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1，电路中的pmosnmos管是什么有什么作用

最基本的功能是做开关，控制电路的通断

电路中的pmosnmos管是什么有什么作用

2，哪位大侠知道下面电池电压采集调理电路中PMOS管的作用呀运放

运放是比较作用，pmos结成共源放大器形式放大比较结果同时提高驱动能力

哪位大侠知道下面电池电压采集调理电路中PMOS管的作用呀运放

3，PMOS翻译中文

abbr. P沟道金属氧化物半导体（P-channel Metal Oxide Semiconductor）
我不知道！！！

PMOS翻译中文

4，集成电路里孤立的pmos管有什么用

所谓孤立的pmos管，就是没有与集成电路构成电的连接。这往往是版图设计师为了设计或工艺的需要，利用空闲的面积，所安排的测试用元件。这样的测试管一般有为了便于用探针测试的测试点。它不与电路连接，因此在电路应用上没有意义。
1，r1，r2的阻值应该对调，因为是采用电压控制的pmos管，阻值可以适当加大，减少功耗，如r1：10k，r2：200k，而且这样还有一个好处，大幅的减轻q11的负载，也减轻了单片机i/o口的输出电流要求。2，因为不清楚你的要求和整体电路，单从这个局部电路来说，我暂时无法对加稳压管这方面对你提供什么建议。另，电路带“电”，调试小心。

5，什么是MOSNMOSPMOSCOMS

MOS器件分为NMOS和PMOS,而CMOS是指互补的MOS管组成的电路，也就是PMOS,NMOS组成,NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动PMOS是指 n型 p沟道，靠空穴的流动CMOS相比Bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。当然Bipolar的驱动能力比CMOS强目前BiCMOS工艺就是结合了CMOS和Bipolar的优点
nmos意思为n型金属一氧化物半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为nmos晶体管; pmos是指n型衬底，p沟道，靠空穴的流动运送电流的mos管；由mos管构成的集成电路称为mos集成电路，由nmos和pmos两种管子组成的互补mos电路即cmos电路。

6，PMOS是什么系统

楼主所说的PMOS系统是从YunOS上进行深层开发而来，其采用了自主开发的内核实时主动防御技术，同时通过硬件安全增强方式实现安全引导，防止系统被刷机PMOS系统已经装载到了中兴生产的手机上并运用于日常警务工作中，而加密的专用系统，包括安全加固的警用即时通信平台。
pmos是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的mos管 　　全称 ： positive channel metal oxide semiconductor 　　别名 ： positive mos 　　金属氧化物半导体场效应(mos)晶体管可分为n沟道与p沟道两大类， p沟道硅mos场效应晶体管在n型硅衬底上有两个p+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的n型硅表面呈现p型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种mos场效应晶体管称为p沟道增强型场效应晶体管。如果n型硅衬底表面不加栅压就已存在p型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的mos场效应晶体管称为p沟道耗尽型场效应晶体管。统称为pmos晶体管。 　　p沟道mos晶体管的空穴迁移率低,因而在mos晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，pmos晶体管的跨导小于n沟道mos晶体管。此外，p沟道mos晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。pmos因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在nmos电路(见n沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为nmos电路所取代。只是,因pmos电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用pmos电路技术。 　　mosfet共有三个脚，一般为g、d、s，通过g、s间加控制信号时可以改变d、s间的导通和截止。pmos和nmos在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，nmos是在p型硅的衬底上，通过选择掺杂形成n型的掺杂区，作为nmos的源漏区；pmos是在n型硅的衬底上，通过选择掺杂形成p型的掺杂区，作为pmos的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度l，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度w。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。 　　pmos的工作原理与nmos相类似。因为pmos是n型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是p型，所以，pmos的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在pmos的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于pmos栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的p型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，vgs越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。 　　与nmos一样，导通的pmos的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论nmos还是pmos，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是 　　vgsvtp (pmos)， 　　值得注意的是，pmos的vgs和vtp都是负值。 　　pmos集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。pmos集成电路采用-24v电压供电。如图5所示的cmos-pmos接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般cmos的电源电压选择在10～12v就能满足pmos对输入电平的要求。 　　mos场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。 　　各种场效应管特性比较

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