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1，请问mos管栅极源极漏极的由来

gate相当于一个门（开关）VG大于VT管子导通，源就是电子来源的地方，漏就是电子消失（漏掉）的地方。
栅英文Grid 不是gate。栅：阻拦物的意思
其怪?!怎么命名是行业术语.难道真有必要究根问底吗?
gate应该翻译成门极 都叫乱了……源和漏是原理决定的 仔细看一看工作原理就明白了

请问mos管栅极源极漏极的由来

2，电动自行车控制器里MOS管是干么用的

电动自行车的控制器里的MOS管是大电流开关电子元件,MOS是金属氧化物半导体的英文缩写,在控制器内用于驱动电转。 飞车故障一般是由MOS 管击穿引起。判断MOS管好坏的方法为，用万用表的二极档测量MOS管三个端子，应该没有短路（万用表显示0）现象。如MOS管损坏，则可以通过更换同型号的元件来排除故障。

电动自行车控制器里MOS管是干么用的

3，mos管是三极管吗

mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。
不是，MOS 英文（Metal-Oxide-Semiconductor）金属-氧化物-半导体 场效应管
三极管工作时，有两种载流子流过PN结，所以它是有两种载流子参与导电的器件。mos管工作时，源漏极之间只有一种载流子参与导电，栅源极、栅漏极之间没有载流子流过，所以它是只有一种载流子参与导电的器件。所以，mos管不是三极管。
不是的，结构不同，但工作方式差不多，MOS管（MOSFET)场效应管

mos管是三极管吗

4，MOS晶体管的概念和特性分别是什么

MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管）， 即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特 点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电 流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置。 2.功率MOSFET 的结构和工作原理 功率MOSFET 的种类：按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极 之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N 沟道增强型。
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5，MOSFETMOS管中的开关时间可以改变电压的原理

看看晶闸管的相关知识，晶闸管的整流、调压电路知识大体来说就是通过控制MOS管的通断来削波(交流电是正弦波，比较220V的市电，电压从0值一直变化到最大值，让交流电通过MOS管，比如需要110V的电压输出，可以在交流电上升至110V时让MOS管断开，下次电压过0时再导通，再到110V时再断开，反复如此，可以得到110V交流电，使用整流电路可以变成直流电)学过这个东西，很久不用了，大概就是这么个原理我当时用的书是“半导体变流技术 第2版”，机械工业出版社出版，上海理工大学 莫正康 主编，主要介绍晶闸管的整流、逆变、调压、变频原理
MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。MOSFET关闭的时候这些储能元件要么和原来的输入叠加形成升压电路，要么独自输出形成降压电路。（这里只是举例，还有升降压电路不讨论了。） 你可以理解为，MOSFET打开的时间越长，电感和电容中储存的能量越高，可以形成的输出也就越高。MOSFET打开的时间越短，储能元件中能量约小，形成的输出也就越低。 这就是MOSFET改变电压的原理。具体还得找几个电路进行分析。如果BOOST、BUCK电路，都是最基本的。
就是脉宽调制技术（pwm）。百度一下就有了。

6，三极管与mos管有什么区别结构和原理

MOS管的特性、工作原理，与真空电子管类似：栅极没有电流，即没有输入电流，具有高输入阻抗；漏极电流由栅极电压控制，是电压控制器件…… 半导体三极管是两个P-N结组成，由基极电流来控制集电极电流，是一个电流控制器件；基极输入的是电流，输入阻抗低，需要输入功率…… 工作性质： 1、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制， 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。

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