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1，在protel中如何画叉指电极

画原理图时，芯片的一个引脚字母上有横线，试了好久都没能把它搞出来，工具基本上都用上了。书上说在后面加个“\”，但只出来一很短的，没有原理图上那样的效果。画多了才发现“\”画在哪个字母的后面，横线就出现在那个字母的上面，要想整个上面都有横线，应该在每个字母的后面都加上“\”

在protel中如何画叉指电极

2，声表面滤波器的介绍

声表面滤波器是在一块具有压电效应的材料基片上蒸发一层金属膜，然后经光刻，在两端各形成一对叉指形电极组成。当在发射换能器上加上信号电压后，就在输入叉指电极间形成一个电场使压电材料发生机械振动（即超声波）以超声波的形式向左右两边传播，向边缘一侧的能量由吸声材料所吸收。在接收端，由接收换能器将机械振动再转化为电信号，并由叉指形电极输出。

声表面滤波器的介绍

3，电视机里靠近CPU的铁圆饼形的 五个脚的 型号是F3826是什么元器件

这个是38MHZ声表面滤波器，作用是对中频信号交联和滤波。
是声表面滤波器---声表面波滤波器是利用石英、铌酸锂、钛酸钡晶体具有压电效应的性质做成的。（单脚）输入叉指电极间形成一个电场使压电材料发生机械振动（即超声波）以超声波的形式向左右两边传播，向边缘一侧的能量由吸声材料所吸收。在接收端，由接收换能器将机械振动再转化为电信号，并由叉指形电极输出（双脚脚输出），由于这种声波只在晶体表面传播，故称为声表面波器。
声表面滤波器，很好换的，他坏了起雪花。
声表面滤波器坏了不出人
型号F3526这个是属于滤波器。

电视机里靠近CPU的铁圆饼形的 五个脚的 型号是F3826是什么元器件

4，声表面滤波器的结构符号和原理

表面波滤波器的结构示意图及符号如下图所示。它是以石英、铌酸锂或钎钛酸铅等压电晶体为基片，经表 面抛光后在其上蒸发一层金属膜，通过光刻工艺制成两组具有能量转换功能的交叉指型的金属电极，分别称为输入叉指换能器和输出叉指换能器。当输入叉指换能器 接上交流电压信号时，压电晶体基片的表面就产生振动，并激发出与外加信号同频率的声波，此声波主要沿着基片的表面的与叉指电极升起的方向传播，故称为声表面滤波，其中一个方向的声波被除数吸声材料吸收，别一方向的声波则传送到输出叉指换能器，被转换为电信号输出。声表面波滤波器具有工作频率高、通频带宽、选频特性好、体积小和重量轻等特点，并且可采用与集成电路相同的生产工艺，制造简单，成本低，频率特性的一致性好，因此广泛应用于 各种电子设备中。在声表面波滤波器中，信号经过电-声-电的两次转换，由于基片的压电效应，则叉指换能器具有选频特性。显然，两个叉指换能器的共同作用，使声表面波滤波器的选频特性较为理想。下图为声表面波滤波器的幅频特性。

5，声表面波的工作原理

声表面波器件是在压电基片上制作两个声一电换能器―叉指换能器。所谓叉指换能器，就是在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案，它的作用是实现声一电换能。声表面波器件的工作原理是，基片左端的换能器（输入换能器）通过逆压电效应将输入的电信号转变成声信号，此声信号沿基片表面传播，最终由基片右边的换能器（输出换能器）将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理，并利用声一电换能器的特性来完成的。当我们把电压加载在压电晶体如石英的电极上，那么由于压电效应就会在压电晶体的晶格中形成机械畸变。所谓的声表面波就是在压电基片材料表面产生并传播、并且其振幅随深入基片材料的深度的增加而迅速减少的弹性波。声表面波滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个0.1μm厚的铝膜构成的电极结构即声电换能器（叉指换能器）。叉指换能器就是采用半导体集成电路的平面工艺，在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜，再把设计好的两个IDT的掩膜图案利用光刻方法沉积在基片表面，分别作为输入换能器和输出换能器。声电转换器的形状是指状电极结构，即手指相互交叉的形式。每两个这种相互交叉的指状系统构成一个指间转换器或者叉指换能器。其工作原理是：输入换能器将电信号转换成声波信号，沿晶体表面传播，输出换能器再将接收到的声波信号转换成电信号输出。
声表面滤波器是在一块具有压电效应的材料基片上蒸发一层金属膜，然后经光刻，在两端各形成一对叉指形电极组成。当在发射换能器上加上信号电压后，就在输入叉指电极间形成一个电场使压电材料发生机械振动（即超声波）以超声波的形式向左右两边传播，向边缘一侧的能量由吸声材料所吸收。在接收端，由接收换能器将机械振动再转化为电信号，并由叉指形电极输出。声表滤波器(通常简称saw)主要作用原理是利用压电材料的压电特性，利用输入与输出换能器（transducer）将电波的输入信号转换成机械能，经过处理后，再把机械能转换成电的信号，以达到过滤不必要的信号及杂讯，提升收讯品质的目标。

6，叉指电极上半导体的电阻一般多大

电阻率小于10^(-5)Ω61m的称导电体，如金属材料等。 电阻率大于10^8Ω61m的称绝缘体，如陶瓷、橡胶、塑料等材料。 介于两者之间的称半绝缘体或半导体。
半导体及其基本特性 1.1 金属 - 半导体 - 绝缘体 我们知道，自然界中的物质大致可分为气体、液体、固体、等离子体 4 种基本形态。在固体材料中，根据其导电性能的差异，又可分为金属、半导体和绝缘体。例如，铜、铝、金、银等金属；它们的导电本领都很大，是良好的导体；橡胶、塑料、电木等导电本领很小，是绝缘体；制造半导体器件的主要材料硅、锗、砷化镓等，它们的导电本领比导体小而比绝缘体大，叫做半导体。 物体导电本领的大小可用 电 阻 率 来表示。金属导体的电阻率约在 10 -4 w ·cm 以下，绝缘体的电阻率约在 10 9 w ·cm 以上，半导体的电子率是介于二者之间，约在 10 -4 ~ 10 9 w ·cm 。 图 1.1 列出这三类中一些重要材料的电阻率和 电导率 。 图 1.1 1.2 常见的半导体材料 ? 元素半导体 有关半导体材料的研究开始于 19 世纪初。多年以来许多半导体已被研究过。 表 1.1 列出周期表中有关半导体元素的部分。在周期表第 iv 族中的元素如硅（ si ）、锗（ ge ）都是由单一原子所组成的元素半导体。在 20 世纪 50 年代初期，锗曾是最主要的半导体材料。但自 60 年代初期以来，硅已取而代之成为半导体制造的主要材料。现今我们使用硅的主要原因，乃是因为硅器件在室温下有较佳，且高品质的硅氧化层可由热生长的方式产生。经济上的考虑也是原因之一，可用于制造器件等级的硅材料，远比其他半导体材料价格低廉。在二氧化硅及硅酸盐中的硅含量占地表的 25 ％，仅次于氧。到目前为止，硅可说是周期表中被研究最多且技术最成熟的半导体 元素 。 表 1.1 周期表中于半导体相关的部分 ? 化合物半导体 近年来一些 化合物 半导体已被应用于各种器件中。 表 1.2 列出与两种元素半导体同样重要的化合物半导体。二元化合物半导体是由周期表中的两种元素组成。例如， iii-v 族元素化合物半导体砷化镓（ gaas ）是由 iii 族元素镓（ ga ）及 v 族元素砷（ as ）所组成。 除了二元化合物半导体外，三元及四元半导体化合物半导体也各有其特殊用途。由 iii 族元素铝（ al ）、镓（ ga ）及 v 族元素砷（ as ）所组成的合金半导体 al x ga 1-x as 即是一种三元化合物半导体，而具有 a x b 1-x c y d 1-y 形式的四元化合物半导体则可由许多二元及三元化合物半导体组成。例如，合金半导体 ga x in 1-x as y p 1-y 是由磷化镓（ gap ）、磷化铟（ inp ）、砷化铟（ inas ）及砷化镓（ gaas ）所组成。与元素半导体相比，制作单晶体形式的化合物半导体通常需要较复杂的程序。 许多化合物半导体具有与硅不同的电和光的特性。这些半导体，特别是砷化镓（ gaas ），主要用于高速光电器件。虽然化合物半导体的技术不如硅半导体技术成熟，但硅半导体技术的快速发展，也同时带动化合物半导体技术的成长。 1.3 半导体导电性的特点 实际上，金属、半导体和绝缘体之间的界限并不是绝对的。通常，当半导体中的杂质含量很高时，电导率很高，呈现出一定的金属性，而纯净半导体在低温下的电导率很低，呈现出绝缘性。一般半导体和金属的区别在于半导体中存在着 禁带 而金属中不存在禁带；区分半导体和绝缘体则更加困难，通常根据它们的禁带宽度及其温度特性加以区分。 半导体的导电性究竟具有哪些特点呢？大致可归纳以下几个方面： （ 1 ）半导体的电阻率对温度的反应灵敏。纯净半导体的电阻率随温度变化很显著，而且电阻率随温度升高而下降。例如纯锗，当温度从 20 o c 升高到 30 o c 时，电阻率就降低一半左右。而金属的电阻率随温度的变化比较小，而且随温度升高电阻率增大。 （ 2 ）微量的杂质能显著地改变半导体的电阻率。例如在纯硅中掺入 6 ′ 10 15 /cm 3 的杂质磷或锑，即在硅中掺入千万分之一的杂质，就能使它的电阻率从 2.15 ′ 10 5 w ·cm 减小到 1 w ·cm ，降低了 20 万倍。晶格结构的完整与否也会对半导体导电性能有极大的影响。因此在制作半导体器件时除人为地在半导体中掺入有用杂质来控制半导体的导电性外，还要严格防止一些有害杂质对半导体的沾污，以免改变半导体的导电性能，使生产出来的器件质量下降，甚至报废。但金属中含有少量杂质时，看不出电阻率会有什么显著的变化。 （ 3 ）适当的光照可使半导体的电阻率显著改变。当某种频率的光照射半导体时，会使半导体的电阻率显著下降，这种现象叫光电导。自动控制中用到的光敏电阻就是利用半导体的光电导特性来制成的。但是，金属的电阻率不受光照影响。 总之，半导体的导电性能非常灵敏地依赖于外界条件、材料的纯度以及晶体结构的完整性等。半导体的导电性能所以有上述特点是由半导体内部特殊的微观结构所决定的，后面将叙述半导体导电的内在规律。

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