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1，场效应管工作原理是什么请高手告诉我谢谢了

场效应管是通过栅极与源极之间的电场强度控制源极与漏极导通沟道的导通特征（沟道“大小”）实现对源极与漏极的电流进行控制达到电流放大功能的，由于是采取电场控制导通的，跟双极型晶体管的控制原理不同，用一句成语来表述，就是“四两拨千斤”，这就是形象说明场效应管的栅极高输入阻抗特点。

场效应管工作原理是什么请高手告诉我谢谢了

2，你知道场效应管的工作原理吗

晶体管原理，教科书上确实讲得太复杂，读起来头疼。让我们先从场效应管说起吧：场效应管FET，用水龙头作比喻，还是比较贴切的。水流，可比喻为电流；拧开龙头，放水；关闭龙头，水即停止；以耗尽型FET为例：它是一个导电沟道（纯粹的N型或P型沟道），门极不加电压时，沟道畅通无阻；当门极施加6V电压时，沟道关闭(相当于水龙头关闭)；6V电压称之为夹断电压Vp；调节门极电压0－6V，还能控制沟道电流Id大小。就象水龙头能调节水流大小一样。就这么简单，FET的门极电压，就象是控制一只水龙头的开关。关于三极管，打另一个比喻。基级电流Ib很会做生意，善于鼓吹，招蜂引蝶，引来了一大帮客人（载流子）。但这些客人（载流子）中，只有一小部分客人进了基极自己的店，大部分的客人被基极卖猪仔，卖给了集电极Ic。集电极自己没有客源（载流子），全靠基极卖猪仔。所以，基极电流控制了集电极电流Ic。没有基极电流，就没有集电极电流。就这么简单。原创作品，希望给我加分鼓励
你这人怎么这么笨，去买一本电子基础书看一看啊！再看看别人怎么说的。

你知道场效应管的工作原理吗

3，关于MOS场效应管的原理

MOS管的工作原理它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
上面那个是介绍的 场效应管（英缩写FET）的分类。分为结型场效应管（JFET）和金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。每个类型又都有N型和P型的，那就是四类了。下面那个用的是mos管。看样解释的差不多，你可以找本书看看，会讲得科学些。。一般的模拟电子都会讲的。再看看别人怎么说的。

关于MOS场效应管的原理

4，场效应管的工作原理和基本结构是什么

场效应管（FET，Field Effect Transistor)电压产生的电场来控制管子工作的。现在最常用的是MOSFET（M是金属，O是氧化物，S是半导体），三者恰好形成一个电容，中间的氧化物作为电容的电介质。电子往电势高的地方（正极）流动聚集，空穴向电势低的地方（负极）流动聚集。以N管为例：（1）在不加电源的情况下，源极和漏极都充满了电子，是N型半导体，而它们之间的衬底却是P型半导体，相当于两个反串的PN结，电阻很大。也可以理解为两个导体被中间的衬底隔离开了。此时无法导电。（2）在栅极上加上一个正电压之后，这个电压在栅极和衬底之间形成了一个栅极指向衬底的电场，这个电场吸引电子，使电子在栅氧化层下方聚集，同时将空穴排斥开。随着栅压的升高，电子的浓度越来越大，空穴浓度越来越小。本来栅氧化层边缘的衬底为P型半导体，空穴浓度大于电子浓度，但是当栅极电压加到一定程度（Vth）时，电子的浓度开始超过空穴浓度，此时P型衬底变为N型衬底，也就是变成“沟道”将源极和漏极连起来了，此时就可以导电了。（3）栅极的电压必须比源极或漏极高一个Vth，对应端的沟道才能导通，不然就会夹断。导通部分电阻很小，夹断部分电阻非常大（即空间电荷区）。（4）沟道两端同时夹断，就工作在截止区；只有一端夹断，就工作在饱和区；没有夹断，就工作在线性区。截止区就相当于断开不工作，饱和区相当于一个电流源，线性区相当于一个电阻。总之，场效应管就是靠这个“沟道”来工作的，没有“沟道”就休眠了。

5，场效应管作为开关时的工作原理是怎么样的谁知道

以N沟道为例，场效管有G极，D极，S极，还有一个衬底，通常场效应管出厂时，S极都和衬底连接在一起了，所以我们看到一般都只有三个管脚。N沟道管，要在G和S之间加上正向电压，即G正，S地，由于G和S之间存在绝缘层，所会形成一个G指向S的电场，在电场的作用下，电子会流向G，但由于绝缘层存在，挡住了电子的运动，而在D和S之间形成一电子沟道。使D和S处于导通。所以只要GS这间的电场消失，那D和S就会回到截止状态。所以场效应管是加电产生电场而导通，没有太多电浪费。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管是多子导电, 而晶体管则是既利用多子, 又利用少子. 按我的理解，场效应管的开关速度比三极管快，能控制大电流。工作原理见：http://wenku.baidu.com/view/3a5fb5bd960590c69ec37677.html应用见：http://apps.hi.baidu.com/share/detail/31540653
场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.　　特点:　　具有输入电阻高（100mω～1 000mω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.　　作用:　　场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.　　场效应管可以用作电子开关.　　场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.

6，场效应管工作原理是电压控制电流吗

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，32313133353236313431303231363533e59b9ee7ad9431333337393531表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。 MOS场效应管电源开关电路 MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。 C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管） 电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
宏观是的。但栅极有电容，实际使用，还是要考虑驱动电流的。尤其频率高时
是的
基本上可以这样理解
场效应管的工作原理是电压控制电流型；即为输入端是电压信号，输出端控制工作电流。 名词解释 场效应管 场效应晶体管(field effect transistor缩写(fet))简称场效应管。主要有两种类型(junction fet-jfet)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor fet，简称mos-fet)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管(fet)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 fet 英文为field effect transistor，简写成fet。 主要作用 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关。 其特点为 （1）场效应管是电压控制器件，它通过vgs来控制id； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

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