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1，有没有工作电压18伏输出功率6W左右的集成功率芯片介绍一

没有吧，要有的话你看VIPER系列的如何？不过输出是一个矩形波！你的输出有没有要求？再就是18V电压下工作的多了去呢！因为你也没有说不可以用什么降压什么的！ 我随意找一个芯片是5V的，用一个降压的手法给整下来电压在供电工作！那不是一个意思 吗？
6w是额定功率，标多少是多少，除非有省电工作模式不然一直的6w。现在poe供电可以达到30w，没问题的。

有没有工作电压18伏输出功率6W左右的集成功率芯片介绍一

2，LED大功率芯片一般指多大面积的芯片

大功率LED的灯珠芯片尺寸，根据不同品牌，尺寸也是不同的。一般中等产品灯珠芯片尺寸是38MIU。档次最高的灯珠芯片，很多都是45MIU。发光二极管简称为LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。

LED大功率芯片一般指多大面积的芯片

3，请教大家一个功率芯片的框架图我怎么看不明白检测电流端和实际输

看来你没有明白这个芯片的作用啊，这个芯片是用来放大输入信号的，也就是说输入一个小信号，可以输出几A的电流。而且它的电流检测管脚不是输入，是输出，这个管脚也是输出电流信号，当然这个电流信号比OUTPUT的输出要小很多，但他们是同比例的。也就是说输出5A时，电流检测管脚输出可能是1mA，这样在这个管脚上串联一个1K电阻到地，就产生了一个电压1V；如果输出是10A，那电阻上就得到2V的电压。那么单片机检测到这个电压就知道输出电流是多少了。所以这个电流检测管脚实际上时同比例输出一个小电流信号，方便单片机去检测电流，而不是功率芯片自己在做电流检测。

请教大家一个功率芯片的框架图我怎么看不明白检测电流端和实际输

4，什么芯片可以测量功率和功率因数

功率测量芯片很多，世界几个著名公司都有这个产品。你也可以用个单片机完成。功率因数是根据能量计量算出来的,现成的芯片可以使用电度表片，只是要注意有些廉价的电度表片不支持功率因素的测量。如果追求更高的测试精度可以用电流、电压互感器加运放、AD、MCU系统实现，互感器可以得到电压、电流的数值，然后根据相位差即可计算得到功率和功率因素。
你好：——★1、功率因数为有功功率与视在功率的比值，即：功率因数 cos φ ＝有功功率 p ÷ 视在功率 s 。功率因数可以反映用电的质量。——★2、测量功率因数只是反映用电的质量，然后应该根据功率因数进行补偿，使功率因数得以提高，降低供电线路的功率损耗。

5，制造大功率LED芯片的几种方法

。国际上通常的制造大功率LED芯片的方法有如下几种：　　①大尺寸法。通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。　　②矽底板倒装法。首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的矽底板，并在矽底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与矽底板焊接在一起。这样的结构较为合理，既考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的大功率LED的生产方式。　　美国Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒装芯片（FCLED）结构，其制造流程是：首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的NiAu层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出N型层；经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1mm×1mm，P型欧姆接触为正方形，N型欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（ESD）的矽载体上。　　③陶瓷底板倒装法。先利用LED芯片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热效果非常理想，价格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的积体电路一体化封装预留空间。　　④蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。　　⑤AlGaInN碳化矽（SiC）背面出光法。美国Cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的厂家，几年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提高。

6，什么是半导体功率器件

功率半导体器件，嘿嘿，本人的本行。功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。给个数量吧，电压处理范围从几十V~几千V，电流能力最高可达几千A。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等等。 早期的功率半导体器件：大功率二极管、晶闸管等等，主要用于工业和电力系统（正因如此，早期才被称为电力电子器件） 后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，现在功率半导体器件已经非常广泛啦， 在计算机、通行、消费电子、汽车电子 为代表的4C行业（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半导体器件可以说是越来越火，现在不是要节能环保吗，低碳生活，那就需要对能量的处理进行合理的管理，power是啥？通俗的理解不就是功率P=IV 吗，所以就需要对电压电流的运用进行有效的控制，这就与功率器件密不可分！ 功率管理集成电路（Power Management IC，也被称为电源管理IC）已经成为功率半导体器件的热点，发展非常迅速噢！ 功率半导体器件，在大多数情况下，是被作为开关使用（switch），开关，简单的说，就是用来控制电流的 通过 和 截断。 那么，一个理想的开关，应该具有两个基本的特性： 1，电流通过的时候，这个理想开关两端的电压降是零 2，电流截断的时候，这个理想开关两端可以承受的电压可以是任意大小，也就是0~无穷大因此，功率半导体器件的研究和发展，就是围绕着这个目标不断前进的。现在的功率半导体器件，已经具有很好的性能了，在要求的电压电流处理范围内，可以接近一个比较理想的开关。 好了，扯了这么多，举几个功率半导体器件的例子吧，刚才已经说了，功率二极管，晶闸管，还有功率BJT（就是功率双极型晶体管）这些都是第一代产品了，比较老的了，第二代是以功率MOSFET为代表的新型功率半导体器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。 VDMOS 即（vertical double-diffusion MOSFET）是纵向器件，多用于分立器件；LDMOS 即（Lateral double-diffusion MOSFET），是横向器件，其三个电极均在硅片表面，易于集成，多用于功率集成电路领域。 IGBT 即 （Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极型晶体管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊，国内才刚刚起步，大量需要IGBT的高技术人才，这个有钱途的。 扯了好多啊，先就这么多吧，要细说的话，可以说一天。希望我的回答对你有帮助，一字一句都是原创，望采纳

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