实大规模集成电路更适合数字电路（计算机电路就是纯粹的数字逻辑电路）。所以从上个世纪六十年代末七十年代初开始，计算机普遍进入集成电路时代。有需求就有动力，接下来到今天的半个世纪，是大规模集成电路发展的黄金时期，催生出了一大批依靠集成电路研发的巨头级公司，包括日本的索尼、东芝、松下，美国的IBM、英特尔、AMD、摩托罗拉、高通、英伟达等等，以及欧洲的一些公司汝飞利浦、西门子、诺基亚等等等等，这里不再一一罗列。到如今，不仅CPU、GPU、内存存储设备等计算机核心部件采用硅基集成电路，各类功能复杂的通信产品、消费类电子数码产品普遍都采用集成电路，纯分立元件电路越来越少。综上所述，汝还认为用硅做芯片，是科学家随便做了个梦，偶得的灵感么？科学发展史上，确实有很多发明创造来自偶然的发现，甚至是匪夷所思而来的灵感闪现，但更多的是踏踏实实的研究和顺其自然水到渠成。

读完这片文章就知道了：灵魂史话再看看别人怎么说的。

现在市场上产品丰富，琳琅满目，当你使用着配置了最新款CPU的电脑在互联网上纵横驰骋，在各种程序应用之间操作自如的时候，有没有兴趣去想一想这个头不大、功能不小的CPU是怎么制作出来的呢。在今天的半导体制造业中，计算机中央处理器无疑是受关注程度最高的领域，而这个领域中众所周知的两大巨头，其所遵循的处理器架构均为x86，而另外一家号称信息产业的蓝色巨人的IBM，也拥有强大的处理器设计与制造能力，它们最先发明了应变硅技术，并在90纳米的处理器制造工艺上走在最前列。在今天的文章中，我们将一步一步的为您讲述中央处理器从一堆沙子到一个功能强大的集成电路芯片的全过程。制造CPU的基本原料如果问及CPU的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案—是硅。这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。

6，硅半导体集成电路为什么是化学贡献

那种集成电路用的是激光烧蚀和化学腐蚀结合的技术硅上面弄一层光敏的涂层，激光烧出个电路来，之后再化学腐蚀，有涂层的地方就不会被腐蚀了，之后还要再往烧出的电路里灌上含某些离子的填充物改变电学性质

先介绍板答题存储器：据写入特性，可粗略地将半导体存储器划分为随机存取存储器（RAM，Random-Access Memory）和只读存储器（ROM，Read-Only Memory）两类。更进一步则可以细分为Flash，ROM，SRAM，EPROM，EEPROM和DRAM等存储器类型特征FLASH 低价格，高密度，高速体系结构，低功耗，高可靠性ROM（Read-Only Memory）成熟，高密度，可靠，底价格，需要耗时的掩模，适合具有固定代码的大量产品SRAM（Static Random-Access Memory）速度最快，高功耗，低密度，价格较高EPROM（Electrically Programmable Read-Only Memory）高密度，必须暴露在紫外线才能檫除EEPROM or E2（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）可电字节檫除，低可靠性，高价格，密度最低DRAM（Dynamic Random Access Memory）低价格，高密度，高速，高功耗1.RAM：RAM是最常用的计算机内存储器。RAM被认为是“随机存取存储器（random access memory）”，因为如果你知道任何一个存储单元对应行和列，你就能直接存取（访问）它。工作原理：似于微处理器，存储芯片是一个集成电路（IC，integrated circuit），由数以百万记的晶体管和电容构成。大多数计算机内存是动态随机访问存储器（DRAM，dynamic random access memory），一个晶体管和一个电容搭配起来形成一个存储单元（memory cell），它可以存储一个比特的数据。电容保持这个信息比特是0还是1，晶体管则像一个开关，使存储芯片上的控制电路读该电容或改变电容的状态。一个电容好象是一个能容纳电子的小桶。对于存储1的内存单元，桶是装满了电子。对于存储0的单元来说它是空的。对于电容这个“桶”来说，问题是它有泄漏。在很短时间内装满的桶会变空。因此，要使动态内存工作，无论是CPU还是存储控制器都不得不对所有为1的电容在它们漏电前重新充电。为了完成这个任务，内存控制器读内存后再写回去。这个更新操作在一秒内自动进行几千次。2.ROM：只读存储器(ROM，Read-only memory ), 也被称作固件（firmware）,当它被制造时就被做成以指定数据编程的集成电路。ROM芯片不仅用在计算机里，而且还用在大多数电子产品中。有五种基本ROM 类型:1.ROM 2.PROM 3.EPROM 4.EEPROM 5.Flash memory工作原理：类似随机存取储存器（RAM），ROM芯片包含一个由行列构成的栅格。但是ROM芯片在行列相交处，ROM同随机存取储存器芯片是根本不同的。随机存取储存器使用晶体管来接通或断开对各交点处的电容的读取。对于ROM，如果值为1的话，就用一个二极管连接这些线；如果值是0, 那麽这些线则不被连接。一个二极管正常情况下只允许电流向一个方向流动，而且有一个门限值，就是所称的正向转折（forward breakover），它决定了二极管的击穿电流。在例如处理器和存储器芯片这样的硅基器件中，正向转折电压约为0.6伏。利用二极管的单向性，一个ROM 芯片能送一高于正向转折电流的电荷到相应的列而同时让被选中行接地，以接通一个指定的单元。如果一个二极管在那个单元导通，电荷将被接地，那么，在二进位的系统之下，该单元将会被读作 "ON"（取值为1）。很巧妙的一点是，如果单元的值是0，那么在ROM 行列相交处就没有二极管导通，因此列上的电荷就不会传到行上。ROM芯片的这种工作方式要求芯片被产生的时候，就得以正确完整的数据进行编程。你不能够重新编程或重写一枚标准的 ROM 芯片。如果它是不正确的, 或数据需要被修改，只得丢弃它，再重新做一个。通常，为一枚 ROM 芯片创造最初的模板的过程是一个艰辛的过程，充满了尝试和错误。但是ROM芯片的优点却胜过了它的缺点。一旦制成模板, 制作芯片时每个芯片就只花费很少的时间。它们耗电量很小，又非常可靠，在极小的电子装置中，包含有控制该装置所必需的程序。答案补充　　半导体集成电路是将晶体管，二极管等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，完成特定的电路或者系统功能。　　在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路装置，在所述半导体衬底上有：设置在所述电路块边缘的多个焊盘和从所述电路块延伸至所述焊盘之间的多条布线；所述多个焊盘跟半导体集成电路装置的外部引线连接，且所述多条布线是在所述半导体衬底的主面上设有另一电路块时，用以跟来自该另一电路块的布线连接的布线，做成具有能够与来自该另一电路块的布线连接的形状。

就是利用光刻，实现在一小块硅上面完成几个几十个甚至亿万个二极管三极管等等。它主要用在弱点方面，在强电上和大功率大电流上，还是需要独立大功率的元器件支持，例如大功率电容，大电流的三极管和电阻，等等。

因为需要高纯度的硅，这对反应条件，工艺要求都很高

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