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1，乙酰丙酮的生产工艺

乙酰丙酮是醋酸的下游产品，一般由醋酸裂解成裂解气，在经反应，高温转化生成乙酰丙酮。

乙酰丙酮的生产工艺

2，CMP 技术数据请教

CMP的研磨后进行3项数据的检测。RR（研磨速率）NU（不均匀性）Particle（颗粒）。你最好把你的技术文档发上来，看了后才能告诉你是什么。

CMP 技术数据请教

3，什么是CMP

是GMP吧 GMP是国家现在推行的对制药企业的强制性认证，中文意思是：药品生产质量管理规范
CMP是由美国斯坦福大学提出的，其思想是将大规模并行处理器中的SMP（对称多处理器）集成到同一芯片内，各个处理器并行执行不同的进程。与CMP比较， SMT处理器结构的灵活性比较突出。但是，当半导体工艺进入0.18微米以后，线延时已经超过了门延迟，要求微处理器的设计通过划分许多规模更小、局部性更好的基本单元结构来进行。相比之下，由于CMP结构已经被划分成多个处理器核来设计，每个核都比较简单，有利于优化设计，因此更有发展前途。目前，IBM 的Power 4芯片和Sun的 MAJC5200芯片都采用了CMP结构。多核处理器可以在处理器内部共享缓存，提高缓存利用率，同时简化多处理器系统设计的复杂度。

什么是CMP

4，制作工艺对CPU有什么影响

性能和线程是最明显的，但是现在由于架构没有更新，所以区别并不大
同时多线程simultaneousmultithreading，简称smt。smt可通过复制处理器上的结构状态，让同一个处理器上的多个线程同步执行并共享处理器的执行资源，可最大限度地实现宽发射、乱序的超标量处理，提高处理器运算部件的利用率，缓和由于数据相关或cache未命中带来的访问内存延时。当没有多个线程可用时，smt处理器几乎和传统的宽发射超标量处理器一样。smt最具吸引力的是只需小规模改变处理器核心的设计，几乎不用增加额外的成本就可以显著地提升效能。多线程技术则可以为高速的运算核心准备更多的待处理数据，减少运算核心的闲置时间。这对于桌面低端系统来说无疑十分具有吸引力。intel从3.06ghzpentium4开始，所有处理器都将支持smt技术。 ○多核心 多核心，也指单芯片多处理器（chipmultiprocessors，简称cmp）。cmp是由美国斯坦福大学提出的，其思想是将大规模并行处理器中的smp（对称多处理器）集成到同一芯片内，各个处理器并行执行不同的进程。与cmp比较，smt处理器结构的灵活性比较突出。但是，当半导体工艺进入0.18微米以后，线延时已经超过了门延迟，要求微处理器的设计通过划分许多规模更小、局部性更好的基本单元结构来进行。相比之下，由于cmp结构已经被划分成多个处理器核来设计，每个核都比较简单，有利于优化设计，因此更有发展前途。目前，ibm的power4芯片和sun的majc5200芯片都采用了cmp结构。多核处理器可以在处理器内部共享缓存，提高缓存利用率，同时简化多处理器系统设计的复杂度。2005年下半年，intel和amd的新型处理器也将融入cmp结构。新安腾处理器开发代码为montecito，采用双核心设计，拥有最少18mb片内缓存，采取90nm工艺制造，它的设计绝对称得上是对当今芯片业的挑战。它的每个单独的核心都拥有独立的l1，l2和l3cache，包含大约10亿支晶体管。

5，抛光有几种途径

抛光粉化学机械抛光 抛光粉抛光是为了使材料表面达到平整化的方式。传统的材料平面化技术较多，如热流法、回蚀法、旋转式玻璃法、电子环绕共振法、低压CVD、选择淀积、淀积一腐蚀一淀积、等离子增强CVD等，这些技术材料平面化工艺发展中都曾被应用，由于这些技术都属于材料的局部平面化技术，为了能达到全局平面化，使用抛光粉做化学机械抛光技术逐步开始发展。 在上世纪的60年代起，使用抛兴粉化学机械抛光技术应用于硅衬底片的平坦化，从80年代末期开始，CMP大规模用于集成电路的ULSI抛光，目前的CMP不仅能保证超高平坦化要求，还能减少表面去除量，现在CMP研究的热门是关于超薄膜的去除和平坦化。从CMP设备的发展来看，最初的CMP机台是单头工作的，且效率较低、自动化程度较差，目前的CMP台己有多个机头，可保证抛光的效率，近期日本的一些公司还研发了线性抛光机台。 使用抛光粉做化学机械抛光是一种兼顾化学抛光和机械抛光二者优点的一种坦化工艺技术[m-19}CMP过程可简单归结为:在抛光垫和抛光粉的作用下，首先由于抛光粉的化学作用使材料表面薄层部分被软化，随后在抛光粉、抛光垫的机械作用下将其去除，从而实现工件表面的高速平坦化。整个过程涉及抛光机台和抛光消耗品，主要消耗品包括抛光粉和抛光垫，大约占据CMP总成本的60% o CMP机理与抛光粉中的化学分密切相关，抛光材料影响着CMP抛光速率和表面缺陷。 抛光粉 图1.2是化学机械抛光设备原理图，玻璃抛光设备系统大致由四部分组成:玻璃制品、抛光粉、使抛光粉与玻璃制品相互接触的抛光台、使抛光台对玻璃表面研磨的抛光机。在抛光玻璃的实际过程中需要考虑很多因素，如玻璃制品、抛光设备、抛光粉及抛光台的类型，以及玻璃制品的件数、抛光的成本、成品的产量和玻璃表面的质量等。 抛光机是CMP技术的基础，大多数的生产型抛光机台都有多个抛头，以适应抛光不同材料的需要。在化学机械抛光的研究中，抛光粉是由性能优良、颗粒均匀、分散性好、硬度适中的磨料及水和一定量的悬浮剂制备的。目前，CeOa多用于玻璃和硅片的抛光，硅片的抛光常用SiOa, CeOa, ZrOa, AlaOs, Ti0:等或它们的复合粉体。 抛光垫是在CMP过程中决定抛光速率和平坦化能力的重要消耗品之一，为了能与磨料发挥更好的作用，抛光垫通常具有一定的机械特性和多孔吸水的特性，抛光垫中的小孔能帮助传输磨料和提高抛光均匀性。抛光垫主要有三个基本类型:聚氨脂抛光垫、无纺布抛光垫、绒毛结构抛光垫。

6，微电子制造工艺技术的特征是什么

光刻技术:图形的转移
随着科学技术的突飞猛进,半导体制造技术面临日新月异的变化，其中12英寸、90纳米技术和铜工艺">铜工艺被称为引导半导体发展趋势的三大浪潮。传统的半导体工艺是主要采用铝作为金属互联材料(interconnect)，在信号延时(signal delay)上已经受到限制。人们寻找到了新的材料来满足对电阻的要求，这种材料就是铜。简单地说，铜工艺就是指以铜作为金属互联材料的一系列半导体制造工艺。将铜工艺融入集成电路制造工艺可以提高芯片的集成度，提高器件密度，提高时钟频率以及降低消耗的能量。 要达到这样的要求就需要对工艺上做出相应的调整。在新的工艺水平，尤其是在90纳米或以下的技术节点上，主要的信号延时来自互联电路的部分。这一部分可以用以下公式来描述： τ = rc = (ρl/wtmetal) *(kε0lw/tild) 其中τ是指 total signal delay, r是指金属层的电阻, c是指介电层的电容，ρ是互联金属的电阻率，l是指长度，w是指长度，t 是指厚度， k是介电常数。由公式可见，选用 电阻率比较小的金属材料作为互联材料，和选用介电常数比较小的介电材料作为介电材料是降低信号延时、提高时钟频率的两个主要方向。铜的电阻率为1.7μω.cm，铝的电阻率为2.8μω.cm，所以铜更为优越。同时由于采用铜线可以降低互联层的厚度，所以同时也降低了上面公式中的电容c。为了进一步降低τ,产业界也在选择比sio2的k值更加低的材料（即所谓的low k材料）。现有的铝材料（通常选用掺入少量cu的alcu合金材料）在器件密度进一步提高的情况下还会出现由电子迁移引发的可靠性问题，而铜在这方面比铝也有很强的优越性。当ic的电流密度超过106a/cm2时，高熔点的材料比低熔点的材料更易于发生电子迁移，原因在于前者具有更高的晶界扩散激活能。铜的熔点为1083℃，铝的熔点为660℃，所以铜更不容易发生电子迁移。和铝相比，铜的电子迁移失效时间要大一到两个数量级，所以它可以在更小的互联层厚度上通过更高的电流密度，从而降低能量消耗。推动铜工艺走向产业化的另一个重要原因就是和传统的铝工艺相比，铜工艺采用了damascene工艺，减少了金属互联的层数，从而降低了成本。之所以采用damascene工艺，主要原因在于铜本身不能够和象铝一样，与其它刻蚀气体产生气态的副产品，所以只能采用这种先刻蚀再充填金属互联材料的模式。 自从ibm公司在1985年引入铜，许多关于铜工艺的研发工作都取得了实效。主要包括制造damascene结构的damascene工艺、cu cmp (chemical mechanical polishing) 工艺和ecp (electroplating) 工艺等（见图1）。 图1. 铜工艺的dual damascene 结构流程示 由于铜的扩散会引起器件的所谓“中毒效应”，所以在和source/drain和gate区域的接触金属仍然选用重金属钨。其余的互联金属都可以采用铜，其中的via可以采用single damascene，也可以采用dual damascene结构。在damascene结构经过cvd, etch 等工艺后，就形成了via的结构。为了防止铜在si 和sio2中的扩散，所以必须在via上沉积一层阻挡层，然后再沉积一层很薄的铜作为ecp的导电介质，也作为电镀铜的金属晶体生长的晶核层。由ecp产生电镀铜层。接着的工艺是cmp，主要是磨掉多余的铜，同时将硅片表面磨平。其中的机制主要包括用微小颗粒对表面的机械摩擦和对摩擦材料的化学清洗，摩擦和化学清洗的载体，即所谓的浆料(slurry)，是整个铜工艺制造成本比较高的部分。 经过近几年的发展，铜工艺已经日臻成熟，进入量产阶段，现在的铜工艺主要应用于电脑的中央处理器、服务器、通讯及消费应用产品各领域对整体产品表现、高密度及低耗电有极高要求的产品。与此同时，降低rc的另一条有效途径，是选用低介电常数的low k的材料作为介电材料。单纯采用铜来代替铝作为互联材料可以降低rc 大约40%，而low k能够降低成本rc的程度则决定于选择材料的k值大小。low k 技术还初于初期的研发阶段和试产阶段，目前还面临着一些集成(intergration)问题，将是未来发展，特别是在90纳米技术及以下的结点上，一个重要的趋势。

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