本文目录一览

1，IGCT的开关频率可以超过8KHZ吗

ICGT有与IGBT相同的开关性能，即它是GTO和IGBT相互取长补短的结果，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件。IGCT的关断能力是十万赫兹级别甚至百万赫兹级别，8KHZ没有问题哈。

IGCT的开关频率可以超过8KHZ吗

2，牵引级IGBT 是iGCT吗

IGBT和IGCT是两个不同的产品；牵引级IGBT是指大电压（3300V以上）大电流封装的IGBT模块,而且IGBT芯片出厂要求和可靠性试验要求都比普通IGBT芯片要求高。
igcb 更多用于超高功率（兆瓦级）的电气设施中。igct具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点igbt综合了gtr、mosfet两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，载流密度大等特点

牵引级IGBT 是iGCT吗

3，IGBTIGCT为什么很少用来整流

IGBT/IGCT 太贵了用来整流浪费啊整流一般用二极管或晶闸管
你是说用在整流器当中？因为IGBT适合在低频场合应用，而整流器一般工作频率都比较高（上百k),所以在逆变器这种低频大功率场合应用比较多，当然，现在有的厂家已经有了可以工作到几十k到一百k的IGBT,可以应用到整流器中。
igcb 更多用于超高功率（兆瓦级）的电气设施中。igct具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点igbt综合了gtr、mosfet两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，载流密度大等特点

IGBTIGCT为什么很少用来整流

4，集成门极换流晶闸管IGCT是什么意思

集成门极换流晶闸管IGCT，有的厂家也称为GCT（Gate-Commutated Thyristor）,即门极换流晶闸管，是20世纪90年代后期出现的新型电力电子器件。IGCT将IGBT与GTO的优点结合起来，其容量与GTO相当，但开关速度比GTO快10倍，而且可以省去GTO应用是庞大而复杂的缓冲电路，只不过其所需的驱动功率仍然很大。目前，IGCT正在与IGBT以及其他新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。
创源立晶公司挺好的，原装进口品质，可以放心。应用领域：风力发电、功率补偿、主变流器、辅变流器、大型不间断电源、感应加热、高压变频器等

5，高压变频器是用IGBT模块好还是IGCT模块好

1、IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。2、相对于IGBT而言，IGCT投放市场的时间较晚，应用也没有IGBT广，技术成熟度应该不如IGBT。　　变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。随着现代电力电子技术和微电子技术的迅猛发展，高压大功率变频调速装置不断地成熟起来，原来一直难于解决的高压问题，通过器件串联或单元串联得到了很好的解决。高压变频器的种类繁多，其分类方法也多种多样。
IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。 已用于电力系统电网装置（100MVA）和的中功率工业驱动装置（5MW）IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间（到09年为止），由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路，因而所需的功率元件数目更少，运行的可靠性大大增高。 　　IGCT集IGBT（绝缘门极双极性晶体管）的高速开关特性和GTO（门极关断晶闸管）的高阻断电压和低导通损耗特性于一体，一般触发信号通过光纤传输到IGCT单元。在ACS6000的有缘整流单元的相模块里，每相模块由IGCT和续流二极管、钳位电容、阻尼电阻组成，由独立的门极供电单元GUSP为其提供能源。赞同3|评论
1、igct具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。2、相对于igbt而言，igct投放市场的时间较晚，应用也没有igbt广，技术成熟度应该不如igbt。 目前的 igbt和igct开、关损耗都差不多，构成的变频器，效率也差别不大。 要论优势，主要是igct的耐压目前比igbt的耐压高，应用于高压变频器的话使得器件减少。但是目前的风电变流器都是690v的，igbt的耐压也就足够了。 igbt和igct，谁是电力电子器件的发展方向？目前学术界正在争论，虽然igct出现晚，但至少在目前，还看不出它相对igbt有什么优势。但也有可能随着技术的发展，两者并驾齐驱，或者都被某种新的器件代替。 与igct所对应的是iegt, iegt也称为压装式igbt （ppi). iegt(injection enhanced gate transistor)是耐压达4kv以上的igbt系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。 iegt具有作为mos系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。 日本东芝开发的iect利用了“电子注入增强效应”，使之兼有igbt和gto两者的优点：低饱和压降，宽安全工作区(吸收回路容量仅为gto的1/10左右)，低栅极驱动功率(比gto低两个数量级)和较高的工作频率，如图3所示。器件采用平板压接式电极引出结构，可靠性高，性能已经达到4.5kv/1500a的水平。
1、IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。2、相对于IGBT而言，IGCT投放市场的时间较晚，应用也没有IGBT广，技术成熟度应该不如IGBT。

6，高压IGBT模块的特性和应用注意事项

北京瑞田达公司新一代3300V 1200A的IGBT模块，仍保持IGBT模块的典型特性，即损耗低、噪音小和短路耐量大的特性。其饱和压降与1600V 的产品差不多，通过降低50%左右的短路电流而实现其可与1200V/1600V IGBT相比拟的较好的短路耐量。 另外，由于门极输入和反馈电容的变化，新一代高压型IGBT表现出不同的输入特性。这在设计门极驱动时务必加以考虑。由于门极采用RC回路（阻容回路），故单位时间里电流和电压的变化量（dI/dt 和dv/dt）可以被独立地调整，从而实现在IGBT和二极管的安全工作区里使开关损耗降到最小。1. 可靠的短路耐量 短路耐量是IGBT最重要的性能之一。短路电流被限定在额定电流的8～10倍，导致耗散功率大量提升，比如一个2KV 12KA 的IGBT，损耗将达到24MW。故对于高压型的IGBT来说，必须通过减少短路电流（Isc）实现降低损耗的目的。对于3300V的IGBT来说，其应用电路直流侧电压的典型值大约在1500V～2000V之间，为1600V IGBT的两倍，所以为了得到与1600V IGBT相同的损耗，必须减少其电流，这可以通过采用优化的高压元胞设计，把短路电流减少到其额定电流值的5倍而得到实现。2. 动态传输特性 IGBT的元胞设计已考虑了输入和反馈电容的影响，因为它们对器件的动态传输特性有重要影响。这说明在相同的驱动条件下，高压型IGBT与1200V 和1600V的开通情况是大不相同的。3. IGBT 的开通情况 IGBT的开通过程按时间可以分为如图Fig.1和表1所示的四个过程,如下: 第一, 门射电压VGE小于阀值电压VTh时。其门极电阻RG和门射电容CGEI的时间常数决定这一过程。当器件的集电极电流IC 和集射电压VCE均保持不变时，CGEI就是影响其导通延迟时间tdon的唯一因素。 第二, 当门射电压VGE达到其阀值电压?时，开通过程进入第二阶段，IGBT开始导通，其电流上升速率 dI/dt的大小与门射电压VGE 和器件的跨导gfs有如下关系： dIc/dt = gfs（Ic）＊dVGE/dt，其中，dVGE/dt由器件的门极电阻RG和门射电容CGEI所决定 （对于高压型IGBT来说，门集电容CGC可忽略不计）。 第三, 第三阶段从集电极电流达到最大值ICmax（FWD的逆向峰值电流IRM 加上负载电流IL）时开始，克服反向电压VR使二极管截止，此时IGBT的集射电压VCE开始下降，随着VCE的下降，电压可控的门集之间的场电容容抗CGC成近百倍增大。当门射驱动电压保持恒定时，所有的门极电流都被投入到对增长的CGC的放电上。因此，本阶段的导通受门极电阻和场电容的时间常数所影响。该时间常数决定器件的电压变化速率 dVCE/dt 并对器件的导通损耗造成很大的影响。 第四, 开通之后，器件进入稳定的导通状态。 对dIC/dt和 dVCE/dt的控制场电容增加，门射电容减少，这样的IGBT若使用一般的"R"-门极驱动，将导 致dI/dt值的增加和dV/dt值的减少。dI/dt 的增大引起在FWD反向恢复其间器件承受较高的压力以及由二极管的恢复而可能出现较高的负dI/dt值，从而在杂散电感的作用下导致器件过压。而低的dV/dt值引起高的开关损耗。因而唯有通过改变门极电阻RG的大小来均衡才能化解dI/dt与dV/dt大小的冲突。RG的取值务必保证dIc/dt的调节始终处于器件的安全工作区内，但这样一来dV/dt的值就会很低导致开通损耗不能接受。因此，解决的方法是采用"RC"门极驱动，即在IGBT的门射之间再接入附加电容CGE。通过该电容来调节上述开通第二过程中门射电压和电流变化率dIc/dt的上升，不过，CGE对开通的第三过程没什么影响，因为没有引起dVGE /dt的改变。dVCE/dt升高使得器件的开通损耗减少，控制门极电阻使FWD上的dV/dt的变化值不超过其临界值。门极电阻RG确定之后，就可通过调节外接的CGE来设定合适的dIc/dt值。采用"RC"-门极驱动的结果，dIc/dt 的设定值约为5kA/μs,而不同的dVCE/dt值由不同的RC值所决定。适当地选择RC值可使器件的开通损耗大量降低甚至超过50%。4. IGBT的驱动条件 高压IGBT和二极管在开关速度上都有其局限性。当dIF/dt为续流二极管FWD的限值时，则关断时IGBT的dVCE/dt值为其最大值。当然可以通过改变IGBT的门极驱动条件来调节这两个限值的变化。FWD的截止受IGBT开通的驱动条件控制。关断时务必保证IGBT处于其安全工作区内。为了独立控制开通时的dV/dt 、dI/dt及关断时的 dV/dt，必须采用三个无源元件，如图Fig.4显示，采用标准的±15V的门极驱动时，可以通过开通门极电阻Ron（调节dVon/dt）、关断门极电阻Roff（调节dVoff/dt）和门射电容CGE（调节dIon/dt）来调节IGBT/FWD限值的变化斜率。电容CGE对IGBT关断时的dI/dt影响很小。5. 总结 受高压IGBT和高压FWD的安全工作区的限制，而采用带三个无源元件（Ron，Roff，CGE）的RC-门极驱动，通过调节来控制电压和关断电流斜率的变化。不同的输入和传输特性所引起的在门射和门集之间的容抗变化率，可由采用RC-门极驱动的方案得以补偿。
1、igct具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。2、相对于igbt而言，igct投放市场的时间较晚，应用也没有igbt广，技术成熟度应该不如igbt。　　变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。随着现代电力电子技术和微电子技术的迅猛发展，高压大功率变频调速装置不断地成熟起来，原来一直难于解决的高压问题，通过器件串联或单元串联得到了很好的解决。高压变频器的种类繁多，其分类方法也多种多样。

文章TAG：igct  IGCT的开关频率可以超过8KHZ吗  
下一篇