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1，晶体的晶种怎么得到

你可以从纯净物上取一些呀，析出晶体后，再从晶体上取一些即可。
配置饱和溶液，让溶剂蒸发慢慢结晶，一般可以得到好的晶体。晶种就是指纯的小颗粒晶体，在结晶过程中起母核作用。

晶体的晶种怎么得到

2，什么是晶种质量

晶种技术在很多立窑厂家已得到很好的应用。实践证明,在配料中, 掺加适量晶种后,在熟料煅烧时,由于其“诱导结晶”作用, 降低了熟料煅烧所需的能量,使生料易烧性大大提高, 从而提高了熟料的产质量,降低煤耗。但是, 在晶种技术的实际应用中,很多厂家所持观点有很大差异, 如在济南和淄博地区,有的厂家认为,在配料中掺加熟料晶种后, 窑上操作难度相对加大,对提高熟料产质量效果不明显, 而有的厂家使用效果却相当好。笔者认为,之所以出现两种观点, 其主要原因是在工艺技术中存在某些缺陷, 没有达到适合本厂工艺条件的晶种煅烧技术的要求。
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什么是晶种质量

3，化学中如何选择晶种

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结晶过程其实也是一个化学变化，因为新的化学键正在生成，所以很多时候结晶的过程并非是想象中那样，到了一定温度就会结晶；还有一种情况，就是高分子化合物的结晶过程很复杂，可能某一段结晶了而另一部分却不能结晶；为了获得理想的晶体，就需要加入晶种；晶种可以是需要结晶的化合物本身，也可以不是该化合物；晶种可以与该化合物的晶体类型相同，也可以不同。实例：某些有机化合物结晶过程较慢，为加快结晶，在接近饱和时刮烧杯的玻璃壁，其实就是让玻璃碎屑充当晶种；再如，某些盐类需要培养晶体，为了使最后的晶体完美，通常在自然挥发时，加入该晶体的小晶体，则后面晶体就会在这个小晶体表面生长；再如，某些物质如水晶，内部常有些细沙，那也是晶种

化学中如何选择晶种

4，晶种的晶体种类

1. 金属晶体 金属晶体－－由阳离子产生静电力，使带正电原子结合一起而和周围电子云结合而成。2. 离子晶体－－由阴电性差异很大的阴阳离子结合。3. 共价晶体－－利用共用电子对形成。4. 分子晶体－－由凡得耳力结合。5. 氢键晶体－－由氢键结合而成。6. 半导体－－因杂有微量不纯物，结晶体有孔洞产生。
溶液本身有过饱和状态，纯净的溶液是很难结晶的。这与分子依附性有关。你可以简单的这么理解：当溶液中没有其他杂质，是理想的纯净溶液时，溶质想要析出，但是周围环境是均匀的，单个溶质分子之间的距离只会随着溶液的蒸发而越来越小，却永远都是距离均等的；这时出现了一个杂质，就打破了这种均等，因为杂质的密度与溶液不同，所以溶质分子会向杂质靠拢，并进一步聚集而出现晶体。

5，加入晶种有什么作用

结晶过程其实也是一个化学变化，因为新的化学键正在生成，所以很多时候结晶的过程并非是想象中那样，到了一定温度就会结晶；还有一种情况，就是高分子化合物的结晶过程很复杂，可能某一段结晶了而另一部分却不能结晶；为了获得理想的晶体，就需要加入晶种；晶种可以是需要结晶的化合物本身，也可以不是该化合物；晶种可以与该化合物的晶体类型相同，也可以不同。实例：某些有机化合物结晶过程较慢，为加快结晶，在接近饱和时刮烧杯的玻璃壁，其实就是让玻璃碎屑充当晶种；再如，某些盐类需要培养晶体，为了使最后的晶体完美，通常在自然挥发时，加入该晶体的小晶体，则后面晶体就会在这个小晶体表面生长；再如，某些物质如水晶，内部常有些细沙，那也是晶种
晶种是用来进行诱导结晶析出。如果想让结晶长得比较大，就让溶液放置自然降温，达到结晶温度时加入少量晶种，这时就会慢慢长出结晶。如果想让结晶比较小，就必须进行适当搅拌。晶种，其实就是前一次结晶后留下来的。如果以前没有此结晶，第一次试验，就是等到应该析出的温度，但是还没有析出结晶，此时，溶液属于过饱和状态，可以用玻璃棒，在瓶底或烧杯底轻轻划一下，结晶也就慢慢产生了，这也是一种诱导办法。

6，什么是晶种原理是什么

在结晶法中,通过加入不溶的添加物即晶种,形成晶核,加快或促进与之晶型或立体构型相同的对映异构体结晶的生长. 一、结晶之简介 1. 结晶是纯质从一均匀相中所析出之高纯度之固体。 2. 组成之基本单位为由其成份原子、分子或离子在三度空间排列 整齐所构成之晶格。 3. 结晶之发生必需有过饱和之存在。 4. 结晶产品之纯度，通常为99％以上；如再结晶，则纯度可?small> 99.9％或 99.99％，甚至更高。 二、晶体种类 1. 金属晶体 金属晶体－－由阳离子产生静电力，使带正电原子结合一起而和周围电子云结 合而成。 2. 离子晶体－－由阴电性差异很大的阴阳离子结合。 3. 共价晶体－－利用共用电子对形成。 4. 分子晶体－－由凡得耳力结合。 5. 氢键晶体－－由氢键结合而成。 6. 半导体－－因杂有微量不纯物，结晶体有孔洞产生。 三、晶体形状 1. 三斜晶体：三结晶轴互相斜交。其长度均不同。 2. 单斜晶体：三结晶轴均不等长，其中两轴互相斜交，但皆垂直於第三轴。 3. 斜方晶体：三结晶轴均不等长，互相垂直。 4. 正方晶体：三结晶轴互相垂直，其中两轴等长，另一轴不等。 5. 三方晶体：等长三轴互相倾斜，且倾角相等。 6. 六方晶体：三轴等长，且相交成60度角。另一不等长的轴则与此平面垂直。 7. 等轴晶体：三轴相等，且相互垂直。 四、结晶习性 1. 结晶习性，俗称晶癖，指结晶成长过程中，各晶面相对的生长率。 2. 各晶面生长率随晶体本身之性质及外界之条件而变化。 3. 影响晶癖的主要因素 (1)溶剂种类 (2)不纯物的含量 (3)搅拌速度 (4) 溶液的PH值 (5) 溶液温度 五、结晶之赫夷定律 同一溶质所析出的晶体，其边长与面积的大小可能不同，然而各相 对 的夹角均相同；即析出之晶体均成几何相似，此为赫夷定律。 六、结晶之迈耶理论 1. 迈耶提出在溶解度曲线以上的过饱和区，再以过溶解度曲线分为不安 定区及准安定区。 2. 准安定区：只能成长晶体不能生成晶体，故需加入少数微小晶体，作 为晶种；如控制得当，可得较大之晶体。 3. 不安定区：会有大量微小晶体析出，分享了过饱和溶质的量，使晶体 无法长大，故成为微小的晶体。 七、结晶之方法—过饱和 1. 结晶之步骤： (1) 晶核之生成: 单位聚群晶胚晶核 (2) 晶体的生长：晶核结合了动力单位而形者。 2. 达成过饱和之方法 (1) 冷却法：溶质之溶解度变化很大时。 (2) 溶剂蒸发法：溶质之溶解度随温度变化很小时。 (3) 盐析法：在溶液中加入第三种物质，藉以急速降低溶质之溶解度。 (4) 绝热蒸发法：急速蒸发，可降低溶液温度，同时减少溶剂的量。 3. 影响结晶的因素： (1)晶种：在准安定区结晶，可获得大颗粒结晶。 (2)温度：温度不同，则溶液的饱和度不同。 (3)杂质：有杂质存在，则晶形不同。 (4) 搅拌：对於高黏度容液的结晶，搅拌，可以促进晶核成长。 八、晶体之纯度与母液 1. 晶体与溶液分离时可能含有母液。 2. 可用过滤或离心分离，或以新鲜溶剂洗涤。 九、结晶之管理与操作 结晶之目的在於求得适当大小及形状之高纯度晶体。 应注意事项如下： 1. 以适当加热方式除去多余之晶核。 2. 避免快速冷却及过大之过饱和度，以防止大量晶核产生。 3. 保持均匀之过饱和。 4. 选用器壁平滑之结晶器。 5. 减少碰撞及摩擦，以避免产生新晶核。 结晶介绍 http://content.edu.tw/vocation/chemical_engineering/tp_ss/content-wa/wchm2/wpage2-5.htm参考资料： http://content.edu.tw/vocation/chemical_engineering/tp_ss/content-wa/wchm2/wpage2-5.htm

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