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1，本征半导体P型半导体N型半导体能独立导电吗导电性能有什么

本征导电性能最差。N型靠电子导电，P型靠空穴导电（空穴实际不存在的），电子迁移率比空穴高。

本征半导体P型半导体N型半导体能独立导电吗导电性能有什么

2，哪些是常见的N型及P型半导体材料 谢谢

用左手定则，磁场方向穿过手心，四指方向为电流方向，拇指为电场方向，拇指指向负电荷一侧，此时为p型半导体，空穴型。若方向正好相反，则为n型半导体，也是电子型。
象锗，硅，砷化镓都是半导体材料，象硅在注入离子时，所注入的离子将决定了他的N型还是P型以为所注入的离子决定了他是电子导电还是空穴导电
2极管才分N/P型NPN型与PNP型 区分就在于发射极与集电极哪个电阻大

哪些是常见的N型及P型半导体材料 谢谢

3，半导体材料N 型与P型的区别

N型是电子导电，P型是空穴导电。
要区x别N型半导体和P型半导体，方7法很多。简单而直接的快速方4法就是采用热探针法（由热电动势的符合来判断）；复杂一p些的是采用Hall效应测量法（由Hall系数的正负来判断）。2011-10-30 20:37:54
任何半导体器件里都能找到n型或者p型半导体，这些器件都是由pn结构成的，你说的这个应该指器件是n型或者p型吧？比如mosfet分nmosfet和pmosfet 。n型器件和p型器件应用区别在于他们的电流流向不同
N型里面多子是电子，P型里面多子是空穴

半导体材料N 型与P型的区别

4，什么是N型半导体 什么是P型半导体

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ） 多子与少子是相对概念。 如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。 ----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。

5，解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结

1、P型半导体：又称空穴型半导体，其内部空穴数大于自由电子数，即空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。例如在硅材料中加入三价元素硼，就形成了P型半导体。 2、N型半导体：又称电子型半导体，其内部自由电子数大于空穴数，即自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。例如在硅材料中加入五价元素磷，就形成了N型半导体。 3、PN结：在硅或锗单晶基片上，加工成P型区和相邻的N型区，其P型区和N型区相结合的部位有一个特殊的薄层，这个薄层就称为PN结。PN结具有单向导电性。
半导体受到外界能量激发（比如光），或者经过掺杂以后，会产生能够自由移动的电子或者空穴（能带理论），这些称为载流子。载流子为电子的半导体成为N型半导体，载流子为空穴的称为P型半导体。当P型半导体和N型半导体接在一起的时候，由于一边缺少电子另一边缺少空穴，电子和空穴就会自发的相对扩散，这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场，随着扩散的进行，这个电场越来越强，直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡，这样就形成了稳定的结区，我们称他为PN结。

6，什么是N型半导体

N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷； 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ） N型半导体 　　如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素──施主杂质，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或硅）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。这些材料就变成了半导体。因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型。也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”，参考图39／2。
有啊！~！！是加入五价原子
在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
就是还负电荷的一种材料！！P就是刚好相反
楼上的很正确，就是还负电荷的一种材料！！P就是刚好相反。

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