砷化镓化学式,三结砷化镓化学式

砷化镓(化学式 GaAs砷化镓什么样的化合物化学式GaAs。砷化镓，化学式GaAs .砷化镓，化学式GaAs .砷化镓是原子晶体吗砷化镓(GaAs)其实是化合物晶体，不是原子晶体，砷化镓的反应方程式合成为第二代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而被誉为“半导体贵族”。

(1)GaAs(2)NH3 > As H3 > PH3(3)>(4)BCD根据细胞的结构，每个砷化镓细胞含有4个As原子和4个Ga原子，所以砷化镓 has。(2)N、P、As为同一主族元素，氢化物结构相似。相对分子质量越大，分子间作用力越大，沸点越高。但由于NH3分子间形成氢键，沸点异常高，所以它们的氢化物沸点顺序为NH3>AsH3>PH3。

(4)结合GaAs的细胞结构图，可以看出其细胞结构与NaCl不同；在GaAs的晶胞中，每个Ga原子与四个As原子连接形成正四面体。结合(3)中对Ga的分析，可以从As在元素周期表中的位置得知其电负性:As > GA在GaAs的晶胞中，每个Ga原子与四个As原子形成四个共价键。由于Ga原子最外层只有三个电子，一个共价键的电子对完全由As原子提供，形成配位键。

(1)细胞中黑球数为4，白球数为8×18 6×124，原子数为1: 1，则砷化镓 化学式为CaAs；镓原子位于顶点，为8个晶胞所共有，4个As原子均匀分布在晶胞中心，即离镓原子最近的As原子个数为4，即配位数为4，所以答案为:CaAs，4；(2) A .在GaAs晶体中，As分布在胞体中心，Ga分布在顶点和面中心，而在NaCl中，阴离子和阳离子分别位于胞体的顶点、面中心、边缘和胞体中心，其结构不同，故A是错误的；b .计算GaP，SiC和砷化镓的价电子。如果Ga的价电子是3，P的价电子是5，那么GaP的价电子是8，Si和C的价电子是4，As的价电子是5，砷化镓的价电子是8，GaP和C的价电子是8。所以选b；(3)反应为(CH3)3Ga和AsH3，生成GaAs。根据质量守恒，应该还有CH4。该反应的化学方程式为:(CH3)3Ga AsH3700℃。GaAs 3CH4，所以答案是:(CH3)3Ga AsH3700℃。GaAs 3CH4。

属于闪锌矿晶格结构，晶格常数为5.65×1010m，熔点为1237℃，带隙宽度为1.4 eV。砷化镓，化学式GaAs .黑灰色固体，熔点1238℃。它能在低于600℃的空气中稳定存在，不受非氧化性酸的腐蚀。主要用于制造光电器件(LCD)、激光器(LD)、场效应晶体管(FET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结双极晶体管(HBT)、高速器件和微波单片集成电路(MMIC)、微波/毫米波集成电路(MIMIC)、高速集成电路和太阳能电池。

砷化镓(GaAs)其实是化合物晶体，不是原子晶体。Its 化学式是GaAs，代表镓(Ga)和砷(As)的比例和组合。砷化镓晶体是由镓和砷原子通过共价键结合在一起，形成特定的晶体结构，即闪锌矿的晶体结构。因为组成原子晶体的粒子是原子，而砷化镓含有砷原子和镓原子，粒子之间的作用力是共价键，所以晶体的熔点和沸点是由共价键的键长和键能决定的。

作为第二代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而被誉为“半导体贵族”。2001年7月31日，中国科学家宣布，他们掌握了生产这种材料的新技术，使中国成为继日本和德国之后又一个掌握这种技术的国家。北京有色金属研究总院宣布，国内首块直径4英寸的VCZ半绝缘砷化镓单晶拉制成功。砷化镓，化学式GaAs .黑灰色固体，熔点1238℃。

7、 砷化镓属于哪类化合物

/GaAs .黑灰色固体，熔点1238℃。在低于600℃的空气中能稳定存在，不被酸氧化，GaAs是一种原子晶体和共价化合物。其晶体结构为闪锌矿结构，由面心立方晶格嵌套而成，每个镓原子通过共价键与其周围的四个砷原子结合。然而，在砷化镓中GaAs原子之间的键合不是纯共价键，由于Ga和As的电负性不同，产生极性，称为极性键，具有离子键的特征，所以砷化镓中的离子键组成约为37%。