Qlogic，Emulex HBA卡相比较 Qlogic有哪些优势
来源：整理 编辑：智能门户 2024-11-07 21:58:37
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1，Emulex HBA卡相比较 Qlogic有哪些优势
Emulex是融合网络解决方案领域的全球领导者，致力于为数据中心内的服务器、网络和存储设备提供企业级连接。
2，QLogic ISP2432到底是什么
ISPXXXX是 芯片型号Qlogic一般是网卡适配器 没有自带驱动的话去Qlogic的官网去找前提是你在设备管理器是找到这个设备的型号
3，服务器配置要求2QLogic 8Gb FC SinglePort PCIe HBA for IBM
上面的回答不完全正确，是2块IBM X系列服务器使用的QLogic 8Gb 单端口PCIe 光纤通道卡，也有双端口的，其他速率的，像4Gb等
4，QLogic和EMULEX HBA卡有什么区别
品牌不同。具体不同看型号。差别不会超出单模或多模；单口或双口；2G、4G、8G速率；pci、pci-X、pci-E 4x、pci-E 8X、pci-E 16X这些。emulex是融合网络解决方案领域的全球领导者，致力于为数据中心内的服务器、网络和存储设备提供企业级连接。
5，解读分析博科被收购 QLogic该怎么办
博科的客户惠普和甲骨文也被提到说是潜在的买家。博科之所以被其客户觊觎，是因为其是唯一的一家拥有以太网和光纤通道技术，其产品同时涵盖适配器和交换机的网络供应商。而惠普和甲骨文最终所瞄向的则是云计算。他们知道，他们需要网络技术，在云上提供计算、存储以及网络带宽，以备日后与思科竞争。惠普和甲骨文也知道，他们需要这种技术以在短期内保护自己的业务，防备思科服务器架构的竞争。我认为，惠普最有可能购买博科，这是因为二者之间是如此密切地挂钩。惠普是博科最大的客户，博科的产品已经紧密地集成到HP存储系统和服务器等产品中。博科公司的产品组合将帮助惠普在网络和服务器市场上获得更好的竞争态势，而且在未来的云计算市场也会收获更多优势。如果惠普收购博科，预计行业内将会出现波动。其他主要服务器厂商将会提出收购一系列类似的以太网和光纤通道技术以对抗思科和惠普。在这种情况下，QLogic公司将会处于或几乎处于收购目标列表的前列，QLogic股东价值将会激增。如果其拥有以太网交换机的技术和产品，还会进而完善其投资组合。这就是为什么QLogic公司要收购Extreme，其是一家约2.5亿美元市值的以太网交换机公司。这次收购将为QLogic带来一家存在于新兴市场的10Gb以太网交换机厂商，以补充他们的以太网适配器和光纤通道适配器以及交换机的广泛组合。另外，QLogic是少数几家具有端到端统一网络专业知识的公司之一，IBM，戴尔，甲骨文可以利用此种优势同思科和惠普竞争。QLogic首席执行官H.K. Desai和Extreme总裁Mark Canepa从Canepa在Sun存储部门担任总经理时开始一直都是老朋友。如果他们尚未谈到合并的事情，总会有一天有人提到这一话题。思科和博科已经将网络架构扩展到适配器和交换机的高度集成。随着以太网交换机技术和以太网人才的扩充，QLogic公司可能成为一个较大规模且现金充裕的供应商。
6，晶体管是什么意思
晶体管”，英文是transistor；“逻辑”，英文是logic；输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。
一、晶体管的种类
晶体管有多种分类方法。
（一）按半导体材料和极性分类
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
（二）按结构及制造工艺分类
晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
（三）按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
（四）按工作频率分类
晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
（五）按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
（六）按功能和用途分类
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。
二、晶体管的主要参数
晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
（一）电流放大系数
电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。
根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。
（二）耗散功率
耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
（三）频率特性
晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。
1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
（四）集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。
（五）最大反向电压
最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。
2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。
3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。
（六）反向电流
晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。
1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。
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