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1，分析三极管放大电路工作原理

三极管放大原理:基级电流较小的变化量控制集电极电流的变化量，调节Rw使三极管工作在最佳放大区，输入有交流信号时，电流从Rs、C1、Tb、Te、C3、GND，交流电流的变化控制三极管的发射结电流，从而控制三极管集电极的电流大小，三极管集电极电流增大使集电极电压降低，电流减小使电压升高，所以在负载Rl就能得到放大的交流信号。共射放大优点:放大量高，输入阻抗高，输出阻抗低

分析三极管放大电路工作原理

2，三极管放大原理实质

三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。
因为下级所取得的信号就是从集电极电阻两端取得。该电阻上的压降即为AMP的输出电压。

三极管放大原理实质

3，三极管怎样放大电流放大电流原理

三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。
集电结正偏，发射结反偏

三极管怎样放大电流放大电流原理

4，三极管放大原理

管子工作前提是BE结加正向电压BC结加反向电压，然后1.发射区向基区扩散电子，2.电子在基区边界扩散与复合，空穴由外电源补充，维持电流。3.电子被集电极收集。改变基极电流就可以改变集电极电流：IC=BIB
在没有导通时，三极管的发射机极合集电极之间存在一个很高的势垒（背靠背的二极管），这个势垒能够阻止载流子的通过。当向基区注入电流时，注入的载流子改变了基区的势垒高度。而且基区越薄，势垒高度的变化就越显著。 举个例子。二个棒球运动员相对站立，互相扔球。扔小球的速率为10。费力指数为10。但是现在中间站了一个人，哪一个网子将所有的球都挡住了，所以接球手接不到球。当中间站着的人花一分力气将网降低，这样使得有5个球能通过被接球手接住。因为降低网子高度很省力，比投球省力气得多，这样就实现了1分力气换5分力气的事，这就是放大。 三极管就是这样实现了用一个小信号:基极电流，来控制一个大信号：发射极到集电极的电流的目的，于是就实现了信号放大。如果你能理解半导体器件分析的能带图，就能更好的理解这个问题。

5，三极管有几种放大方式

直流偏置是为了放大在三极管的线性区，这样一个加入交流信号后交直流就都叠加在了一起，虽然叠加后的还只有直流分量这是因为叠加的交流信号比直流偏置小（这就是偏置要起的作用）。 我们看三极管放大电路时可以从另外一个角度去理解（也是一个正确的理解方式）即所谓的放大电路其实是一个小信号控制大信号的电路。基极回路是小信号回路，用来控制集电极这个大信号回路，原本的信号没有被放大，只是在基极回路的控制下，集电极的大信号回路模拟出了基极的信号而已。这样集电极电流被基极控制在比基极跟大的范围内变化，然后在集电极负载电阻上形成信号电压，这里面也有直流分量（偏置的值）和交流分量（信号）。经输出电容隔离了直流分量，输出了“放大了的”交流分量。虽然输出的也是在电的一个极性里波动这种波动会给输出电容充电再放电，这个充放电过程就是通交流的过程，所以这个电容可以将含在直流中的交流分量输出。
三种：共基极放大，这种接法的特点是使用的截止频率比较高；共发射极放大，这种接法的特点是电流放大和电压放大倍数较高；共集电极放大这种接法的特点是输入阻抗最高，有利于级间匹配。

6，三极管的放大作用怎么放大

三极管的放大作用这里可能对你有帮助 http://wenku.baidu.com/view/a668eebff121dd36a32d8249.html
一、三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 图1、晶体三极管（NPN）的结构 图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 二、三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。 2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。 3）三极管输入电阻，定义为: rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为： rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏） rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。 2、输出特性 输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 截止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是： Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。 饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。 图2、三极管的输入特性与输出特性 截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。 三、三极管的主要参数 1、直流参数 （1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。 （2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。 （3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。 （4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即： β1=Ic/Ib 2、交流参数 （1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即： β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。 （2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用 α与β之间的关系： α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α） （3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为： fβ≈（1-α）fα （4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。 （2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。 （3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。 （4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。 （5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。 PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM
晶体三极管是电流控制器件，在合适的工作状态下，集电极电流(Ic)与基极电流(Ib)有线性关系:Ic = βIb，这里的β称作为该三极管电流放大倍数。 当输入电压△Ui在基极产生电流△Ib时，三极管的集电极电流△Ic就会发生相应的变化，这个变化的电流通过集电极负载电阻Rc，集电极的电压△Uc也发生相应变化。 因为△Ic = β△Ib，β > 1，所以|△Uc/△Ui| > 1，这就是所谓的“放大”。
三极管有PNP和NPN两种形式,有共基极接法,共射极接法,共集电极接法三种连接方式. 不管是PNP还是NPN要用作开关作用,都必须接成共集电极接法,并通过偏置让其工作在截止和饱和状态.附图是典型的开关接法,原理如下: 当输入的信号为高电平时,产生基极电流Ib=(Vi-0.7)/Rb,取放大倍数为100,那么Ic为100Ib,当电源电压为VCC时,那么负载电阻Rc的取值为 Rc = Vcc/Ic.
在静态工作点位于三极管的放大区的时候，其射级输出电流或者电压正比于其基极输入电流或者电压，所以叫做放大
如果是双电源供电的话就可以用两个三极管分别放大交流信号的两个半周，如果是单电源供电的话有两种方法：一.用一个三极管，在输入端加偏置使交流信号和直流叠加在一起在输出端再接一个电容、二.把四个三极管桥接构成全桥放大电路

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