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1，试把光电导效应与光电效应作比较分析二者异同点

光电效应是指金属表面在光辐射作用下发射电子的效应,逸出功什么的也都是不同金属的固有属性,没有什么实际应用;光电导性指一些材料在光照条件下电阻率会发生变化的性质,用于光敏电阻。如果非要找个相同之处的话,它们俩都与光有关…真的就这么点相关…不同的地方就太多了。首先是对象,光电效应是金属;光电导性则多为半导体如硅、砷材料。再有就是原理,光电效应的产生是金属的固有属性;光电导性,则是由于入射的光子产生了电子-空穴对,从而增加电导性。

试把光电导效应与光电效应作比较分析二者异同点

2，简述什么是光电导效应光生伏特效应外光电效应

光电导效应，又称为光电效应、光敏效应，光照射到某些物体上后，引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。外光电效应是指物质吸收光子并激发出自由电子的行为。当金属表面在特定的光辐照作用下，金属会吸收 光子并发射 电子，发射出来的电子叫做光电子。

简述什么是光电导效应光生伏特效应外光电效应

3，光导电效应 是什么

英文名称 　　photoconductive effect 定义 　　在光的作用下，体系对电荷的传导率有很大提高(3～5个数量级以上)，这种效应称为光导电效应。人们已利用这种效应制造出诸如激光打印机中光导鼓涂层、光控开关、光敏探测器。 特性 　　光电特性很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。

光导电效应 是什么

4，急急何为光电导效应

[编辑本段]定义　　光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应（又称为光电效应、光敏效应[1]），即光电导效应是光照射到某些物体上后，引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 　　在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度， 就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。
半导体无光照时为暗态，此时材料具有暗电导；有光照时为亮态，此时具有亮电导。如果给半导体材料外加电压，通过的电流有暗电流与亮电流之分。亮电导与暗电导之差称为光电导，亮电流与暗电流之差称为光电流。

5，光电效应的定义

被光子击中的电子得到能量，电势提高，使原本中性的原子、分子不呈中性了，这就是光电效应的本质。
光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应（又称为光电效应、光敏效应[1]），即光电导效应是光照射到某些物体上后，引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 　　在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度， 就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。这种效应中，目前用于传感技术的主要有光生伏特效应中的丹倍效应、光磁电效应、PN结光生伏特效应、贝克勒效应和俄歇效应等。
光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化，也就是光能量转换成电能。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应（Photoelectric effect）。 光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。

6，内光电效应的两种类型及特征

内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类： （1） 光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。（2） 光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。 ①势垒效应（结光电效应）。 接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。 ②侧向光电效应。 当半导体光电器件受光照不均匀时，有载流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对时，光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大，就出现了载流子浓度梯度，因而载流子就要扩散。如果电子迁移率比空穴大，那么空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射部分带负电，光照部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电位置敏感器件（PSD）。
你好。就让我们按照以下流程来认识这张有关光电效应的图片吧。（1）首先我们来认识一下图中的各个元件及其特性。①直流电源、微安计、电压表、滑动变阻器想必你已十分熟悉。②k与a分别是密封在真空玻璃管中的阴极与阳极。k在收到光照时能够发射光电子，从而在微安表、电压表回路中形成光电流。（2）其次我们来认识一下电路的连接特点。①k、a电极组成一组类似于平行板电容器的结构，无光照时相当于开路。②微安计并没有接在直流电源的电路中，它显示的完全就是光电流的大小。③电压表的示数即为加在真空管两端的电压，其大小可由滑动变阻器调控。（3）接下来我们再来认识一下光电效应的几个特点。（这里多处参考了人教版《物理选修3-5》，与图的关系也许并不是太大，但有助于你对光电效应的理解）①存在饱和电流。当光照条件一定时，随着所加电压的增大，光电流趋近于一个饱和值。也就是说，在电流较小时电流随电压增大，但当电流增加到一定值之后，即使电压再增加，电流也不增加了。②存在遏止电压。当所加电压为0时，光电流并不为0，只有当施加一个反向电压时，电流才可能为0。③存在截止频率。当入射光的频率小到某一值时，即使不施加反向电压也没有光电流了，无论入射光多强。至于光电效应的解释，如果你有兴趣，我们可以单独聊。可以加我。by冻结的火

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